E-GaN电源芯片U8722BAS的特点

全电压电源支持AC85-265V宽幅电压，可覆盖绝对大部分国家和地区的电网标准，避免因电压不匹配导致设备损坏或无法使用的问题。且适用于各类电子设备，尤其适合出口产品或跨区域使用的场景，提升产品适用范围。今天推荐的E-GaN电源芯片U8722BAS+同步整流芯片U7612B，就是一款高效低耗的全电压电源应用方案，体验好，成本低！‌

E-GaN电源芯片U8722BAS特点：

● 集成高压E-GaN

● 集成高压启动功能

● 超低启动和工作电流，待机功耗<30mW

● 谷底锁定模式，最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz)

● 集成EMI优化技术

● 驱动电流分档配置

● 集成Boost供电电路

● 集成完备的保护功能：

VDD过压/欠压保护(VDD OVP/UVLO)

输出过压保护(OVP)

输入欠压保护(BOP)

片内过热保护(OTP)

逐周期电流限制(OCP)

异常过流保护(AOCP)

短路保护(SCP)

过载保护(OLP)

过流保护（SOCP）

前沿消隐(LEB)

CS管脚开路保护

● 封装类型ASOP7-T4

同步整流芯片U7612B特点：

● 内置60V MOSFET

● 支持DCM、QR和CCM工作模式

● 集成高压供电电路，无需VDD辅助绕组供电

● 支持宽范围输出电压应用，特别适用于支持QC、PD 等协议的快充领域

● 支持High Side和Low Side配置

● <30ns开通和关断延时

● 智能开通检测功能防止误开通

● 智能过零检测功能

● 启动前Gate智能钳位

● 封装类型SOP-8

同步整流芯片U7612B PCB设计建议：

1) 副边主功率回路Loop1的面积尽可能小。

2) VDD 电容推荐使用1μF的贴片陶瓷电容，尽量紧靠IC，Loop2的面积尽可能小。

3) HV 到Drain建议串联30~200Ω的电阻，推荐典型值100Ω。HV检测点位置对CCM应力有影响，HV检测点离Drain引脚越远，CCM应力越小。High Side配置中，建议HV通过R2电阻连接到输出电容的正端。

4) R1和C1构成同步整流开关的RC吸收电路，RC吸收回路Loop3的面积可能小。

5) Drain 引脚的PCB散热面积尽可能大。

6) SOP-8的封装框架与Drain引脚电位相同，芯片切筋后，框架金属有少量暴露，考虑到绝缘要求，外围元器件应与IC本体保持0.2mm以上的绝缘距离。

深圳银联宝这款E-GaN电源芯片U8722BAS+同步整流芯片U7612B全电压应用方案，无需针对不同电压设计多种电源型号，降低厂商生产及仓储成本，简化供应链管理，可使收益最大化，推荐给有需要的小伙伴们！‌