选型手册：MOT3650J N+P 增强型 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的MOT3650J是一款N+P 增强型 MOSFET，集成 N 沟道与 P 沟道单元，凭借超低导通电阻、低栅极电荷特性，适用于计算设备电源管理、负载开关、快速无线充电、电机驱动等场景。

一、产品基本信息

• 器件类型：N+P 增强型 MOSFET（同时集成 N 沟道与 P 沟道单元）
• 核心参数：
  • N 沟道：
    • 漏源耐压（\(BV_{DSS}\)）：30V；
    • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时 < 17mΩ，\(V_{GS}=4.5V\) 时 < 22mΩ；
    • 连续漏极电流（\(I_D\)）：6A；
  • P 沟道：
    • 漏源耐压（\(BV_{DSS}\)）：-30V；
    • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)时 < 32mΩ，\(V_{GS}=-4.5V\) 时 < 45.5mΩ；
    • 连续漏极电流（\(I_D\)）：-6A（负电流表示 P 沟道电流方向）。

二、核心特性

• 超低导通电阻：N 沟道与 P 沟道均实现毫欧级导通电阻，大幅降低低压大电流场景下的传导损耗；
• 低栅极电荷：栅极电荷特性优化，减少驱动电路功耗，支持高频开关应用；
• 无铅环保封装：采用无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造需求；
• 多场景适配性：同时集成 N、P 沟道，可灵活应用于互补对称拓扑（如推挽、桥式电路），简化电路设计。

三、关键电气参数（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

N 沟道参数

• 耐压特性：漏源极电压（\(V_{DS}\)）30V，栅源极电压（\(V_{GS}\)）±20V；
• 电流特性：\(T_A=25^\circ\text{C}\)时连续漏极电流（\(I_D\)）6A，\(T_A=70^\circ\text{C}\)时 5A，脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）24A；
• 功耗与热特性：最大功率耗散（\(P_D\)）2W，结 - 环境热阻（\(R_{thJA}\)）62.5℃/W；
• 温度范围：工作 / 存储结温（\(T_J, T_{STG}\)）-55~+150℃。

P 沟道参数

• 耐压特性：漏源极电压（\(V_{DS}\)）-30V，栅源极电压（\(V_{GS}\)）±20V；
• 电流特性：\(T_A=25^\circ\text{C}\)时连续漏极电流（\(I_D\)）-6A，\(T_A=70^\circ\text{C}\)时 -5A，脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）-24A；
• 功耗与热特性：最大功率耗散（\(P_D\)）2W，结 - 环境热阻（\(R_{thJA}\)）62.5℃/W；
• 温度范围：工作 / 存储结温（\(T_J, T_{STG}\)）-55~+150℃。

四、封装与应用场景

• 封装形式：PDFN3X3 表面贴装封装，每卷 5000 片，适配高密度电路板的小型化设计需求；
• 典型应用：
  • 计算设备电源管理：为服务器、笔记本的电源转换回路提供高效开关控制；
  • 负载开关：用于各类电子设备的负载通断管理，6A 电流能力支持中功率负载切换；
  • 快速无线充电：在无线充电系统的功率回路中，实现低损耗能量传输；
  • 电机驱动：为小型电机（如消费电子、工业控制电机）提供驱动控制，N+P 架构简化桥驱设计。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）