PULSAR生产制造由 TTL 逻辑功能的 pin 二极管射频开关。这种设置称之为单刀单掷,一般简称为 SPST 或 SP1T。SP1T引脚二极管开关致力于在 50 Ω系统中使用需求设计,频率范围
2024-02-05 11:01:57
下的电流是由电荷载流子产生的。这种类型的电荷载流子产生过程会进一步增加正向和反向偏置条件下的电流。PN结二极管中的电流取决于整个PN结二极管结构中的电荷载流子密度、电场以及P型和N型的准费米级能量
2024-01-25 18:01:01
光电二极管接到ADL5304,光电二极管偏置需要10V,是否必须双电源供电?
2023-11-24 07:50:26
TOLL Schottky SKY 肖特基二极管,大电流应用时的应用注意事项!
48V PD3.1选用肖特基做240W,480W PD电源,48V 10A的注意事项Motive TMBS TOLL封装肖特基绍 V1.2_页面_3.jpg
2023-11-22 10:39:26
LLC电源 输出次级侧使用肖特基二极管产品整流
LLC次级侧使用肖特基二极管产品,灌胶电源有优秀的散热效果
2023-11-20 21:36:35
AD210芯片的16、17、19 这3个PIN,内部有二极管的钳位保护吗? 即:对正15V电源的二极管,对-15V电源的二极管;是否存在?
外部电路应该怎么对管脚进一步保护呢?
2023-11-13 06:53:50
TVS二极管与Zener二极管同样作为过压保护, TVS着重浪涌电压的钳位保护,具有抗大电流冲击的能力;Zener管着重于稳压效果,具有浪涌电流小,保护电压稳的特点,两者在原理与保护特性有所区别
2023-10-20 10:10:21
TVS二极管与Zener二极管同样作为过压保护, TVS着重浪涌电压的钳位保护,具有抗大电流冲击的能力;Zener管着重于稳压效果,具有浪涌电流小,保护电压稳的特点,两者在原理与保护特性有所区别
2023-10-20 10:07:05
BAT54CQ 产品简介DIODES 的BAT54CQ这款采用 SOT23 封装的 200mA 表面贴装肖特基势垒二极管,提供低导通电压和快速开关能力,设计有用于瞬态和 ESD 保护
2023-10-19 12:43:45
BAT54AQ 产品简介DIODES 的BAT54AQ这款采用 SOT23 封装的 200mA 表面贴装肖特基势垒二极管,提供低导通电压和快速开关能力,设计有用于瞬态和 ESD 保护
2023-10-19 12:39:54
BAS40WQ 产品简介DIODES 的BAS40WQ这是一款采用 SOT323 封装的 200mA 表面贴装肖特基势垒二极管。它提供低正向压降和快速开关功能,设计有用于瞬态
2023-10-19 11:52:02
BAS40-06Q-13-F 产品简介DIODES 的BAS40-06Q-13-F这款200mA表面贴装肖特基势垒二极管(标准)封装提供低正向电压降和快速切换能力,采用PN结保护环
2023-10-19 11:44:26
BAS40-05Q-13-F 产品简介DIODES 的BAS40-05Q-13-F这款200mA表面贴装肖特基势垒二极管(标准)封装提供低正向电压降和快速切换能力,采用PN结保护环
2023-10-19 11:40:43
BAS40-04Q-13-F产品简介DIODES 的BAS40-04Q-13-F这款200mA表面贴装肖特基势垒二极管(标准)封装提供低正向电压降和快速切换能力,采用PN结保护环设计,用于瞬态
2023-10-19 11:34:56
稳压二极管并联使用,有什么问题
2023-10-17 07:18:20
SS10100肖特基二极管原厂直销,欢迎咨询洽谈订购!产品类型:肖特基势垒二极管封装形式:SMC(DO-214AB)反向电压(最大值):100V正向电流(最大值):10A压降(VF):0.95V工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)
2023-10-11 10:55:48
SS510肖特基二极管原厂直销,欢迎咨询洽谈订购!产品类型:肖特基势垒二极管封装形式:SMC(DO-214AB)反向电压(最大值):100V正向电流(最大值):5A压降(VF):0.95V工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)
2023-10-11 10:54:03
SS310肖特基二极管原厂直销,欢迎咨询洽谈订购!产品类型:肖特基势垒二极管封装形式:SMC(DO-214AB)反向电压(最大值):100V正向电流(最大值):3A压降(VF):0.85V工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)
2023-10-11 10:51:44
SS56肖特基二极管原厂直销,欢迎咨询洽谈订购!产品类型:肖特基势垒二极管封装形式:SMC(DO-214AB)反向电压(最大值):60V正向电流(最大值):5A压降(VF):0.7V工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)
2023-10-11 10:48:16
SS36肖特基二极管原厂直销,欢迎咨询洽谈订购!产品类型:肖特基势垒二极管封装形式:SMC(DO-214AB)反向电压(最大值):60V正向电流(最大值):3A压降(VF):0.7V工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)
2023-10-11 10:45:48
二极管是单向导通,那么反向恢复时间是什么,需要怎么测试
2023-09-27 07:51:57
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2023-09-16 15:12:20
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2023-09-16 15:10:15
