负载(Peak Load):这个标准表示电源在其效率达到最高点的负载下的性能。通常,电源在某个中间负载范围内能够实现最高效率,而在负载低于或高于该范围时效率会降低。
这四种不同的负载条件反映了电源在
2025-12-30 08:19:29
可能通过优化设计(如改用低成本封装材料)或调整价格策略(如阶梯定价)保持竞争力。三、降本路径:未来优化方向材料创新GaN衬底国产化:目前GaN衬底主要依赖日本、美国供应商,Neway可联合国内厂商(如
2025-12-25 09:12:32
变换器拓扑相结合,能够在实现精准功率因数校正、显著抑制电网谐波污染的同时,全面提升系统能效、功率密度与整体成本效益。该方案得益于高度集成的设计,在紧凑尺寸下实现效率
2025-12-17 08:32:39
685 
2025年12月6日,芯干线携自主研发的 GaN(氮化镓)核心技术及产品参展世纪电源网主办的亚洲电源展,凭借突破性技术成果与高竞争力产品,成功斩获 “GaN行业技术突破奖”,成为展会核心关注企业。
2025-12-13 10:58:20
764 
(HPA)单片微波集成电路(MMIC),主要面向 4.5-6.8GHz 频段应用,采用 GaN-on-SiC HEMT 工艺并带湿度保护,封装为 QFN 塑封。具备高功率输出、高效率及宽电压工作范围等
2025-12-12 09:40:25
的开关电源应用中,功率MOSFET或新兴的SiC/GaN器件的潜能能否完全释放,极度依赖于门极驱动器的性能。一个平庸的驱动器会带来过高的开关损耗、延迟和振铃,从而拉低整机效率,限制功率密度提升,并威胁
2025-12-10 08:55:48
和更大的电流,从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的系统设计。垂直架构:功率技术新高度垂直GaN创新:vGaN支持高电压和高频率运行,效率优于硅芯片先进制造工厂
2025-12-04 17:13:20
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在传统横向结构的GaN器件中,电流沿芯片表面流动。而垂直 GaN 的 GaN 层生长在氮化镓衬底上,其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部,而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让器件能够承受更高的电压和更大的电流,从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的系统设计。
2025-12-04 09:28:28
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的兴起,为装配流程带来了新的解决思路和应用场景。将AR与智能装配相结合,正逐步成为制造业数字化转型的重要方向。 一、AR技术赋能装配的价值 AR技术通过虚拟信息与真实环境的叠加,将复杂的装配指令、零部件数据和工艺要求
2025-12-03 16:15:03
605 今日,南芯科技(证券代码:688484)宣布推出 700V 高压 GaN 半桥功率芯片 SC3610,可实现高精度电压驱动、更优的通道延时匹配和更好的 EMI 性能。SC3610 特别适用于高频软
2025-11-28 17:49:37
1531 电源设计中的VBAT如同一把钥匙,掌握它就能打开成功的大门。本文将教您如何玩转VBAT,从而在电源设计中轻松避开高达99%的常见陷阱,确保您的设计既高效又可靠。 在物联网开发中,稳定的VBAT供电
2025-11-14 15:58:50
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函数发生器和直流电源是电子测试领域中不可或缺的两大工具。但您是否曾想过,将这两者结合使用能带来怎样的出色效果?今天,我们将深入探讨这一强大组合如何显著提升测试效率,并为工程师带来前所未有的测试体验。
2025-11-13 09:30:07
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Leadway GaN系列模块通过材料创新、工艺优化和严格测试,实现了-40℃至+85℃(部分+93℃)的宽温工作范围,同时兼顾高功率密度(120W/in³)和高效率(≥92%),为工业自动化
2025-11-12 09:19:03
云镓半导体云镓工业级GaN产品器件参数解读&3kW服务器电源DEMO1.前言云镓半导体在工业级GaN产品上不断耕耘,推出系列化GaN功率器件以及驱动器产品。在应用DEMO上陆续展示了钛金
2025-11-11 13:45:21
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提供更优的整体效率,这使得GaN器件在高频、高效率的应用中展现出明显优势。我们的应用指导将帮助客户更好得使用云镓的GaN器件,更大限度去挖掘云镓的GaN器件的能力。
2025-11-11 13:45:04
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的开关损耗,从而提供更优的整体效率,这使得GaN器件在高频、高效率的应用中展现出明显优势。我们的应用指导将帮助客户更好地使用云镓的GaN器件,更大限度去挖掘云镓的
2025-11-11 13:44:52
207 
的开关损耗,从而提供更优的整体效率,这使得GaN器件在高频、高效率的应用中展现出明显优势。我们的应用指导将帮助客户更好地使用云镓的GaN器件,更大限度去挖掘云镓的GaN器件的
