美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技术的全新1200 V肖特基二极管系列
2012-11-22 14:09:06
1450 碳化硅（SiC）由于其固有的宽带隙和高导热性的材料特性而被广泛用于中高压电力半导体器件的制造中。如今，肖特基二极管，MOSFET和JFET是市场上最受欢迎的SiC功率器件。尤其是SiC肖特基二极管
2021-03-27 12:03:226679 一提到低功耗、大电流、超高速的半导体器件，很多电子爱好者和电子工程师首先想到的是肖特基二极管。但你真的知道怎么使用肖特基二极管吗？与其他二极管相比，肖特基二极管有什么特别的地方？这篇文章我将会为大家解决这些问题，并且详细介绍肖特基二极管。
2023-08-10 15:36:3613645 
1200V级SiC MOSFET是一种能充分发挥SiC优势的器件，广泛应用于工业、汽车等领域。目前，1200V级SiC MOSFET被多家器件厂商定位为主力产品，本文主要介绍三菱电机1200V级SiC MOSFET的技术开发概要。
2024-12-04 10:50:432592 
近日，华润微电子正式发布1200V 和650V 工业级SiC肖特基二极管系列产品，并实现量产。其碳化硅二极管将主打充电桩、太阳能、UPS、通信和服务器电源等应用。该产品的多项关键参数均可与国
2020-07-21 11:16:2014382 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:422572 
极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料，SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点，SiC
2019-10-24 14:25:15
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42:49
逆变器等中高功率领域，可显著的减少电路的损耗，提高电路的工作频率。 关断波形图（650V/10A产品） 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基势垒二极管）。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产，目前正在拓展第二代SiC-SBD，并推动在包括车载
2018-12-04 10:09:17
10倍的绝缘击穿场强,所以不仅能保持实际应用特性且可耐高压。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已经实现量产，1700V产品正在开发中。SiC-SBD和Si-PN结二极管通过Si二极管来应对
2018-11-29 14:35:50
STMicroelectronics的快速碳化硅结构肖特基二极管 STMicroelectronics碳化硅结构肖特基二极管的开关使设计人员可以达到更高的效率和功率密度。ST的650V
2020-06-30 16:26:30
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高温时功率损耗低.高温工作性能（200C）.无恢复损耗的体二极管.驱动方便.低栅极充电（SCT*N65G2V）了解更多信息，请关注英特洲电子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
` 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V
2019-01-08 13:56:57
。Si-SBD的特点是：正向压降PN结二极管的UDF低，仅为后者的1/2～1/3；trr约为10ns数量级；适用于低电压（小于50V）的功率电子电路中（当电路电压高于100V以上时，则要选用PIV高的SBD
2019-01-03 13:36:59
），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（0.5-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。 前者
2016-04-19 14:29:35
肖特基二极管正向导通电压很低，只有0.4V，反向在击穿电压之前不会导通，起到快速反应开关的作用。而稳压二极管正向导通电压跟普通二级管一样约为0.7V，反向状态下在临界电压之前截止，在达到临界电压
2020-09-25 15:38:08
肖特基二极管一种应用电路，这是肖特基二极管在步进电动机驱动电路中的应用。利用肖特基二极管的管压降小、恢复时间短的特点，这样大部分电流就流过外部的肖特基二极管，从而集成电路内部的功耗就小了很多，提高了热稳定性能，也就提高了可靠性。肖特基二极管规格书下载：
2021-04-12 17:25:17
1、肖特基它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管
2021-06-30 16:48:53
肖特基二极管具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，*高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件
2021-11-16 17:02:37
肖特基二极管优点：肖特基二极管具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC
2021-09-09 15:19:01
在不同的电路部分。这是一个追求性能和用户体验，对成本不敏感的行业，是肖特基二极管(同时也是sic功率器件)的第1个民用下游领域，曾经在早期为siC功率器件厂家提供了最初的现金流。由于我国缺乏高端音响制造业
2018-11-14 14:54:30
集成电路Al内部的功耗就小了很多，提高了热稳定性能，也就提高了可靠性。肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流
2021-03-15 14:44:01
和小信号检测二极管。 肖特基二极管是功率整流应用的最佳半导体器件，因为这些器件具有高电流密度和低正向压降，这与普通的PN结器件不同。这些优势有助于降低热量水平，减少设计中包含的散热器数量，并提高电子
2021-10-18 16:45:00
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二极管，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能，零开关损耗，极低反向电流 ，无反向恢复电流 ，低电容电荷， 提高效率，降低解决方案
2021-10-27 15:00:42
SiC JBS二极管提供卓越的功能，包括但不限于高温操作，高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC肖特基二极管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二极管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
阻。尽管普通二极管的“惯性”较大，但是在超过200V的工作电压场合，普通的PIN二极管占主导地位。 源于硅基的肖特基二极管，近年来开发出来新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二极管用于一些效率很关键的电力
