选型手册：VS1602GFH N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS1602GFH是一款面向 100V 中压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220F 封装，适配中压 DC/DC 转换器、电源管理、中功率负载开关等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值3.8mΩ，中压场景下传导损耗可控；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
    • 结温约束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：80A；\(T_c=100^\circ\text{C}\)时降额为57A；
    • 环境温约束（\(T_a=25^\circ\text{C}\)）：17A；\(T_a=70^\circ\text{C}\)时降额为14A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：360A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），满足负载瞬时大电流需求。

二、核心特性

• VeriMOS® II 技术：结合 Osg、Ogd 参数优化，实现快速开关与低开关损耗，提升系统能效；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试与 100% Rg 测试，单脉冲雪崩能量达 529mJ，感性负载开关稳定性强；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	100	V
栅源极电压	\(V_{GS}\)	±20	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	58	A
连续漏极电流（结温约束）	\(I_D\)	\(T_c=25^\circ\text{C}\): 80；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 57	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	360	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	529	mJ
最大功耗（结温约束）	\(P_D\)	150	W
结 - 壳热阻（Typ/Max）	\(R_{thJC}\)	1.5 / 1.8	℃/W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：TO-220F 直插封装，包装规格为 50pcs/Tube，适配大电流散热需求的电路设计；
• 典型应用：
  • 100V 级中压 DC/DC 转换器开关管；
  • 工业设备的电源管理系统；
  • 中功率负载的通断控制。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）