2025-11-11 13:44:41
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芯品发布高可靠GaN专用驱动器,便捷GaN电源设计GaN功率器件因为其高工作频率和高转化效率的优势,逐渐得到电源工程师的青睐。然而增强型GaN功率器件的驱动电压一般在5~7V,驱动窗口相较于传统
2025-11-11 11:46:33
687 
STMicroelectronics EVLMG1LPBRDR1基于GaN的半桥电源模块配有MASTERGAN1L,其可快速创建拓扑,无需完整的PCB设计。该模块经过微调,可用于LLC应用,其低侧
2025-10-22 16:03:39
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通信协议,以及用于快速充电的专有ST超级充电 (STSC) 协议。该款高度集成的无线电源接收器设有低压差线性稳压器和集成式低损耗同步整流器,可实现高效率和低功耗。对于定制应用,用户可以通过^I2C^接口访问
2025-10-22 10:54:28
391 
Leadway GaN系列模块以120W/in³的功率密度为核心,通过材料创新、电路优化与封装设计,实现了体积缩减40%、效率提升92%+的突破。其价值在于为工业自动化、机器人、电动汽车等空间受限
2025-10-22 09:09:58
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)目前电源设计的复杂度正不断提升,尤其是面向AI数据中心不同负载的电源转换。ADI宣布推出综合性产品系列ADI Power Studio,可实现先进的建模、元件推荐、效率
2025-10-22 07:40:00
9272 
自从氮化镓(GaN)器件问世以来,凭借其相较于传统硅基半导体的多项关键优势,GaN 被广泛认为是快速充电与工业电源应用领域中的变革性技术。
2025-10-21 14:56:44
2575 
近年来,工业电源市场对氮化镓(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高带隙器件的兴趣日益浓厚。GaN器件凭借显著降低的电荷特性,能够在较高开关频率下实现高功率密度,而MOSFET在相同条件下
2025-10-15 11:27:02
21898 
Texas Instruments LMG342xR030 GaN场效应晶体管(FET)集成了驱动器和保护功能,可使设计人员在电子设备系统中实现新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08
586 
。LMG3522R030/LMG3522R030-Q1集成有硅驱动器,可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比,TI的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成特性与TI的低电感封装技术相结合
2025-09-08 09:38:55
696 
近年来,氮化镓(GaN)技术凭借其相较于传统硅MOSFET的优势,包括更低的寄生电容、无体二极管、出色的热效率和紧凑的尺寸,极大地改变了半导体行业。GaN器件变得越来越可靠,并且能够在很宽的电压范围内工作。现在,GaN器件已被广泛用于消费电子产品、汽车电源系统等众多应用,有效提升了效率和功率密度。
2025-09-05 16:53:42
10116 
随着电子设备不断向更高的智能和性能发展,对高效、可靠的电源解决方案的需求正在迅速增加。数字电源在市场上越来越受到关注,并广泛应用于各个领域。
与传统的模拟电源相比,数字电源具有更高的效率、精度
2025-09-05 07:29:19
(ERP)与制造执行系统(MES)相结合,可创建一个功能强大的系统,涵盖业务和特定生产层面。这将提高灵活性、改善预测并优化生产效率。 通过将精益原则与 MES 功能相结合,MES 在精益生产中发挥了决定性
2025-09-04 15:36:30
I-V特性分析 纳米材料与器件(如石墨烯、碳纳米管)的测试对精度和稳定性要求极高。2450数字源表兼具高精度电源和测量功能,可同步实现电压源与电流计的双向切换。例如,在测试某新型纳米线电阻率时,传统仪器需多次切换设备、手动记
2025-09-03 17:42:59
500 
CHK8013-99F CHK8013-99F 拥有 14W 的强大输出功率,如同夜空中最亮的星,照亮了微波射频的天地。它的效率高达 70%,如同
2025-08-20 11:18:02
和保护功能 集成在8mm x 5.3mm QFN封装中。LMG3612 GaN FET具有低输出电容电荷,可减少电源转换器开关所需的时间和能量。该晶体管的内部栅极驱动器可调节驱动电压以获得最优GaN
2025-08-13 15:13:49
777 
。LMG3526R050集成了一个硅驱动器,可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比,TI的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成特性与TI的低电感封装技术相结合,可在硬开关电源拓扑中提供超
2025-08-06 11:29:38
