ANSYS宣布14纳米FinFET制程技术获联电认证

ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem获联华电子（UMC）的先进14纳米FinFET制程技术认证。ANSYS和联电透过认证和完整套装半导体设计解决方案，支援共同客户满足下一代行动和高效能运算（HPC）应用不断成长的需求。

此次ANSYS取得联电的认证包括萃取、电源完整性和可靠度、讯号电子迁移（signal EM）以及自发热（self-heat）分析。联电的14纳米FinFET技术与 28纳米技术相较快55%，耗电减少50%，适合需要更多功能、超高效能与超低功耗的应用。

联电智慧财产开发与设计支援部门总监T.H. Lin表示：「联电不断改进设计以支援产品，帮助客户缩短设计时间并加速产品上市时程。我们与ANSYS合作无间，双方共同客户能够运用ANSYS的多物理场模拟，将设计最佳化，改善效能并减少过度设计（overdesign）。」

ANSYS总经理John Lee表示：「深次微16纳米以下的多层次实体效应的相互依存性持续增加，如电源、可靠度和发热议题，对设计收敛带来重大挑战。ANSYS的半导体解决方案架构针对多层次实体最佳化设计，而联电认证ANSYS解决方案经过严格测试和准确规范的确认，有助于双方共同客户加速设计收敛。」