台积电 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技术遇瓶颈，量产时间恐将推迟

据 Digitimes 报道，业内人士透露，台积电 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技术的开发过程中都遇到了不同但关键的瓶颈。报道称，台积电和三星因此将不得不推迟 3nm 制程工艺的开发进度。

按台积电计划，3nm 将于今年完成认证与试产，2022 年投入大规模量产，甚至业界曾表示苹果已率先包下台积电 3 纳米初期产能，成为台积电 3 纳米第一批客户。

3nm 工艺推进延期意味着这两家半导体的 5nm 工艺寿命延长，但目前第一代 5nm 工艺似乎均出现了不同程度的不良现象，这将给两家厂商 5nm 优化留出足够时间。

同时，考虑到英特尔先进制程目前最先进工艺是 10nm，这也给英特尔工艺追赶提供了机会。不过距离 2022 年投产还有充足时间，具体情况仍需观察。

IT之家了解到，此前业界预计台积电和三星的 3nm 工艺都会在 2022 年实现量产，但台积电有望领先三星至少半年。

此前台积电曾宣称，其 3 纳米工艺会比最近的 5 纳米工艺性能提升 10% 至 15%，3nm 芯片将提供 20% 至 25% 的节能提升。

此外，台积电董事长刘德音此前表示，台积电今年营收持续创新高，在 3nm 领先布局，于南科的累计投资将超过 2 万亿元新台币，目标是 3nm 量产时，12 英寸晶圆月产能超过 60 万片。相对的，三星晶圆代工业务准备投入 1160 亿美元，以实现在 3nm 工艺上赶超台积电。

责任编辑：PSY