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。LMG3522R050集成了一个硅驱动器,可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比,TI的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成特性与TI的低电感封装技术相结合,可在硬开关电源拓扑中提供超
2025-08-06 11:20:47
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本应用简报介绍 TI GaN 器件如何改进光伏充电控制器。与 MOSFET 相比,使用 TI GaN 器件可提高效率并减小 PCB 尺寸,而且不会增加 BOM 成本。
2025-07-28 15:38:25
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全电压电源支持AC85-265V宽幅电压,可覆盖绝对大部分国家和地区的电网标准,避免因电压不匹配导致设备损坏或无法使用的问题。且适用于各类电子设备,尤其适合出口产品或跨区域使用的场景,提升产品
2025-07-22 13:05:32
794 小功率高效率E-GaN开关电源管理方案:U8723AH+U7116W小功率开关电源的效率是一个重要的设计指标,它决定了电源的功耗和发热量。为了提高效率,可以选择低损耗的开关管和电感,减小输出端纹波
2025-07-10 16:15:36
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增强型(Gen IV Plus)产品专为多千瓦级应用设计,将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合,显著降低开关功率损
2025-07-09 13:07:44
484 ,氮化镓 (GaN) 可提高功率密度和效率,GaN 和 SiC 均具有宽带隙,但它们之间存在根本差异,因此分别适合特定的拓扑和应用。
2025-07-09 11:13:06
3371 
逆变器。此类第四代增强型(Gen IV Plus)产品专为多千瓦级应用设计,将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合,
2025-07-08 17:30:10
553 数字电源行业的双重挑战:效率与空间 能源效率的艰难爬坡。随着新材料和新产品的不断研发,数字电源被赋予了更高的使命——实现更高的转换效率和更低的能耗。这不仅是为了满足日益增长的能源需求,更是为了提高能源利用效率,减少
2025-07-07 14:13:00
673 
E-GaN电源芯片U8733L集成外置温度检测和恒功率功能Yinlianbao开关电源NTC传感器能够感知微小的温度变化,一旦温度超过预设的安全阈值,便会触发保护机制,如降低电流或切断电源,以防
2025-06-19 16:31:37
692 
MPS新品 MPG44100 集成GaN FET的高效率、增强型 PFC 稳压器,具有峰值功率总线升压功能
2025-06-18 18:09:33
1271 
CHA3511-99F 是一款由 United Monolithic Semiconductors (UMS) 生产的 6-18 GHz 数字可变增益放大器(VGA),专为国防和航空电子
2025-06-18 16:16:54
CHA3512-99F 是一款由 United Monolithic Semiconductors (UMS) 生产的 6-18 GHz 数字可变增益放大器(Digital VGA),专为高频
2025-06-18 16:15:04
CHA3513-99F 是一款由 United Monolithic Semiconductors (UMS) 生产的 3 位数字可变增益放大器(VGA),专为高频应用设计,适用于 6-18 GHz
2025-06-18 16:13:15
CHA3514-99F 是一款由 United Monolithic Semiconductors (UMS) 生产的 6-18 GHz 数字可变增益放大器(VGA),专为国防和商业
2025-06-18 16:11:28
一种用于重掺杂n型接触的选择性刻蚀工艺实现了AlN/GaN HEMT的缩小 上图:原位SiN/AlN/GaN HEMT外延堆叠示意图 俄亥俄州立大学的工程师们宣称,他们已经打开了一扇大门,有望制备出
2025-06-12 15:44:37
800 
V、输出电压为12 V、负载电流为12 A的情况下,图2中的电路实现了约97%的转换效率。值得注意的是,这一转换效率是在1 MHz的开关频率下达成的。
当构建使用GaN开关的功率级时,必须仔细优化
2025-06-11 10:07:24
谐振开关电源符合开关电源性能指标要求,具有输出过电流、短路等保护功能。电源样机符合LLC拓扑的高效率、小体积特点,可实现ZVS,全负载范围实现最高可达到96%的效率,并改善了LI£拓扑固有的轻载调整率
2025-06-05 15:14:05
问题限制了性能提升,导致大功率电源往往体积庞大、能效难以突破钛金牌门槛。市场亟需更高效、紧凑的解决方案,而氮化镓(GaN)与先进拓扑结构的结合,正成为破局关键。港晟
2025-05-30 20:32:52
1304 
GaN FET支持MHz级开关频率,显著高于传统硅基器件,通过减小无源元件体积实现系统小型化,使开关损耗降低20%-30%。深圳银联宝快充电源ic U8609合封第三代半导体GaN FET,最高工作频率130kHz,采用原边反馈控制,可节省光耦和TL431,简化电源BOM,有利于降低电源尺寸!
