SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二极管数据手册
P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 263 - 2 封装，符合 AEC - Q101 标准，无卤且符合RoHS标准。产品具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作等特性，有助于提升系统效率，降低散热需求，在并联使用时也不会出现热失控问题。可应用于消费类开关模式电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）或DC/DC 阶段的升压二极管以及 AC/DC 转换器等领域。
碳化硅（SiC）属于第三代半导体，派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si肖特基二极管具有更高的耐压等级和更低的漏电流，大大提升了系统效率，特别适合在高压高频条件下工作。同时解决了Si二极管的耐压极限问题和反向恢复损耗较大的问题，碳化硅二极管成本相对较低，已经广泛使用。派恩杰提供多种多样封装形式去适应不同应用场景。
*附件：SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二极管数据手册.pdf
特征
- 符合AECQ-101
- 100%UIS测试
- 极小的反向恢复损耗
- 优异的高温特性
优势
- 优异的性能
- 减小系统体积
- 提升整体效率
- 减小散热面积
- 车规级器件
- 降低系统成本
- 降低电磁干扰
应用领域
- 光伏逆变器系统
- 充电器
热特性
典型性能
封装外形
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