氮化镓晶体管的并联设计技术手册免费下载

氮化镓晶体管的并联设计总结

先上链接，感兴趣的朋友可以直接下载：

*附件：氮化镓晶体管的并联设计.pdf

一、引言

• ‌应用场景‌：并联开关管广泛应用于大功率场合，如牵引逆变器、可回收能源系统等。
• ‌目的‌：本手册详细阐述了氮化镓（GaN）晶体管并联设计的具体细节，旨在帮助设计者优化系统性能。

二、氮化镓的关键特性及并联好处

1. 关键特性

• ‌ 正温度系数的R DS(on) ‌：有助于并联器件的热平衡。
• ‌ 稳定的门槛电压V GS(th) ‌：在工作温度范围内保持稳定，有利于均流。
• ‌负温度系数的跨导g m‌：随温度升高而降低，有助于热平衡。

2. 并联好处

• ‌提高散热能力‌
• ‌冗余性‌
• ‌提升输出功率‌
• ‌易于模块化‌

三、并联氮化镓的布局及设计要点

1. 关键布局参数

• ‌门极/源极电感L G1-4和L S1-4‌：使用星型接法平衡并最小化。
• ‌共源极电感L QS1-4‌：包括共享/共同的源极电感及功率和驱动回路之间的耦合电感，应尽可能减小。

2. 门极驱动回路布局

• ‌推荐‌：使用负的门极关断偏置电压（-3V至-6V），增加单独的门极电阻和源极电阻，以降低并联器件之间的门极震荡。

3. 功率回路布局

• ‌推荐‌：减少功率回路长度，使用磁通抵消原则减少功率换流回路的电感。

四、4颗氮化镓晶体管并联的实际例子

1. 设计案例

• ‌门极驱动回路‌：对称的门极走线和源极回路设计。
• ‌功率部分‌：磁通抵消有效减少功率换流回路的电感。

2. 测试与验证

• ‌满载仿真测试‌：在I max =136A, I RMS =65A, F SW =200kHz条件下，电流和电压开关波形良好。
• ‌热分布测试‌：所有随机挑选的晶体管均达到热平衡，结温差在最恶劣条件下小于6℃，在最好条件下小于3℃。

五、总结

• ‌内部特性优势‌：GaN Systems的增强型高电子迁移率晶体管(E-HEMT)的内部特性非常适合并联应用。
• ‌布局重要性‌：对于并联高速GaN晶体管，布局需优化以减小寄生电感并确保平衡。
• ‌实践验证‌：4颗GaN晶体管并联的设计案例及测试结果表明，所有晶体管均达到热平衡，验证了设计的有效性。

通过遵循本手册中的设计原则和实践指导，设计者可以优化氮化镓晶体管的并联设计，实现高性能的电力电子系统。

氮化镓（GaN）晶体管并联设计实例

=‌设计目标‌=

在=‌400V/30A‌=高功率系统中实现4颗GaN HEMT（增强型高电子迁移率晶体管）并联，优化均流、热平衡和开关性能，满足=‌**200kHz开关频率**‌=需求。

---

=‌关键特性与设计基础‌=

1. =‌器件选型‌= ：
   • 型号：GaN Systems GS66508T（650V/30A E-HEMT）
   • 特性：
     • 正温度系数Rds(on)：温度升高时导通电阻增大，促进均流。
     • 阈值电压Vgs(th)稳定（1.5V±0.2V），避免并联器件驱动电压偏差。
     • 负温度系数跨导（gm）：高温时跨导降低，抑制电流不均。
2. =‌并联优势‌= ：
   • 总输出电流提升至120A（4×30A），功率密度提高。
   • 冗余设计增强系统可靠性。
   • 分散热损耗，降低单器件温升。

---

=‌并联布局与电路设计‌=

=‌1. 驱动回路设计‌=

• =‌门极驱动电路‌= ：
  • 采用 =‌星型对称布局‌= ，确保每颗晶体管的门极路径长度一致（图1）。
  • 独立门极电阻（Rg=5Ω）和源极电阻（Rs=0.1Ω），抑制门极震荡。
  • 驱动电压：Vgs(on)=+6V，Vgs(off)=-3V（增强关断可靠性）。
• =‌降低寄生电感‌= ：
  • 门极回路总电感 <5nH，使用短且宽的PCB走线。
  • 共源极电感（Lcs） <1nH，通过磁通抵消布局实现。

=‌2. 功率回路设计‌=

• =‌低电感拓扑‌= ：
  • 采用“开尔文连接”分离功率回路和驱动回路。
  • 功率换流回路长度 <20mm，使用多层PCB叠层（图2）。
  • 磁通抵消原则：相邻层反向电流布局，降低回路电感至<10nH。

=‌3. 热设计‌=

• 对称布局4颗GaN晶体管，确保散热路径均匀。
• 共用一个铜基板散热器，导热硅脂填充间隙，结温差<5℃。

---

=‌实测数据与性能验证‌=

=‌1. 开关波形测试‌=

• =‌条件‌= ：Vin=400V, Iload=120A, fsw=200kHz
• =‌结果‌= ：
  • 开通时间：15ns（单管），并联后整体延迟<2ns。
  • 关断时间：20ns（单管），无电压过冲或振铃。
  • 开关损耗：Eon=12μJ，Eoff=18μJ（总损耗较单管增加<10%）。

=‌2. 热平衡测试‌=

• =‌满载运行‌= （Tj_max=125℃）：
  • 单管结温：104℃（最热），98℃（最冷），温差<6℃。
  • 散热器温升：ΔT=35℃（环境温度25℃）。

=‌3. 均流性能‌=

• 电流不均衡度<5%（120A总电流下，单管电流28A~32A）。

---

=‌注意事项‌=

1. =‌布局敏感参数‌= ：
   • 门极路径对称性 > 寄生电感平衡。
   • 避免共源极电感耦合，优先使用独立源极引脚。
2. =‌驱动隔离‌= ：
   • 高侧浮动电压需采用高压差分探头测量，带宽≥500MHz。
3. =‌动态均流优化‌= ：
   • 增加源极负反馈电阻（Rs），抑制高频震荡。

---

=‌总结‌=

通过对称布局、低电感设计和热平衡优化，4颗GaN HEMT并联实例在400V/120A系统中实现了高效均流和稳定运行。此方案适用于电动汽车快充、数据中心电源等高功率密度场景，2025年技术条件下可进一步集成智能均流控制算法以提升动态响应。

=‌注‌= ：实际设计需结合具体器件手册和仿真工具（如PLECS）验证寄生参数影响。