2025-05-30 15:43:48
798 目录
1,整机线路架构
2,初次极安规Y电容接法
3,PFC校正电路参数选取及PCB布具注意事项
4,LLC环路设计注意事项
5,GaN驱动电路设计走线参考
6,变压器输出整流注意事项
一,整体线路图
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2025-05-28 16:15:01
RK3568驱动指南|第十二篇 GPIO子系统-第135章 GPIO子系统与pinctrl子系统相结合实验
2025-05-23 13:47:02
828 
功率器件与拓扑优化
宽禁带半导体器件应用
传统硅基IGBT/MOSFET因开关损耗高,限制了系统效率。采用碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)器件可显著降低损耗:
SiC MOSFET导通电阻低(仅为硅
2025-05-21 14:38:45
当今的电源设计要求高效率和高功率密度。因此,设计人员将氮化镓 (GaN) 器件用于各种电源转换拓扑。
2025-05-19 09:29:57
1021 
、ToF 和功率转换器的性能。1.25ns 输出脉冲宽度可实现更强大、人眼安全的二极管脉冲。这与 300ns 失真相结合,可实现更远距离、更精确的 LiDAR/ToF 系统。2.9ns 的传播延迟显著改善了
2025-05-17 10:48:00
813 
45W集成高压E-GaN快充电源方案U8726AHE+U7269氮化镓电源电路由于减少了元件数量和功率转换器占用的空间而更具吸引力。深圳银联宝科技作为E-GaN快充电源方案制造商,大量投入工程研发以
2025-05-15 16:20:17
587 
设备:
1. 一个可程控交流电源供应器或一个自耦变压器
2. 一个电子负载
3. 一个瓦特表和两个数字万用表(其中最好有一个高精度数字万用表,用来测量电流)
或者四个数字万用表(其中,一个为真有效值、高精度
2025-05-12 16:13:07
AI算力的“能耗之痛”在AI训练集群中,单台服务器功耗已突破4kW,电源系统面临三重极限挑战:效率瓶颈:传统硅器件在高压PFC段效率仅95%,年损耗电量超10万度/千台;散热危机:电源模块温升>40
2025-05-10 12:06:39
984 
LM25056A将高性能模拟和数字技术与符合PMBus标准的SMBus/I2C接口相结合,可准确测量电气系统的运行状况,包括连接到背板电源总线的计算和存储刀片。LM25056A通过SMBus接口持续向系统管理主机提供实时电源、电压、电流和温度数据。
2025-05-07 14:40:23
765 
LM25056将高性能模拟和数字技术与符合PMBus标准的SMBus/I2C接口相结合,可准确测量电气系统的运行状况,包括连接到背板电源总线的计算和存储刀片。LM25056通过SMBus接口持续向系统管理主机提供实时电源、电压、电流和温度数据。
2025-05-07 14:32:58
807 
化产品配置器是其在数字化进程和业务拓展方面的一项重要举措。该公司还安装了新的ERP系统,以提高流程效率并加快订单处理速度。产品配置器可与现有工具连接,从而实现协同效应和资源优化。交互式配置器还被集成到了
2025-04-28 14:22:18
)的临界导通模式(CrM)交错图腾柱功率因数校正(PFC)的新型数字控制策略,以满足数据中心电源的高效率需求。 论文下载 *附件
2025-04-23 14:14:31
1583 
安森美推出了一款基于GaNFETNCP58921与次级控制芯片NCL38046的智能工业电源解决方案,支持通过Analog与PWM方式调整输出功率,最大功率可达1KW。这一设计结合了多种先进架构与技术,旨在实现高效率、高功率密度的小型化电源应用。
2025-04-23 08:02:00
803 
GaN快充芯片U8609最高工作频率130kHz,700V/365mΩ,采用DASOP-7封装,主推12V3A,合封第三代半导体GaN FET,有利于降低电源尺寸。U8609采用CS Jitter技术,通过调制峰值电流参考值实现频率抖动,以优化系统EMI。
2025-04-22 17:03:12
1040 
是能够实现电流的双向导通和电压的双向阻断,显著提升电力电子系统的效率与集成度。 传统的MOSFET等开关器件,一般只能允许电流单向导通,比如硅基MOSFET要实现反向的电流,需要外接反并联二极管,或是采用背靠背串联的MOSFET组成双向开关。 但既然现有的方案可以通过外接反并联二极管和
2025-04-20 09:15:00
1348 的晶体管外形无引线 (TOLL) 封装,将 德州仪器的 GaN 和高性能栅极驱动器与先进的保护功能相结合。 中国上海(2025 年4 月 9 日)— 德州仪器 (TI)(纳斯达克股票代码:TXN)于今日推出新款电源管理芯片,以满足现代数据中心快速增长的电源需求。随着高性能计算和人工
2025-04-09 14:38:46
516 
