选型手册：VS3610AE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS3610AE是一款面向 30V 低压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，支持 5V 逻辑电平控制，适配低压 DC/DC 转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时典型值4mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)时典型值5.7mΩ，低压场景下传导损耗较低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时64A，\(T=100^\circ\text{C}\)时降额为40A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：256A（\(T=25^\circ\text{C}\)），满足负载瞬时大电流需求。

二、核心特性

• 5V 逻辑电平控制：适配 5V 逻辑驱动电路，无需额外电平转换，简化系统设计；
• 低导通电阻：4~5.7mΩ 低阻设计，降低低压场景下的传导损耗；
• 快速开关 + 高可靠性：开关速度优异，且通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 49mJ，感性负载开关场景稳定性强；
• 环保合规：采用无铅引脚镀层，满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	30	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	64	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 64；\(T=100^\circ\text{C}\): 40	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	256	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	49	mJ
最大功耗	\(P_D\)	33	W
栅源极电压	\(V_{GS}\)	±20	V
结 - 壳热阻	\(R_{thJC}\)	3.8	℃/W
结 - 环境热阻	\(R_{thJA}\)	35	℃/W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：PDFN3333 表面贴装封装，包装规格为 5000pcs / 卷，适配高密度电路板设计；
• 典型应用：
  • 低压 DC/DC 转换器：30V 级降压拓扑的开关管，平衡损耗与电流承载能力；
  • 同步整流电路：适配低压电源的同步整流回路，降低整流损耗；
  • 中功率负载开关：消费电子、工业设备的中功率负载通断管理。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）