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SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

麦辣鸡腿堡 来源:派恩杰半导体 2025-02-25 18:13 次阅读
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P6D06004T2 为 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 220 - 2封装。具有超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流、100% 经过 UIS 测试等特性,符合 RoHS标准。适用于消费类开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)或 DC/DC 阶段的升压二极管、AC/DC转换器等,在多种电子设备的电源转换环节发挥关键作用。
*附件:SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf

特性

  • 超快开关速度
  • 零反向恢复电流
  • 适用于高频操作
  • 正向电压具有正温度系数
  • 高浪涌电流
  • 100% 经过 UIS 测试

优势

  • 优异的性能
  • 减小系统体积
  • 提升整体效率
  • 减小散热面积
  • 车规级器件
  • 降低系统成本
  • 降低电磁干扰

应用领域

  • 消费类开关模式电源(SMPS)
  • 功率因数校正(PFC)或直流 - 直流(DC/DC)阶段的升压二极管
  • 交流 - 直流(AC/DC)转换器

最大额定值

image.png

热特性

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封装外形

image.png

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