数字工厂以数字大脑取代物理拷贝,数据驱动优化生产效率,提升决策效率。传统工厂数据分散,效率低,决策模式升级。数字工厂实现生产管理、品质分析、设备运维等系统整合,效率和决策模式得到提升。
2025-04-09 10:14:01
585 
E-GaN电源芯片U8722EE的45W、30W同步搭配推荐
2025-04-03 16:20:08
932 
和外壳。这种设计使其具有更高的灵活性、更紧凑的结构和更优的性能,特别适用于对空间、重量和性能要求的应用场景。 无框电机的组成 无框电机:高性能与紧凑设计相结合 转子上装有永磁体,直接安装在设备的负载轴上,与负载一起旋转。 定子(
2025-03-20 18:29:12
1607 一些集成GaN FET的芯片能够根据输入电压和负载的变化自动调整工作模式,这种自适应调整可以使芯片在不同的工作条件下都能实现恒功率输出,同时保持较高的效率。深圳银联宝科技推出的集成GaN FET带恒功率快充电源芯片U8733L,可以在充电器使用过程中,根据设备的需求提供合适的功率,提高充电效率!
2025-03-19 15:03:18
1009 中的优势,其效率高达 56%,比传统工艺降低 40% 热损耗,实现更小体积、更高功率密度。脉冲衰减解决方案 :热管理策略 :结合实验数据,揭示自热效应对脉冲衰减的影响,提供散热片 / 冷板设计指南
2025-03-18 15:36:53
1179 :Driving-Electric-Motors-with-GaN-Power-ICs.pdf 挑战与变革 :使用GaN功率IC的电机逆变器可降低系统成本,如去除散热器、提高集成度、实现自动化装配,同时提升效率、降低能耗、改善产品评级。但传统硅开关解决方案在行业内更为人熟知,且部分应用对高功率密度需求不高。 电机逆变器中的关键优势 性能卓越 :开关损耗极低,
2025-03-12 18:47:17
2084 
器件的性能,使充电头在体积、效率、功率密度等方面实现突破,成为快充技术的核心载体。氮化镓充电头的核心优势:1.体积更小,功率密度更高材料特性:GaN的电子迁移率比硅
2025-02-27 07:20:33
4534 
Power Solutions的AI(人工智能)服务器电源采用。罗姆的GaN HEMT具有低损耗工作和高速开关性能,助力Murata Power Solutions的AI服务器5.5kW输出电源单元实现小型化和高效率工作。预计该电源单元将于2025年开始量产。
2025-02-26 15:41:25
1002 此高频谐振转换器参考设计使用谐振频率为 500kHz 的谐振电路,在 380V 至 400V 输入电压范围内调节 12V 输出。使用我们的高压 GaN 器件以及 UCD3138A 和 UCD7138 来优化死区时间和同步整流器 (SR) 导通,此设计实现了 96.0% 的峰值效率(包括偏置电源)。
2025-02-25 18:13:33
846 
连续导通模式 (CCM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 是一种简单但高效的功率转换器。为了达到 99% 的效率,需要考虑许多设计细节。PMP20873 参考设计使用 TI 的 600VGaN 功率
2025-02-25 16:01:25
963 
此参考设计使用UCC28811功率因数校正 (PFC) 反激式控制器来创建隔离式 60V 输出,该输出能够承受 1A 负载,同时保持较低的输入谐波失真。使用 LMG3411R150 GaN 初级开关的高效率可实现紧凑的尺寸和运行期间的低温升。
2025-02-25 15:21:51
682 
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提升到新的水平。
LMG342xR030 集成了一个硅驱动器,可实现高达
2025-02-25 14:07:16
1148 
LMG3425R030 GaN FET 集成了驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提高到新的水平。
LMG3425R030 集成了一个硅驱动器,可实现高达
2025-02-25 13:51:37
683 
LMG352xR030 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提升到新的水平。
LMG352xR030 集成了一个硅驱动器,可实现高达
2025-02-24 14:42:19
860 
LMG3522R030-Q1 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比,TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装相结合
2025-02-24 13:47:55
1041 
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提高到新的水平。
