扬杰科技推出50A 650V TO-247封装IGBT单管

近日，国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）再度刷新业界认知，推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A 650V TO-247封装IGBT单管产品。该产品以其卓越的性能和创新的微沟槽芯片方案，为市场带来了极具性价比的选择，预计将在光伏储能充电桩领域掀起一股新的技术革命。

据悉，这款IGBT单管产品的电压等级达到了650V，电流等级为50A@Tc=100℃，这足以满足光伏储能充电桩等高频应用对于高电压、大电流的需求。同时，扬杰科技在研发过程中特别注重产品的能效表现，该IGBT单管具有低导通损耗和低开关损耗的优异特性，使其在高频应用中能够发挥出更高的效能。

值得一提的是，扬杰科技在这款IGBT单管产品中采用了微沟槽最新平台芯片方案。这种创新的设计不仅提升了产品的整体性能，还使其在性价比上更具优势。微沟槽技术能够有效降低产品的导通损耗和开关损耗，提高产品的可靠性，从而为用户带来更好的使用体验。

此外，扬杰科技在产品的可靠性方面同样表现出色。这款IGBT单管产品经过严格的测试和验证，具有极高的可靠性和稳定性，能够确保在光伏储能充电桩等高频应用中持续稳定地运行。

业内专家表示，扬杰科技此次推出的50A 650V TO-247封装IGBT单管产品，不仅彰显了公司在半导体分立器件领域的卓越实力，也为光伏储能充电桩等高频应用领域的发展注入了新的活力。未来，随着该产品的广泛应用，预计将推动整个行业的技术进步和市场发展。

扬杰科技作为国内半导体功率器件的领军企业，一直致力于技术创新和市场开拓。此次新品发布，再次证明了公司在半导体分立器件领域的领先地位和创新能力。未来，扬杰科技将继续加大研发投入，推出更多具有创新性和竞争力的产品，为行业的持续发展和国家经济的繁荣做出更大的贡献。