选型手册：MOT4633G 互补增强型 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的MOT4633G是一款N+P 互补增强型 MOSFET，集成 N 沟道与 P 沟道单元，凭借先进沟槽设计、低导通电阻及低热阻特性，适用于电机驱动、DC-DC 转换器等场景。

一、产品基本信息

• 器件类型：N+P 互补增强型 MOSFET（同时集成 N 沟道与 P 沟道单元）
• 核心参数：
  • N 沟道：
    • 漏源耐压（\(BV_{DSS}\)）：40V；
    • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时小于 12mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)时小于 17mΩ；
  • P 沟道：
    • 漏源耐压（\(BV_{DSS}\)）：-40V；
    • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)时小于 29mΩ，\(V_{GS}=-4.5V\)时小于 34mΩ。

二、核心特性

• 先进沟槽单元设计：通过优化的沟槽结构，实现超低导通电阻，提升电流密度与功率转换效率；
• 低热阻特性：结 - 壳热阻（\(R_{thJC}\)）仅 3.6℃/W，大电流工况下结温控制更稳定；
• 互补拓扑适配：N+P 沟道集成，可直接应用于推挽、桥式等互补对称电路，简化系统设计。

三、关键电气参数（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

• N 沟道：
  • 漏源极电压（\(V_{DS}\)）：40V；
  • 栅源极电压（\(V_{GS}\)）：±20V；
  • 连续漏极电流：\(T_c=25^\circ\text{C}\)时 28A，\(T_c=100^\circ\text{C}\)时 19.8A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：70A；
  • 最大功率耗散（\(P_D\)）：36W；
  • 结 - 壳热阻（\(R_{thJC}\)）：3.6℃/W；
  • 工作 / 存储结温（\(T_J, T_{STG}\)）：-55~+150℃。
• P 沟道：
  • 漏源极电压（\(V_{DS}\)）：-40V；
  • 栅源极电压（\(V_{GS}\)）：±20V；
  • 连续漏极电流：\(T_c=25^\circ\text{C}\)时 -15A，\(T_c=100^\circ\text{C}\)时 -10.6A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：-60A；
  • 最大功率耗散（\(P_D\)）：36W；
  • 结 - 壳热阻（\(R_{thJC}\)）：3.6℃/W；
  • 工作 / 存储结温（\(T_J, T_{STG}\)）：-55~+150℃。

四、封装与应用场景

• 封装形式：PDFN5X6-8L 表面贴装封装，每卷 5000 片，适配高密度电路板的空间约束；
• 典型应用：
  • 电机驱动：在小型电机的桥驱电路中作为互补开关，低损耗特性保障电机动力与效率；
  • DC-DC 转换器：在同步整流、降压 / 升压拓扑中作为互补开关管，简化电路设计并提升电源转换效率。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）