英飞凌CoolSiC肖特基二极管650V G6的性能分析和应用

CoolSiC肖特基二极管650V G6是英飞凌碳化硅肖特基势垒二极管的领先技术，充分利用碳化硅相对于硅的所有优点。英飞凌专利创新的焊接工艺结合了紧凑型设计，薄晶圆技术和新型肖特基金属系统。因此，该产品系列可在所有负载条件下提高能效，这得益于同类最佳性能系数 (Qc x VF)。

值得一提的是，CoolSiC 肖特基二极管650V G6与英飞凌600V和650V CoolMOS7系列兼容，满足该电压范围中最严格的应用要求，搭配使用让工程师更加省心哦！

CoolSiC 肖特基二极管650V G6的最低VF仅为1.25V

主要特性

最低VF： 1.25 V

一流的性能系数(Qc x VF)

无反向恢复电荷

温度独立切换 行为

高dv/dt耐用性

优化的热行为

主要优势

在所有负载条件下提高系统能效

提高系统功率密度

降低冷却要求并 提高系统可靠性

提供极快速开关

便捷有效地与 CoolMOS7系列搭配

提升性价比

G6是在G5达成成就的基础上构建的，保留了G5的低Qc、可靠和质优等突出特性。为了G6，英飞凌开发了新的半导体技术，重新设计了二极管。G6拥有新的布局，植入以及单元结构，使用了一种新颖而专有的肖特基金属系统以降低肖特基势垒并获得创纪录的VF(1.25 V)，同时保持逆向损失边际化并实现高能效。由此造就了独特的Qc x VF性能系数，比前几代产品低17%。

CoolSiC G6与前一代G5产品的PFC能效对比

CoolSiC肖特基二极管650V G6系列是英飞凌不断提高技术和流程的结果，让碳化硅肖特基二极管的设计和开发更具价格优势，性能一代更比一代强。因此，G6是英飞凌最具有性价比的CooSiC肖特基二极管的一代，在同等价格下提供最高能效。

不仅是技术，客户更可以信赖英飞凌公认的质量和可靠的供应链，他们将受益于“一站式购物”，并能够将系统性能最大化，比如将CoolSiC肖特基二极管650V G6与600V C7、650V C7、600V G7、650V G7和600V P7等CoolMOS 7系列的超级结MOSFET结合，从而获得更具竞争力的解决方案哦！

英飞凌CoolSiC产品的性价比不断提高