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电子发烧友网>今日头条>数字电源与 GaN 相结合可实现 99% 的效率

数字电源与 GaN 相结合可实现 99% 的效率

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快充电源芯片U8733L的简单介绍

一些集成GaN FET的芯片能够根据输入电压和负载的变化自动调整工作模式,这种自适应调整可以使芯片在不同的工作条件下都能实现恒功率输出,同时保持较高的效率。深圳银联宝科技推出的集成GaN FET带恒功率快充电源芯片U8733L,可以在充电器使用过程中,根据设备的需求提供合适的功率,提高充电效率
2025-03-19 15:03:181009

突破雷达性能极限:GaN 功率放大器解决方案助力远程探测

中的优势,其效率高达 56%,比传统工艺降低 40% 热损耗,实现更小体积、更高功率密度。脉冲衰减解决方案 :热管理策略 :结合实验数据,揭示自热效应对脉冲衰减的影响,提供散热片 / 冷板设计指南
2025-03-18 15:36:531179

氮化镓(GaN)功率IC在电机逆变器中的应用: 优势、实际应用案例、设计考量

:Driving-Electric-Motors-with-GaN-Power-ICs.pdf 挑战与变革 :使用GaN功率IC的电机逆变器降低系统成本,如去除散热器、提高集成度、实现自动化装配,同时提升效率、降低能耗、改善产品评级。但传统硅开关解决方案在行业内更为人熟知,且部分应用对高功率密度需求不高。 电机逆变器中的关键优势 性能卓越 :开关损耗极低,
2025-03-12 18:47:172084

氮化镓(GaN)充电头安规问题及解决方案

器件的性能,使充电头在体积、效率、功率密度等方面实现突破,成为快充技术的核心载体。氮化镓充电头的核心优势:1.体积更小,功率密度更高材料特性:GaN的电子迁移率比硅
2025-02-27 07:20:334534

罗姆EcoGaN产品GaN HEMT被村田AI服务器电源采用

Power Solutions的AI(人工智能)服务器电源采用。罗姆的GaN HEMT具有低损耗工作和高速开关性能,助力Murata Power Solutions的AI服务器5.5kW输出电源单元实现小型化和高效率工作。预计该电源单元将于2025年开始量产。
2025-02-26 15:41:251002

PMP21842 采用 HV GaN FET 的 12V/500W谐振转换器参考设计

此高频谐振转换器参考设计使用谐振频率为 500kHz 的谐振电路,在 380V 至 400V 输入电压范围内调节 12V 输出。使用我们的高压 GaN 器件以及 UCD3138A 和 UCD7138 来优化死区时间和同步整流器 (SR) 导通,此设计实现了 96.0% 的峰值效率(包括偏置电源)。
2025-02-25 18:13:33846

PMP20873 效率99%的1kW基于GaN的CCM图腾柱功率因数校正 (PFC) 转换器参考设计

连续导通模式 (CCM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 是一种简单但高效的功率转换器。为了达到 99% 的效率,需要考虑许多设计细节。PMP20873 参考设计使用 TI 的 600VGaN 功率
2025-02-25 16:01:25963

PMP22538 60W GaN PFC反激式参考设计

此参考设计使用UCC28811功率因数校正 (PFC) 反激式控制器来创建隔离式 60V 输出,该输出能够承受 1A 负载,同时保持较低的输入谐波失真。使用 LMG3411R150 GaN 初级开关的高效率实现紧凑的尺寸和运行期间的低温升。
2025-02-25 15:21:51682

技术资料#LMG3422R030 具有集成驱动器、保护和温度报告的 600V 30mΩ GaN FET

LMG342xR030 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提升到新的水平。 LMG342xR030 集成了一个硅驱动器,实现高达
2025-02-25 14:07:161148

技术资料#LMG3425R030 具有集成驱动器、保护、温度报告和理想二极管模式的 600V 30mΩ GaN FET

LMG3425R030 GaN FET 集成了驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提高到新的水平。 LMG3425R030 集成了一个硅驱动器,实现高达
2025-02-25 13:51:37683

技术资料#LMG3526R030 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的650V 30mΩ GaN FET

LMG352xR030 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提升到新的水平。 LMG352xR030 集成了一个硅驱动器,实现高达
2025-02-24 14:42:19860

技术资料#LMG3522R030-Q1 具有集成驱动器、保护和温度报告的汽车类650V 30mΩ GaN FET

LMG3522R030-Q1 集成了一个硅驱动器,实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比,TI 的集成精密栅极偏置实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装相结合
2025-02-24 13:47:551041

技术资料#LMG3526R050 具有集成驱动器、保护和零电压检测报告的 650V 50mΩ GaN FET

LMG352xR050 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提高到新的水平。 LMG352xR050 集成了一个硅驱动器,实现高达
2025-02-24 13:32:11727

