三星与Arm携手，运用GAA工艺技术提升下一代Cortex-X CPU性能

三星电子宣告将深化其与ARM公司多年来的深入合作关系，以利用其全球最先进的Gate-All-Around（GAA）制程技术优化下一代Arm ® Cortex ™ -X CPU。双方有雄心壮志，期望革新2nm GAA制程工艺，而这项技术将专供于极具前景的数据中心及基础设施定制芯片。此外，他们还将共同研发创新型AI芯片解决方案，极大地改变emerging AI移动计算市场。

三星继续推进工艺技术的进步，近年来首次量产了基于2022年GAA技术的3nm MBCFET ™ 。GAA技术不仅能够大幅减小设备尺寸，降低供电电压，增强功率效率，同时也能增强驱动电流，进而实现更高的性能表现。

借助三星最新的GAA工艺节点，AMD也对其最新的Cortex-X CPU进行了深度优化，由此实现更高的性能和效率，大大提升了用户体验的水平。

面对不断提升的产品交付需求，确保在首次制造中即能够生产出综合功耗最小化、性能最高和面积最佳的硅片变得尤为重要。为此，设计与制造过程必须彼此融合。双方团队一直以来采取设计技术协同优化，以此最大化发挥下一代Cortex-X CPU设计架构和GAA工艺技术的PPA优势。

目前，生成式AI已经成为提升用户体验的关键驱动因素。三星与ARM的此次联手将加大在下一代GAA工艺技术基础上优化Cortex-X CPU的执行力度，从而加速推动下一代产品性能的提升。