SS510肖特基二极管原厂直销,欢迎咨询洽谈订购!产品类型:肖特基势垒二极管封装形式:SMB(DO-214AA)反向电压(最大值):100V正向电流(最大值):5A压降(VF):0.85V工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)
2023-09-14 16:51:34
SS54肖特基二极管原厂直销,欢迎咨询洽谈订购!产品类型:肖特基势垒二极管封装形式:SMB(DO-214AA)反向电压(最大值):40V正向电流(最大值):5A压降(VF):0.55V工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)
2023-09-14 11:14:26
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2023-09-14 10:53:36
SS24肖特基二极管原厂直销,欢迎咨询洽谈订购!产品类型:肖特基势垒二极管封装形式:SMB(DO-214AA)反向电压(最大值):40V正向电流(最大值):2A压降(VF):0.55V工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)
2023-09-14 10:48:51
MOSFET 可为通用输入交流应用提供足够的电压裕量。
变压器T1的次级由D6整流,并由C6和C7滤波。选择肖特基势垒型二极管以获得更高的效率。
变压器T1必须是TF-1613型,由树林企业制造,也可以使用以下信息进行设计。
2023-09-11 17:03:03
SS520肖特基二极管原厂直销,欢迎咨询洽谈订购!产品类型:肖特基势垒二极管封装形式:SMA(DO-214AC)反向电压(最大值):200V正向电流(最大值):5A压降(VF):0.95V工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)
2023-09-11 11:54:03
SS320肖特基二极管原厂直销,欢迎咨询洽谈订购!产品类型:肖特基势垒二极管封装形式:SMA(DO-214AC)反向电压(最大值):200V正向电流(最大值):3A压降(VF):0.95V工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)
2023-09-11 11:48:16
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2023-09-11 11:44:55
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2023-09-11 11:42:46
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2023-09-11 11:40:03
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2023-09-11 11:29:21
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2023-09-11 11:25:53
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2023-09-11 11:22:03
SS210肖特基二极管原厂直销,欢迎咨询洽谈订购!产品类型:肖特基势垒二极管封装形式:SMA(DO-214AC)反向电压(最大值):100V正向电流(最大值):2A压降(VF):0.85V工作温度:-55°C~+150°C
2023-09-09 15:58:17
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2023-09-09 15:55:29
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2023-09-09 15:51:33
SS14肖特基二极管原厂直销,欢迎咨询洽谈订购!产品类型:肖特基势垒二极管封装形式:SMA(DO-214AC)反向电压(最大值):60V正向电流(最大值):5A压降(VF):0.7V工作温度:-55°C~+150°C
2023-09-09 15:05:50
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2023-09-09 14:36:56
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2023-09-09 14:34:23
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2023-09-09 14:23:54
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2023-09-09 14:12:37
SS14肖特基二极管原厂直销,欢迎咨询洽谈订购!产品类型:肖特基势垒二极管封装形式:SMA(DO-214AC)反向电压(最大值):40V正向电流(最大值):2A压降(VF):0.55V工作温度:-55°C~+150°C
2023-09-09 14:01:21
SS14肖特基二极管原厂直销,欢迎咨询洽谈订购!产品类型:肖特基势垒二极管封装形式:SMA(DO-214AC)反向电压(最大值):40V正向电流(最大值):1A压降(VF):0.55V工作温度:-55°C~+150°C
2023-09-09 13:58:14
二极管的电流方向是从正极流向负极。
就是从二极管PN结的P区流向N区,在电路图中,二极管“三角形”所指示的方向就是它的正向电流方向。发光二极管的电流方向与电路的电流方向是一致的。并不矛盾
2023-09-06 17:37:23
新手求问,单片机的引脚为什么要接二极管再接5v
