TI LMG2100R044 具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET

LMG2100R044 器件是一款 90V 连续、100V 脉冲、35A 半桥功率级，集成了栅极驱动器和增强型氮化镓 （GaN） FET。该器件由两个 100V GaN FET 组成，由一个高频 90V GaN FET 驱动器驱动，采用半桥配置。

GaN FET 具有零反向恢复和非常小的输入电容 CISS 和输出电容 COSS，因此为功率转换提供了显著的优势。所有器件都安装在完全无键合丝的封装平台上，最大限度地减少了封装寄生元件。LMG2100R044 器件采用 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。
*附件：LMG2100R044 具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET.pdf

TTL 逻辑兼容输入可以支持 3.3V 和 5V 逻辑电平，而与 VCC 电压无关。专有的自举电压箝位技术确保增强型 GaN FET 的栅极电压在安全工作范围内。

该器件通过提供更用户友好的界面，扩展了分立式 GaN FET 的优势。对于需要高频、高效率运行、小尺寸的应用，它是理想的解决方案。

TI LMG2100R044特性：

• 集成 4.4mΩ 半桥 GaN FET 和驱动器
• 90V 连续，100V 脉冲额定电压
• 封装经过优化，便于 PCB 布局
• 高转换速率开关，低振铃
• 5V 外部偏置电源
• 支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平
• 栅极驱动器能够实现高达 10MHz 的开关频率
• 出色的传播延迟（典型值为 33ns）和匹配性（典型值为 2ns）
• 内部自举电源电压箝位，以防止 GaN FET 过驱
• 用于锁定保护的电源轨欠压
• 低功耗
• 外露顶部 QFN 封装，用于顶部冷却
• 用于底部冷却的大型 GND 焊盘

TI LMG2100R044参数：

TI LMG2100R044方框图：

TI LMG2100R044应用：
•降压、升压、降压-升压转换器
•LLC转换器
•太阳能逆变器
•电信和服务器电源
•电机驱动
•电动工具
•D类音频放大器