30v贴片mos管系列，N沟道增强型锂电池mos管！

30V超低内阻mos管SVG030R7NL5、SVG031R1NL5、SVG031R7NL5、SVG032R4NL5系列是 N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰的LVMOS工艺技术制造。具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

30v大电流mos管SVG030R7NL5：采用PDFN-8-5X6封装，漏源电压VDS=30V，漏极电流Tc=25℃：282A，导通电阻RDs(on)(典型值)=0.7mΩ@VGs=10V，具有低栅极电荷、快关速度快、低反向传输电容等特点。

30V低压mos管SVG031R1NL5：采用PDFN-8-5X6封装，漏源电压VDS=30V，漏极电流Tc=25℃：229A，导通电阻RDs(on)(典型值)=1.1mΩ@VGs=10V。

30v贴片mos管SVG031R7NL5：采用PDFN-8-5X6封装，漏源电压VDS=30V，漏极电流Tc=25℃：138A，导通电阻RDs(on)(典型值)=1.7mΩ@VGs=10V。

耐压30v mos管SVG032R4NL5：采用PDFN-8-5X6封装，漏源电压VDS=30V，漏极电流Tc=25℃：100A，导通电阻RDs(on)(典型值)=2.4mΩ@VGs=10V。

30V超低内阻mos管系列均采用PDFN-8-5X6封装，并已大批量量产，典型应用于电源市场同步整流、小功率电机/电动工具、电子烟、锂电分容柜等不间断电源及逆变器系统的电源管理领域，更多MOS管产品手册、参数等资料请向士兰微代理骊微电子申请。>>

审核编辑 黄昊宇