瞻芯电子推出三款第二代650V SiC MOSFET产品

瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品，这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified），还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出，标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。

据了解，瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET芯片，相较于同类产品，具有更低的损耗水平。这一优势使得该芯片在功率变换系统中能够更有效地减少能量损失，从而提高系统整体效率。此外，其驱动电压范围设定在15V~18V，这一设计使得芯片与现有系统的兼容性更好，能够无缝集成到各种应用场景中。

瞻芯电子采用TO247-4封装的车规级第二代650V SiC MOSFET系列产品，在性能上同样表现出色。这些产品具有高速开关特性，使得功率变换系统能够实现更高的工作频率，进一步提升了系统的响应速度和效率。同时，低损耗特性确保了在高频工作下系统仍能保持较低的能耗。

此次推出的三款产品，不仅为功率变换系统提供了高频、高效率的解决方案，也进一步推动了SiC MOSFET在新能源汽车、工业控制、电力电子等领域的广泛应用。瞻芯电子通过持续的技术创新和产品研发，不断为客户提供更加优质、高效的半导体解决方案，助力行业实现更加绿色、智能的未来。

瞻芯电子的这一举措，无疑为整个半导体行业带来了新的活力。随着技术的不断进步和市场需求的不断增长，我们有理由相信，瞻芯电子将继续在半导体领域发挥引领作用，推动行业的持续发展和创新。