0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

瞻芯电子第二代650V SiC MOSFET产品通过车规级可靠性认证

CHANBAEK 来源:网络整理 2024-03-12 11:04 次阅读

近日,瞻芯电子宣布其研发的三款第二代650V SiC MOSFET产品成功通过了严格的AEC-Q101车规级可靠性认证,这一里程碑式的成就标志着瞻芯电子在功率电子领域的持续创新与技术突破。

据了解,瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET芯片,以其卓越的性能特性引起了行业内的广泛关注。这款芯片在损耗水平上达到了业界较低的标准,其驱动电压范围为15V~18V,相较于传统产品,具有更好的兼容性,能够更好地适应各种应用场景的需求。

此次推出的三款产品,导通电阻分别为25mΩ,40mΩ和60mΩ,这一参数的优化使得芯片在高效能转换和节能方面表现出色。同时,它们采用了TO247-4封装形式,这一封装设计使得芯片能够在-55°C到175°C的宽温度范围内稳定工作,满足了汽车等复杂环境中对功率电子元件的高要求。

值得一提的是,TO247-4封装还具备开尔文源极引脚,这一设计能够显著减小栅极驱动电压尖峰,从而提高了系统的稳定性和可靠性。在新能源汽车等领域,这一特性尤为重要,能够有效减少因电压波动导致的系统故障。

业内专家表示,瞻芯电子此次推出的第二代650V SiC MOSFET产品不仅展示了其在功率电子领域的技术实力,也为新能源汽车、工业电源等领域的发展提供了有力支持。随着新能源汽车市场的不断扩大和工业应用的不断深化,高性能、高可靠性的功率电子元件将成为行业发展的关键因素。

瞻芯电子的这一成就无疑为功率电子行业的发展注入了新的活力,其产品的广泛应用将进一步推动相关领域的技术进步和产业升级。未来,我们期待瞻芯电子能够继续推出更多创新产品,为行业的可持续发展贡献更多力量。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    143

    文章

    7053

    浏览量

    212504
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    29

    文章

    2734

    浏览量

    62371
  • 瞻芯电子
    +关注

    关注

    0

    文章

    48

    浏览量

    366
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    电子交付碳化硅(SiC)MOSFET逾千万颗 产品长期可靠性得到验证

    来源:电子 近日,自2020年正式发布第一碳化硅(SiC) MOSFET
    的头像 发表于 09-27 10:43 269次阅读
    <b class='flag-5'>瞻</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>电子</b>交付碳化硅(<b class='flag-5'>SiC</b>)<b class='flag-5'>MOSFET</b>逾千万颗 <b class='flag-5'>产品</b>长期<b class='flag-5'>可靠性</b>得到验证

    电子SiC MOSFET技术新突破,产品正式量产

    Ω SiC MOSFET产品(IV3Q12013T4Z)成功通过
    的头像 发表于 06-24 10:05 528次阅读

    电子第三1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通过可靠性测试认证

    近日,上海电子科技股份有限公司(简称“电子”)基于第三
    的头像 发表于 06-24 09:13 720次阅读
    <b class='flag-5'>瞻</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>电子</b>第三<b class='flag-5'>代</b>1200<b class='flag-5'>V</b> 13.5mΩ <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>通过</b><b class='flag-5'>车</b><b class='flag-5'>规</b><b class='flag-5'>级</b><b class='flag-5'>可靠性</b>测试<b class='flag-5'>认证</b>

    第二代SiC碳化硅MOSFET关断损耗Eoff

    第二代SiC碳化硅MOSFET关断损耗Eoff
    的头像 发表于 06-20 09:53 407次阅读
    <b class='flag-5'>第二代</b><b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>关断损耗Eoff

    电子推出一款1200V SiC三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z

    近日,电子正式推出一款1200V 碳化硅(
    的头像 发表于 04-07 11:37 1475次阅读
    <b class='flag-5'>瞻</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>电子</b>推出一款<b class='flag-5'>车</b><b class='flag-5'>规</b><b class='flag-5'>级</b>1200<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>SiC</b>三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z

    电子推出三款第二代650V SiC MOSFET产品

    电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSF
    的头像 发表于 03-13 09:24 868次阅读

    多款产品通过认证,国产SiC MOSFET加速上车

    潮,令800V平台、SiC电驱开始打进20万内的市场,SiC也进一步能够加速在市场上普及。   最近两家国内厂商又有多款SiC MOSFET
    的头像 发表于 03-13 01:17 3441次阅读
    多款<b class='flag-5'>产品</b><b class='flag-5'>通过</b><b class='flag-5'>车</b><b class='flag-5'>规</b><b class='flag-5'>认证</b>,国产<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>加速上车

    蓉矽半导体1200V SiC MOSFET通过可靠性认证

    蓉矽半导体近日宣布,其自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101
    的头像 发表于 03-12 11:06 779次阅读

    电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET通过可靠性认证

    3月8日,电子开发的3款第二代650V SiC MOSF
    的头像 发表于 03-11 09:24 722次阅读
    <b class='flag-5'>瞻</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>电子</b>开发的3款<b class='flag-5'>第二代</b><b class='flag-5'>650V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>通过</b>了<b class='flag-5'>车</b><b class='flag-5'>规</b><b class='flag-5'>级</b><b class='flag-5'>可靠性</b><b class='flag-5'>认证</b>

    电子两款SiC MOSFET产品通过可靠性认证

    上海电子科技有限公司(简称“电子”)近期取得了一项重要的技术突破。该公司推出的两款
    的头像 发表于 03-07 09:43 744次阅读

    电子1200V/650V SiC塑封半桥模块获认证

    出首批2款基于第二代碳化硅(SiCMOSFET芯片技术的SMPD塑封半桥模块产品,并顺利通过
    的头像 发表于 03-07 09:37 1038次阅读

    电子推出第二代650VTO263-7封装助力高效高密应用

    近日,电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET
    的头像 发表于 01-16 10:16 1730次阅读
    <b class='flag-5'>瞻</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>电子</b>推出<b class='flag-5'>第二代</b><b class='flag-5'>650V</b><b class='flag-5'>车</b><b class='flag-5'>规</b><b class='flag-5'>级</b>TO263-7封装助力高效高密应用

    电子荣获2项电源行业配套品牌奖

    还发布了第二代SiC MOSFET产品,不仅兼容15~18V驱动,而且比导通电阻下降25%,其损耗更低、成本更优,综合性能达到国际一流水平。
    的头像 发表于 12-25 18:42 765次阅读
    <b class='flag-5'>瞻</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>电子</b>荣获2项电源行业配套品牌奖

    电子SiC MOSFET通过认证, 成功进入新能源汽车供应链!

    近日,电子自主研发的1200V/80mΩTO-263-7封装 SiC MOSFET器件成功获得第三方权威检测机构(广电计量)全套AEC-
    发表于 12-06 14:04 484次阅读
    <b class='flag-5'>芯</b>塔<b class='flag-5'>电子</b><b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>通过</b><b class='flag-5'>车</b><b class='flag-5'>规</b><b class='flag-5'>级</b><b class='flag-5'>认证</b>, 成功进入新能源汽车供应链!

    电子推出1700V SiC MOSFET助力高效辅助电源

    11月27日,电子开发的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET
    的头像 发表于 11-30 09:39 1645次阅读
    <b class='flag-5'>瞻</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>电子</b>推出1700<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>助力高效辅助电源