宜普推出内含增强型氮化镓场效电晶体（FET）EPC9005开发板

　　宜普电源转换公司（EPC）宣布推出内含增强型氮化镓（eGAN）场效电晶体（FET）的 EPC9005 开发板，展示最新推出、专为驱动氮化镓场效应电晶体而最佳化的IC闸极驱动器，可帮助工程师以低成本从矽元件转而采用氮化镓技术。

　　EPC9005 开发板是一款7A最大输出电流的半桥电路设计，内含两个 EPC2014 （40V）氮化镓场效应电晶体，并采用TI专为氮化镓元件最佳化的闸极驱动器（LM5113），这种已制作好及易于连接的开发板，并备有完善归档的技术支援资料，使工程师可轻松地利用氮化镓场效应电晶体设计产品。

宜普EPC9005开发板

　　LM5113 采用2英寸x2英寸的BGA封装，可实现非常紧密且配备驱动器及两个氮化镓场效应电晶体的电源电路。受益于 EPC2014 元件的应用包括高速直流-直流电源、负载点转换器、无线充电及高频电路。

　　推出这种开发板的目的是简化评估氮化镓场效应电晶体的过程，因为这种开发板是1块2英寸x1.5英寸的单板，板上整合了所有关键元件，因此易于连接任何现有转换器。此外，电路板上还备有多个探测点，以便测量简单的波形和运算效率。随开发板一起提供的还有一份供用户参考和易于使用的速查指南。