2023-08-21 07:05:03
1700 V、50 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二极管采用无封装裸芯片格式的第六代高电压、高性能 Z-Rec© 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管,可实施到任何定制模块设计中较低的正向电压、较小
2023-07-31 10:26:57
1700 V、25 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二极管采用无封装裸芯片格式的第六代高电压、高性能 Z-Rec© 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管,可实施到任何定制模块设计中较低的正向电压、较小
2023-07-31 10:23:31
1700 V、10 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二极管采用无封装裸芯片格式的第六代高电压、高性能 Z-Rec© 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管,可实施到任何定制模块设计中较低的正向电压、较小
2023-07-31 10:21:42
1700 V、5 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二极管采用无封装裸芯片格式的第六代高电压、高性能 Z-Rec© 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管,可实施到任何定制模块设计中较低的正向电压、较小
2023-07-31 10:19:45
1200 V、50 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 Gen 6 系列高电压、高性能 Z-Rec ©碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用无封装裸芯片格式,可
2023-07-31 10:15:57
标准肖特基势垒二极管更加坚固可靠。一起购买时,将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。 特
2023-07-25 10:50:38
标准肖特基势垒二极管更加坚固可靠。一起购买时,将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。 &
2023-07-25 10:46:45
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2023-07-25 10:39:12
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2023-07-25 10:29:01
标准肖特基势垒二极管更加坚固可靠。一起购买时,将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。 特征
2023-07-25 10:24:29
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2023-07-25 10:21:52
标准肖特基势垒二极管更加坚固可靠。一起购买时,将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。 特征
2023-07-25 10:17:04
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2023-07-25 10:14:55
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2023-07-25 10:12:16
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2023-07-25 10:09:36
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2023-07-25 10:07:08
标准肖特基势垒二极管更加坚固可靠。一起购买时,将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。 特征
2023-07-25 09:51:09
标准肖特基势垒二极管更加坚固可靠。一起购买时,将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。 特征
2023-07-25 09:21:52
标准肖特基势垒二极管更加坚固可靠。一起购买时,将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。 特征
2023-07-24 17:45:09
标准肖特基势垒二极管更加坚固可靠。一起购买时,将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。 &n
2023-07-24 17:42:41
标准肖特基势垒二极管更加坚固可靠。一起购买时,将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。 特
2023-07-24 17:37:00
标准肖特基势垒二极管更加坚固可靠。一起购买时,将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。 特征
2023-07-24 17:32:22
)设计,比标准肖特基势垒二极管更加坚固可靠。一起购买时,将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。&n
2023-07-24 17:29:42
