Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。LMG3526R050集成了一个硅驱动器，可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成特性与TI的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供超小的振铃和干净的开关。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在15V/ns至150V/ns之间。这可用于主动控制EMI并优化开关性能。

数据手册：*附件：Texas Instruments LMG3526R050 650 V GaN FET数据手册.pdf

高级功能包括数字温度报告、故障检测和零电压检测 (ZVD)。GaN FET的温度通过可变占空比PWM输出报告。报告的故障包括过热、过流和UVLO监测。ZVD功能可在实现零电压开关（ZVS）时，从ZVD引脚提供脉冲输出。

特性

带集成栅极驱动器的650V硅上氮化镓场效应晶体管 (FET)
- 集成高精度栅极偏置电压
- 200V/ns FET释抑
- 3.6MHz开关频率
- 15V/ns到150V/ns转换速率，用于优化开关性能和缓解EMI
- 在7.5V至18V电源下工作
高级电源管理
- 数字温度PWM输出
有助于实现软开关转换器的零电压检测功能
强大的保护功能
- 响应时间少于100ns的逐周期过流和锁存短路保护
- 硬开关时可承受720 V浪涌
- 针对内部过热和UVLO监控的自我保护
顶部冷却12mm × 12mm VQFN封装将电气路径和热路径分开，以实现最低的功率环路电感

简化框图

德州仪器LMG3526R050 650V GaN FET集成驱动技术深度解析

核心技术解析

1. 直接驱动GaN架构

相比传统cascode结构，LMG352xR050采用创新的直接驱动技术：

‌双路径设计‌：通过内部buck-boost转换器产生-14V负压直接关断GaN器件
‌性能优势‌：
- 降低GaN栅源电荷(QGS)约30%
- 消除Si MOSFET雪崩风险
- 实现15-150V/ns可调开关速率
‌动态控制‌：通过RDRV引脚电阻(1-500kΩ)精确调节开关速率

2. 先进保护机制

‌三重保护系统‌确保器件可靠性：

‌ 过流保护(OCP) ‌：
- 阈值：45-65A(可调)
- 响应时间：<170ns
- 周期循环模式防止过热
‌ 短路保护(SCP) ‌：
- 双重触发机制(di/dt >150A/µs或I>65-95A)
- <100ns极速响应
- 自动进入慢关断模式降低电压应力
‌温度保护‌：
- GaN过热保护：175℃触发(30℃迟滞)
- 驱动器过热保护：185℃触发(20℃迟滞)
- 数字温度报告：9kHz PWM输出(占空比对应结温)

3. 零电压检测功能(LMG3526R050专属)

‌ZVD引脚‌实现智能软开关控制：

检测窗口：42-56ns第三象限导通时间
输出脉冲：75-140ns宽度
应用价值：
- 简化LLC谐振变换器设计
- 优化TCM图腾柱PFC效率
- 实时反馈ZVS状态

关键性能参数

参数	LMG3522R050	LMG3526R050	单位
导通电阻@25℃	43	43	mΩ
最大开关频率	3.6	3.6	MHz
开关速率范围	15-150	15-150	V/ns
输出电荷(QOSS)	100	100	nC
反向恢复电荷(QRR)	0	0	nC
工作结温范围	-40~125	-40~125	℃