2019-01-02 13:57:40
恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下)，工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V)，反向耐压多在1200V以下。从性能
2019-03-11 11:24:39
扩展了其650伏(V) SiC二极管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系统成本。工程师在设计用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车（EV / HEV）充电器、电信电源和数据中心电源等
2018-10-29 08:51:19
0.61V，这样就大大的提升了工作效率，所以低压降肖特基二极管能广泛的应用于有六级能效要求的方案中。另外，低压降肖特基二极管的反向恢复时间可以小到几纳秒，而且它的整流电流可以达到几千安，适用于低电压、大电流的条件下工作。低压降肖特基二极管规格书下载：
2022-01-24 15:00:32
本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管，设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子
2023-06-16 06:15:24
转换器，以及作为续流二极管和极性保护二极管使用。国内大小电流肖特基二极管的主要作用是整流、检波、续流、保护等。赛特微电子所生产研发的小电流肖特基二极管大部分属于贴片系列，体积小、效率高、低损耗、脚位平直
2020-08-28 17:12:29
电场而具有高击穿电压。例如，商用硅肖特基二极管的电压小于300V，而第一个商用SiC肖特基二极管的击穿电压已达到600V。3）碳化硅具有较高的导热性。4）SiC器件可以在更高的温度下工作，而Si器件
2023-02-07 15:59:32
的产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案。公司基础核心产品以碳化硅肖特基二极管为代表，其中650V/3A～100A,1200V/2A～50A和1700V/3300V等系列的碳化硅
2018-03-12 14:55:36
一、肖特基二极管的定义与特点1.什么是肖特基二极管肖特基二极管(肖特基势垒二极管):它是属于一种低功耗、超高速的半导体器件，其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒)。正向导通压降仅0.4V左右。2.
2016-04-19 14:24:47
），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为
2019-06-12 02:34:10
250V左右。对于能够耐受500～600V以上反向电压要求，人们开始使用碳化硅(SiC)制造器件，因为它能够耐受较高的电压。 除此以外的器件参数均相当于或优于硅肖特基二极管。详见表2。 由于SiC器件的成本较高(是同类硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，还没有用它来替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
碳化硅肖特基二极管主要特点及产品系列 基本半导体B1D系列碳化硅肖特基二极管主要技术参数如下： 650V、1200V系列B1D碳化硅肖特基二极管电流范围从2-40A，封装涵盖TO-220，TO-252，TO-263，TO-247及其家族群封装，产品列表见下：原作者：基本半导体
2023-02-28 16:55:45
。 基本半导体自主研发推出了650V、1200V、1700V系列标准封装碳化硅肖特基二极管及1200V碳化硅MOSFET产品，具有极高的工作效率，性能优越达到国际先进水平，可广泛应用于新能源充电桩、光伏逆变器
2023-02-28 16:34:16
的安全裕量。 图1 CoolMOS高压功率MOSFET及其内部体二极管的横截面示意图2. 反向恢复行为新一代CoolMOS™ 650V CFD的反向恢复特性如图2所示。与标准器件相比，新一代
2018-12-03 13:43:55
肖特基二极管,什么是肖特基二极管,肖特基二极管原理
基本原理是：在肖特基二极管,什么是肖特基二极管,肖特基二极管原理金属（例如铅）和半导
2010-02-26 13:38:584312 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 结型肖特基势垒 (JBS) 二极管系列，以满足最新数据中心电源系统要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371526 东芝公司旗下的半导体&存储产品公司今天宣布，该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。
2014-06-09 10:33:26975 
全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild （NASDAQ： FCS） 发布首个1200V碳化硅（SiC）二极管 —— FFSH40120ADN，纳入即将推出的SiC解决方案系列。
2016-03-22 11:12:161717 •正温度系数，易于并联使用•不受温度影响的开关特性•最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
650V 3A 碳化硅肖特基功率二极管
兼容 CSD01060A C3D02060A C3D03060A
2016-06-06 15:09:14
9 •正温度系数，易于并联使用•不受温度影响的开关特性•最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
650V 4A 碳化硅肖特基功率二极管
兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:147 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二极管 TO-220
2016-06-17 15:42:454 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二极管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二极管
产品特性
•
正温度系数，易于并联使用
•不受温度影响的开关特性
•
最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-17 15:42:454 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二极管
正温度系数，易于并联使用•
不受温度影响的开关特性•
最高工作温度175℃
•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-23 17:56:190 中国，北京，2017年5月25日讯 -Littelfuse， Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅（SiC）肖特基二极管，以配合2017年欧洲电力转换与智能运动（PCIM）展的开幕。
