选型手册：VS1401ATH N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

选型手册：VS1401ATH N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS1401ATH是一款面向 100V 中压超大电流场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220AB 直插封装，凭借 1.0mΩ 极致低导通电阻与 200A 大电流承载能力，适用于中压大电流 DC/DC 转换器、电源管理、高功率负载开关等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时典型值1.0mΩ，中压场景下传导损耗近乎极致；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
    • 结温约束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：200A；\(T_c=100^\circ\text{C}\)时降额为142A；
    • 环境温约束（\(T_a=25^\circ\text{C}\)）：65A；\(T_a=70^\circ\text{C}\)时降额为42A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：800A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），满足负载瞬时超大电流需求。

二、核心特性

• 极致低导通电阻：1.0mΩ 低阻设计，大幅降低中压大电流场景下的传导损耗，显著提升系统能效；
• 增强型工作模式：适配常规中压功率转换拓扑的开关控制逻辑；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 375mJ，感性负载开关场景下抗冲击能力优异；
• 环保合规：采用无铅引脚镀层，满足无卤要求且符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造需求。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	100	V
栅源极电压	\(V_{GS(MAX)}\)	±20	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	200	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)，结温约束）	\(I_D\)	\(T_c=25^\circ\text{C}\): 200；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 142	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	800	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)，环境温约束）	\(I_{DSM}\)	\(T_a=25^\circ\text{C}\): 65；\(T_a=70^\circ\text{C}\): 42	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	375	mJ
最大功耗（结温约束）	\(P_D\)	\(T_c=25^\circ\text{C}\): 300；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 95	W
最大功耗（环境温约束）	\(P_{DSM}\)	\(T_a=25^\circ\text{C}\): 2.7	W
结 - 壳热阻（Typ/Max）	\(R_{thJC}\)	0.4 / 0.5	℃/W
结 - 环境热阻（Typ/Max）	\(R_{thJA}\)	62.5 / 75	℃/W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+175	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：TO-220AB 直插封装，适配大电流散热需求的电路设计；
• 典型应用：
  • 中压大电流 DC/DC 转换器：在 100V 级降压 / 升压拓扑中作为主开关管，极致低阻大幅降低传导损耗；
  • 高功率电源管理系统：为工业设备、储能系统的中压电源分配环节提供高效开关控制；
  • 大功率负载开关：支持超大电流负载的通断管理，适用于高功率设备的电源控制。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）