技术资料#LMG3522R050 具有集成驱动器、保护和温度报告的 650V 50mΩ GaN FET

LMG352xR050 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提高到新的水平。 LMG352xR050 集成了一个硅驱动器,实现高达
2025-02-24 11:24:001032

技术资料#LMG3426R050 600V 50mΩ GaN FET,集成驱动器、保护和零电压检测

LMG342xR050 集成了一个硅驱动器,实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比,TI 的集成精密栅极偏置实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装相结合
2025-02-24 09:55:24940

CERNEX窄带高功率放大器(GaN

高功率放大器采用坚固的带状线电路架构,并精选GaN器件,确保了卓越的操作可靠性。凭借高功率、高效率、高频率覆盖及宽带性能,CNP GaN系列窄带高功率放大器已成为现代射频系统的关键组件,广泛应用
2025-02-21 10:39:06

PMP23340C2K 采用C2000™ MCU且支持GaN的48V至12V 1.1kW 1/8 砖型电源模块参考设计

此参考设计展示了高性能 GaN 如何为中间总线转换器实现效率和小外形尺寸。 *附件:PMP23340C2K 采用C2000™ MCU且支持GaN的48V至12V 1.1kW 18 砖型电源
2025-02-21 10:20:05705

TI DRV7308具有保护和电流检测功能的650V、205mΩ三相集成式 GaN 智能电源模块 (IPM)技术文档

驱动应用实现 99% 以上的效率,无需散热器。该器件有助于实现超静音运行和超短的死区时间。使用具有自举电流限制功能的集成自举整流器,无需使用外部自举二极管。
2025-02-20 18:24:211136

TI DRV7308 具有保护和电流检测功能的650V、205mΩ三相集成式 GaN 智能电源模块 (IPM)

驱动应用实现 99% 以上的效率,无需散热器。该器件有助于实现超静音运行和超短的死区时间。使用具有自举电流限制功能的集成自举整流器,无需使用外部自举二极管。
2025-02-20 17:54:54947

目前GaN正逐渐广泛应用的四个主要中电压领域

作用。 *附件:中电压氮化镓(GaN)在四种应用领域的优势.pdf 背景 :随着技术发展,电力需求攀升,设计人员面临提升设计效率、在相同体积下提供更多电力的挑战。GaN 因具有增加功率密度和提升效率两大优势,在高电压电源设计中得到应用,新的中电压(80V - 200V)GaN 解决方案也逐渐受到欢迎
2025-02-14 14:12:441222

如何通过直流负载箱优化电源测试效率

以下是通过直流负载箱优化电源测试效率的方法: 精准模拟负载 多样化负载模拟:直流负载箱模拟电阻、电感、电容等不同类型的负载,能根据实际应用场景需求,灵活调整参数,精确模拟各种复杂的负载情况。例如
2025-02-13 13:45:31

GaN技术:颠覆传统硅基,引领科技新纪元

在开关模式电源中使用 GaN 开关是一种相对较新的技术。这种技术有望提供更高效率、更高功率密度的电源。本文讨论了该技术的准备情况,提到了所面临的挑战,并展望了 GaN 作为硅的替代方案在开关模式电源
2025-02-11 13:44:551177

本土Tier1推出GaN OBC:单级拓扑、6.1kW/L功率密度、98%峰值效率

电子发烧友网报道(文/梁浩斌)近期GaN在OBC上的应用方案开始陆续推出市场, 在一 月初,阳光电动力推出了一款全新的二合一OBC方案,采用GaN器件以及单级拓扑架构,实现了超高功率密度和高充电效率
2025-02-05 07:55:0011358

新一代GaN器件,满足AI服务器电源需求

电子发烧友网站提供《新一代GaN器件,满足AI服务器电源需求.pdf》资料免费下载
2025-01-24 13:56:420

GaN半桥功率IC和AHB/图腾柱拓扑结构实现效率高达95.5%的240W、150cc PD3.1解决方案

电子发烧友网站提供《GaN半桥功率IC和AHB/图腾柱拓扑结构实现效率高达95.5%的240W、150cc PD3.1解决方案.pdf》资料免费下载
2025-01-22 14:46:0834

TLC5510的模拟电源数字电源需要隔开吗?

我想问下TLC5510的模拟电源数字电源需要隔开吗?我参考TLC5510数据手册上的典型应用,设计了一个电路,将一个1.8V左右 300KHZ的模拟信号转化为数字信号,但是没有实现,测量
2025-01-14 08:06:59

AN126-用于稳压器的2线虚拟遥感-千里眼与遥感相结合

电子发烧友网站提供《AN126-用于稳压器的2线虚拟遥感-千里眼与遥感相结合.pdf》资料免费下载
2025-01-12 10:04:440

CERNEX宽带高功率放大器(GaN

器件实现安全可靠的操作。特征:频率范围从0.02到18.0 GHz(倍频程/多倍频程)高至100w的输出功率(@Psat单偏压电源紧凑型薄膜和封装架构经济实用应用:通用性高功率实验室射频源。检测设备中
2025-01-08 09:31:22

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