2017-05-26 14:43:591503 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结 型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。
2019-06-14 15:39:34123693 
CoolSiC肖特基二极管650V G6系列是英飞凌不断提高技术和流程的结果，让碳化硅肖特基二极管的设计和开发更具价格优势，性能一代更比一代强。因此，G6是英飞凌最具有性价比的CooSiC肖特基二极管的一代，在同等价格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:524926 
碳化硅（SiC）二极管已经进入迅速扩张的太阳能逆变器市场，尤其是在欧洲。Cree的1200V SiC肖特基二极管已开始用来取代DC链升压电路所使用的硅（Si）PiN类设计，而且将很快出现在商用系统的逆变器领域。
2020-10-02 17:21:005342 
现已推出采用TO-2472脚封装的第五代 1200 V CoolSiC肖特基二极管，可轻松替换当前常用的硅二极管。新的封装将爬电距离和电气间隙增至 8.7 mm，能够在严重污染环境中实现非凡安全性
2021-01-11 08:00:003 前言背景： 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管
2021-03-26 16:40:203459 
工业级650V、10A SiC肖特基二极管样品现已开始供货。还将计划推出1200V/6-20A电流范围部件和车规级部件。
2021-11-05 16:18:341116 
肖特基二极管工作原理肖特基二极管的特点肖特基二极管的结构肖特基二极管与普通二极管的区别肖特基二极管的工作状态肖特基二极管和稳压二极管的区别工作原理肖特基二极管是以贵金属（金、银、铝、铂等）为正极，以
2021-11-09 14:51:1120 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:291160 
继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管：下面从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）的结构开始介绍。
2023-02-08 13:43:171454 
SiC碳化硅二极管起步电压为650V，电流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控。碳化硅二极管料号为：KN3D06065F（650V碳化硅二极管，电流6A，贴片
2023-02-21 10:12:244172 
肖特基二极管与瞬态抑制二极管，相信不少电子行业的人都听过这两种元器件，今天，优恩小编整理了以下关于这两种器件产品的概念与特点，一起来看看吧。 二极管 TVS管，称瞬态抑制二极管，也叫做瞬态电压
2023-05-05 10:50:173046 
Vishay 新型第三代 650V SiC 二极管 器件采用 MPS 结构设计 额定电流 4 A~ 40 A 正向压降、电容电荷和反向漏电流低 Vishay 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:021596 
功率晶体管与标准门极驱动器兼容，方便集成到现有系统中。 优秀的性能：具备出色的功率损耗特性，显著降低能量损失，提高系统效率。 无需自由轮二极管：由于650V GaN功率晶体管的特性，无需额外添加自由轮二极管，简化了系统设计。 低开关损耗：采用先进的GaN技术，650V GaN功率晶体管具有较低
2023-06-12 16:38:342034 圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:272049 
功率二极管与肖特基二极管的区别是什么？ 功率二极管和肖特基二极管是两种常见的半导体器件，它们都具有二极管的特性，但在实际应用中，它们的性能差异较大，下面将详细介绍功率二极管和肖特基二极管的区别。 1
2023-08-28 16:41:252343 肖特基二极管的功能 肖特基二极管的作用 肖特基二极管是一种特殊的二极管，也被称为肖特基势垒二极管或热电子二极管。它是由半导体材料制成的，其中具有一个j收集结和一个n导体结。 与普通二极管相比，肖特基
2023-08-28 17:22:3914445 肖特基二极管坏了的表现 判断肖特基二极管好坏 肖特基二极管怎么测量好坏 肖特基二极管是一种特殊的二极管，在半导体器件中拥有广泛的应用。由于其快速响应和低噪声等特性，肖特基二极管在电路设计中被广泛
2023-09-02 10:34:116711 ，例如电力、工业、汽车、电子、通信等。 功率二极管的种类比较繁多，从其结构上我们可以分为PN结二极管、Schottky二极管、肖特基势垒二极管、Gunn二极管、Varactor二极管、PIN二极管等。 PN结二极管是最常见的功率二极管。它与普通的
2023-09-02 11:13:572413 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出 650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V
2023-09-22 09:25:32840 继1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件获AEC-Q101车规级认证后
2023-10-25 18:28:101484 
功率二极管的重要性在现代电子技术和电力电子领域愈发显著。两种主要类型的功率二极管，即PN结二极管和肖特基二极管，都在不同应用中发挥着关键作用，满足了不同领域的需求。随着技术的不断发展，功率二极管仍将继续演化，以适应不断变化的电子市场需求。
2023-11-05 11:30:001401 
电子发烧友网站提供《PSC1065H：DPAK R2P中的650 V、10 A SiC肖特基二极管产品介绍.pdf》资料免费下载
2023-12-19 16:06:240 英飞凌科技股份公司近日发布了全新的650V软特性发射极控制高速二极管EC7。这款二极管采用TO247-2封装，具有2个引脚，不仅增加了安规距离，提高了可靠性，而且适用于多种应用场景。
2024-02-01 10:50:021808 电子发烧友网站提供《STPSC12C065-Y汽车650V功率肖特基碳化硅二极管规格书.pdf》资料免费下载
2024-09-05 11:36:560 SiC二极管，全称SiC碳化硅势垒二极管，也被称为SiC碳化硅肖特基二极管（SiC SBD），是碳化硅（SiC）功率器件的一种，属于第三代半导体材料的应用范畴。SiC作为一种宽禁带半导体材料，相比
2024-09-10 14:55:023943 为了满足高效、大功率变换系统应用需要，瞻芯电子开发了4款1200V 60A SiC肖特基二极管(SBD)产品，其中TO247-2封装器件产品IV2D12060T2Z满足车规级可靠性标准
2024-12-02 09:07:342155 
P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 252 - 2 封装，符合 AEC - Q101标准，具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压具有正温度
