技术资料#LMG3522R050 具有集成驱动器、保护和温度报告的 650V 50mΩ GaN FET

LMG352xR050 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能，针对开关模式电源转换器，使设计人员能够将功率密度和效率提高到新的水平。

LMG352xR050 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比，TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和最小的振铃。可调节的栅极驱动强度允许将转换速率控制在 15V/ns 至 150V/ns 之间，可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。LMG3526R050 包括零电压检测 （ZVD） 功能，当实现零电压切换时，该功能可从 ZVD 引脚提供脉冲输出。
*附件：LMG352xR050 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650 V 50 mΩ GaN FET 数据表.pdf

高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出报告，从而简化了器件负载管理。报告的故障包括过流、短路、过热、VDD UVLO 和高阻抗 RDRV 引脚。

特性

• 650V 硅基氮化镓 FET，带集成栅极驱动器
  • 集成高精度栅极偏置电压
  • 200V/ns FET 抑制
  • 3.6MHz 开关频率
  • 15V/ns 至 150V/ns 转换速率，用于优化开关性能和降低 EMI
  • 采用 7.5V 至 18V 电源供电
• 强大的保护
  • 逐周期过流和锁存短路保护，具有 < 100ns 响应
  • 在硬开关时可承受 720V 浪涌
  • 针对内部过热和 UVLO 监控进行自我保护
• 高级电源管理
  • 数字温度 PWM 输出
  • LMG3526R050 包括零电压检测 （ZVD） 功能，便于软开关转换器
• 顶部冷却的 12mm × 12mm VQFN 封装将电气和热路径分开，以实现最低功率环路电感

参数

方框图

应用
•开关模式功率转换器
•商户网络和服务器PSU
•商业电信整流器
•太阳能逆变器和工业电机驱动器
•不间断电源