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芯干线GaN器件在电源系统的应用优势

芯干线科技 来源:芯干线科技 2025-10-21 14:56 次阅读
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自从氮化镓(GaN)器件问世以来,凭借其相较于传统硅基半导体的多项关键优势,GaN 被广泛认为是快速充电与工业电源应用领域中的变革性技术。

首先,GaN器件可实现更紧凑的电源系统,单位体积可传输更多功率。GaN器件的工作频率远高于传统硅器件。典型 GaN 器件允许变换器在数十兆赫(MHz)频率下工作,从而显著减小电感器、变压器和电容器等无源元件的尺寸。这使得整个功率转换系统体积更小、重量更轻、成本更低。

对于空间受限和预算紧张的应用场景,如航空航天、机械臂、无人机及边缘通信等行业,小巧轻便的电源系统尤为理想。使用GaN器件的5G基站电源可实现更高的能效与更小的占用空间,这对热管理严格、设备密集的通信系统至关重要。

其次,GaN器件相较于传统硅器件具有更低的功耗。GaN器件具备天然的高速开关能力, 同时具有极低的导通电阻和寄生电容,这使其导通损耗和开关损耗都大幅降低。由于损耗减少,GaN器件显著提高了电源转换效率。同时,更高的效率意味着更少的热量浪费,从而降低了对大型散热器或冷却系统的需求。在许多应用中,甚至可以实现自然冷却。

第三,GaN器件的快速开关与低损耗特性使其可实现更快的功率传输,这对电动车、工业机器人和大功率叉车等高功率电池充电系统至关重要。现代直流电动车快充器使用GaN器件,已是大多数品牌的首选,既能实现高效率,又具备紧凑的外形设计,非常适用于路边和停车场等安装空间有限的场景。

第四,GaN 器件在严苛工况下更具鲁棒性。其可在高温、高压环境中稳定运行,有助于延长转换器寿命,减少维修与更换频率。相比之下,传统硅器件在工业恶劣环境下容易失效。

第五,GaN 器件适用于更广泛的电压范围。它们在低压至高压(从消费级快充器到600V以上的工业电源)应用中均可高效运行,具备极强的适应性。便携消费类产品同样能从GaN技术中获益。基于 GaN 的手机及笔记本电脑充电器不仅充电速度更快,尺寸也更小,便于用 户携带,极大提升了日常使用的便利性。

下表为 GaN 与硅器件在实际应用中的综合对比:

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芯干线公司已开发出适用于宽电压范围的GaN器件,包括GaN HEMT和GaN模块 ,可供客户灵活选择。

客户可根据电压、电流等级、导通电阻及封装尺寸等参数选择合适的GaN器件。由于集成了GaN HEMT与栅极驱动器,芯干线公司的GaN HEMT(如下图X3G65045ATL和X3G6509B8)为工程师提供了高效且易于设计的解决方案。

芯干线公司还开发了适用于不同功率等级的快充评估板。无论是240W的消费级笔记本电脑快充器,还是3000W的工业服务器电源快充器,这些评估板都让客户能够体验基于GaN的快充方案。

例如,XGX-500W-48V10A评估板实现了惊人的1.5625W/cm³功率密度,效率超过95%,适用于PD快充及机器人快充等场景。

GaN器件堪称变革性技术,它将速度、效率与紧凑设计融为一体。这些关键特性极大推动了现代工业电源系统的规模化应用。GaN技术直接回应了当今快充基础设施与高性能工业场景的迫切需求,而传统硅器件已难以满足这些需求。

关于芯干线

芯干线科技是一家由功率半导体资深海归博士、电源行业市场精英和一群有创业梦想的年轻专业人士所创建宽禁带功率器件原厂。2022年被评为规模以上企业,2023年国家级科技型中小企业、国家级高新技术企业,通过了ISO9001生产质量管理体系认证。在2024年通过了IATF16949汽车级零部件生产质量管理体系认证。

公司自成立以来,深耕于功率半导体GaN HEMT、SiC MOS & SBD、Si MOS & IGBT、IGBT 和 SiC Module等功率器件及模块的研发和销售。产品被广泛应用于海洋电子、移动出行、电动工具、低空飞行、消费电子Ai算力等能源电力转换与应用领域。

公司总部位于南京,分公司遍布深圳、苏州、江苏等国内多地,并延伸至北美与台湾地区,业务版图不断拓展中。

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原文标题:电源系统 “瘦身” 秘籍:GaN器件让功率密度飙升,芯干线GaN器件可灵活选择

文章出处:【微信号:Xinkansen,微信公众号:芯干线科技】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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