2025-02-25 14:18:58844 
P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 263 - 2 封装，符合 AEC - Q101 标准，无卤且符合RoHS标准。产品具备超快速开关、零反向恢复
2025-02-25 15:44:15792 
P3D06002T2 是一款耐压 650V 的 SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220 - 2 封装，符合 AEC - Q101、RoHS标准，无卤。具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频
2025-02-25 16:01:30888 
P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO-220-2 封装，符合 AEC-Q101 标准，具备超快速开关、零反向恢复电流、高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流
2025-02-25 17:03:23871 
P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 263 - 2 封装，符合 AEC - Q101标准，具备超快速开关、零反向恢复电流、高频操作、正向电压正温度系数、高
2025-02-25 17:44:07773 
P6D06004T2 为 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220 - 2封装。具有超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流、100% 经过 UIS
2025-02-25 18:13:42813 
P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220 - 2 封装，符合 AEC - Q101 标准和 RoHS标准。具备超快速开关、零反向恢复电流、高频操作、正向
2025-02-26 16:54:52783 
P3D06006I2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220I - 2 封装，符合 AEC - Q101 标准和 RoHS标准。具有超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作
2025-02-26 17:07:13727 
P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220F - 2 封装，符合 AEC - Q101 和 RoHS标准。具有超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作
2025-02-26 17:25:48806 
P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 263 - 2 封装，符合 AEC - Q101 标准和RoHS标准。封装形式为 TO - 263 - 2。具备超快速
2025-02-26 17:40:46774 
P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 252 - 2 封装，符合 AEC - Q101 标准和RoHS标准。封装形式为 TO - 252 - 2。具备超快速
2025-02-26 18:01:16854 
40 A至240 A双二极管和单相桥式器件正向压降低至1.36 V，QC仅为56 nC 威世科技宣布，推出16款采用工业标准SOT-227封装的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基
2025-02-27 12:49:35763 
P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220 - 2 封装，符合 AEC - Q101 标准和 RoHS标准。封装形式为 TO - 220 - 2，具备超快速
2025-02-27 17:11:28678 
/DC转换器等，满足多种电子设备的电源转换需求。 *附件：SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 符合 AEC-Q101 标准 超快开关速度
2025-02-27 17:32:44805 
P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220F - 2 封装，符合 AEC - Q101 和 RoHS标准。具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作
2025-02-27 17:59:06715 
P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 263 - 2 封装，符合 AEC - Q101标准，具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行、正向电压具有正温度系数
2025-02-27 18:25:13833 
P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 252 - 2 封装。通过 AEC - Q101认证，具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行、正向电压正温度系数、高
2025-02-28 17:12:48792 
P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220 - 2 封装。该产品通过 AEC - Q101认证，具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行、正向电压具有正
2025-02-28 17:21:08851 
P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO-220I - 2 封装。通过 AEC - Q101认证，具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行、正向电压正温度系数、高
2025-02-28 17:52:15813 
：SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 通过 AEC-Q101 认证 TO-263-2 封装 超快速
2025-02-28 18:21:04900 
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布，在其持续壮大的功率电子器件产品组合中新增两款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二极管。PSC20120J
2025-07-11 17:06:07912
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