LMG352xR050 集成了一个硅驱动器,可实现高达
2025-02-24 13:32:11
727 
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提高到新的水平。
LMG352xR050 集成了一个硅驱动器,可实现高达
2025-02-24 11:24:00
1032 
LMG342xR050 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比,TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装相结合
2025-02-24 09:55:24
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高功率放大器采用坚固的带状线电路架构,并精选GaN器件,确保了卓越的操作可靠性。凭借高功率、高效率、高频率覆盖及宽带性能,CNP GaN系列窄带高功率放大器已成为现代射频系统的关键组件,广泛应用
2025-02-21 10:39:06
此参考设计展示了高性能 GaN 如何为中间总线转换器实现高效率和小外形尺寸。 *附件:PMP23340C2K 采用C2000™ MCU且支持GaN的48V至12V 1.1kW 18 砖型电源
2025-02-21 10:20:05
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驱动应用实现 99% 以上的效率,无需散热器。该器件有助于实现超静音运行和超短的死区时间。使用具有自举电流限制功能的集成自举整流器,无需使用外部自举二极管。
2025-02-20 18:24:21
1136 驱动应用实现 99% 以上的效率,无需散热器。该器件有助于实现超静音运行和超短的死区时间。使用具有自举电流限制功能的集成自举整流器,无需使用外部自举二极管。
2025-02-20 17:54:54
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作用。 *附件:中电压氮化镓(GaN)在四种应用领域的优势.pdf 背景 :随着技术发展,电力需求攀升,设计人员面临提升设计效率、在相同体积下提供更多电力的挑战。GaN 因具有增加功率密度和提升效率两大优势,在高电压电源设计中得到应用,新的中电压(80V - 200V)GaN 解决方案也逐渐受到欢迎
2025-02-14 14:12:44
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以下是通过直流负载箱优化电源测试效率的方法:
精准模拟负载
多样化负载模拟:直流负载箱可模拟电阻、电感、电容等不同类型的负载,能根据实际应用场景需求,灵活调整参数,精确模拟各种复杂的负载情况。例如
2025-02-13 13:45:31
在开关模式电源中使用 GaN 开关是一种相对较新的技术。这种技术有望提供更高效率、更高功率密度的电源。本文讨论了该技术的准备情况,提到了所面临的挑战,并展望了 GaN 作为硅的替代方案在开关模式电源
2025-02-11 13:44:55
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电子发烧友网报道(文/梁浩斌)近期GaN在OBC上的应用方案开始陆续推出市场, 在一 月初,阳光电动力推出了一款全新的二合一OBC方案,采用GaN器件以及单级拓扑架构,实现了超高功率密度和高充电效率
2025-02-05 07:55:00
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电子发烧友网站提供《新一代GaN器件,满足AI服务器电源需求.pdf》资料免费下载
2025-01-24 13:56:42
0 电子发烧友网站提供《GaN半桥功率IC和AHB/图腾柱拓扑结构可实现效率高达95.5%的240W、150cc PD3.1解决方案.pdf》资料免费下载
2025-01-22 14:46:08
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我想问下TLC5510的模拟电源和数字电源需要隔开吗?我参考TLC5510数据手册上的典型应用,设计了一个电路,将一个1.8V左右 300KHZ的模拟信号转化为数字信号,但是没有实现,测量
2025-01-14 08:06:59
电子发烧友网站提供《AN126-用于稳压器的2线虚拟遥感-千里眼与遥感相结合.pdf》资料免费下载
2025-01-12 10:04:44
0 器件实现安全可靠的操作。特征:频率范围从0.02到18.0 GHz(倍频程/多倍频程)高至100w的输出功率(@Psat单偏压电源紧凑型薄膜和封装架构经济实用应用:通用性高功率实验室射频源。检测设备中
2025-01-08 09:31:22
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