点击“东芝半导体”,马上加入我们哦! 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布, 推出最新一代 [1] 用于工业设备的碳化硅 ( SiC ) 肖特基势垒二极管 ( SBD
2023-07-13 17:40:02184 圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27521 PDS560 产品简介DIODES 的 PDS560 这种肖特基势垒整流器的设计满足汽车应用的严格要求。它非常适合用作:极性保护二极管再循环二极管开关二极管 产品规格 
2023-06-21 10:15:38
PDS5100H 产品简介DIODES 的 PDS5100H 这种肖特基势垒整流器的设计满足汽车应用的严格要求。它非常适合用作:极性保护二极管再循环二极管开关二极管 产品规格
2023-06-21 10:00:27
PDS4150 产品简介DIODES 的 PDS4150 这种肖特基势垒整流器的设计满足汽车应用的严格要求。它非常适合用作:极性保护二极管再循环二极管开关二极管 产品规格
2023-06-21 09:53:17
PDS340Q 产品简介DIODES 的 PDS340Q 这种肖特基势垒整流器的设计满足汽车应用的严格要求。它非常适合用作:极性保护二极管再循环二极管开关二极管 产品规格
2023-06-21 09:45:42
PDS3100Q 产品简介DIODES 的 PDS3100Q 这种肖特基势垒整流器的设计满足汽车应用的严格要求。它非常适合用作:极性保护二极管再循环二极管开关二极管 产品规格
2023-06-21 09:36:57
PD3S230HQ 产品简介DIODES 的 PD3S230HQ 这种肖特基势垒整流器的设计满足汽车应用的严格要求。它非常适合用作:极性保护二极管再循环二极管开关二极管
2023-06-20 16:38:16
PD3S140Q 产品简介DIODES 的 PD3S140Q 这种肖特基势垒整流器的设计满足汽车应用的严格要求。它非常适合用作:极性保护二极管再循环二极管开关二极管 
2023-06-20 16:29:06
PD3S140 产品简介DIODES 的 PD3S140 这种肖特基势垒整流器的设计满足汽车应用的严格要求。它非常适合用作:极性保护二极管再循环二极管开关二极管 
2023-06-20 14:18:33
PD3S130LQ 产品简介DIODES 的 PD3S130LQ 这种肖特基势垒整流器的设计满足汽车应用的严格要求。它非常适合用作:极性保护二极管再循环二极管开关二极管
2023-06-20 14:12:27
PD3S130HQ 产品简介DIODES 的 PD3S130HQ 这种肖特基势垒整流器的设计满足汽车应用的严格要求。它非常适合用作:极性保护二极管再循环二极管开关二极管
2023-06-20 14:05:08
PD3S130H产品简介DIODES 的 PD3S130H 这种肖特基势垒整流器的设计满足汽车应用的严格要求。它非常适合用作:极性保护二极管再循环二极管开关二极管 产品规格
2023-06-20 13:49:26
SiC JBS二极管提供卓越的功能,包括但不限于高温操作,高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC肖特基二极管相比,GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二极管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管,设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子
2023-06-16 06:15:24
嗨,
任何人都可以帮助我。NodeMCU 上的二极管是什么值?
2023-05-31 06:18:38
做反激60W次级整流用二极管,Vds尖峰还不到10V用同步整流的话MOS的Vds将近50V,请大神赐教,为什么?怎么解?
2023-05-29 18:32:37
、高速数字电路、射频电路等领域。相比于普通的 pn 结二极管,肖特基二极管的 pn 结由金属与半导体材料直接接触形成,而不是由掺杂半导体 。其工作原理为,当肖特基二极管正向偏置时,电子从金属侧进入半导体中
2023-05-23 14:47:57
在二极管电路中被钳位是什么意思?什么时候会出现被钳位呢?
2023-05-05 09:52:03
二极管单向导电是指电流只能从二极管一端流出吗?单向导电的用途是什么呢?
2023-05-05 09:49:20
正向整流二极管和反向整流二极管作用是否一样呢?
2023-05-05 09:46:10
系数两者电压上升的组合。VC、IPP反映瞬变二极管器件的浪涌抑制能力。VC与VBR之比称为箝位因子,一般在1.2~1.4之间。
④电容量C
电容量C是瞬变二极管雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率
2023-04-25 16:58:23
我一直以为二极管的导通是电压电位决定的,但是下面的降压斩波电路我看不懂,当MOS管Q1断开的时候,电感的自感电动势方向是左负右正,电压和电动势方向相反,左正右负,那么从电压角度来说,二极管的阳极是负电位,阴极是正电位,可是二极管竟然能导通续流!为什么呢?
2023-04-24 14:35:17
为什么电流源型逆变器中开关管要反串二极管呢?
2023-04-24 14:10:19
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成格子花纹(check-pattern embedded SBD),以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
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