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电子发烧友网>今日头条>HF/H2O二元溶液中硅晶片变薄的蚀刻特性

HF/H2O二元溶液中硅晶片变薄的蚀刻特性

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二次元自动影像测量仪

提取、对焦、匹配以及测量合成、影像合成等。这就提高了工作效率,节约了成本。图仪器Novator系列二次元自动影像测量仪采用大理石主体机台和精密伺服控制系统,实现高
2023-05-18 13:57:44

高速硅湿式各向异性蚀刻技术在批量微加工中的应用

蚀刻是微结构制造中采用的主要工艺之一。它分为两类:湿法蚀刻和干法蚀刻,湿法蚀刻进一步细分为两部分,即各向异性和各向同性蚀刻。硅湿法各向异性蚀刻广泛用于制造微机电系统(MEMS)的硅体微加工和太阳能电池应用的表面纹理化。
2023-05-18 09:13:12700

晶片的酸基蚀刻:传质和动力学效应

抛光硅晶片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先,硅单晶锭被切成圆盘(晶片),然后是一个称为拍打的扁平过程,包括使用磨料清洗晶片。通过蚀刻消除了以往成形过程中引起的机械损伤,蚀刻之后是各种单元操作,如抛光和清洗之前,它已经准备好为设备制造。
2023-05-16 10:03:00584

二次元三维影像测量仪

。 图仪器Novator二次元三维影像测量仪将传统影像测量与激光测量扫描技术相结合,还支持频闪照明和飞拍功能,可进行高速测量,大幅提升测量效率;具有可独立升降和
2023-05-15 11:29:26

简述晶圆减薄的几种方法

减薄晶片有四种主要方法,(1)机械研磨,(2)化学机械平面化,(3)湿法蚀刻(4)等离子体干法化学蚀刻(ADP DCE)。四种晶片减薄技术由两组组成:研磨和蚀刻。为了研磨晶片,将砂轮和水或化学浆液结合起来与晶片反应并使之变薄,而蚀刻则使用化学物质来使基板变薄
2023-05-09 10:20:06979

请问一下极管的单向导电特性有什么好处呢?

请问一下极管的单向导电特性有什么好处呢?
2023-05-05 09:41:56

HF接口功能原理和特点

HF/UHF接口 TBEN-L5-4RFID-8DXP-CDS 现场总线I/O模块 TBEN-L4-4RFID-8DXP-CDS 5   5   5 提供RFID模块,可通过PROFINET
2023-04-27 13:23:44673

《炬丰科技-半导体工艺》 HQ2和HF溶液循环处理  

书籍:《炬丰科技-半导体工艺》 文章:HQ2和HF溶液循环处理 编号:JFKJ-21-213 作者:炬丰科技 摘要 采用原子显微镜研究了湿法化学处理过程中的表面形貌。在SC-1清洗过程中,硅表面
2023-04-19 10:01:00129

光子晶体用硅中圆柱形纳米孔的深反应离子蚀刻

反应离子蚀刻 (RIE)是一种干法蚀刻工艺,与半导体工业中使用的互补金属氧化物半导体(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253

干法蚀刻与湿法蚀刻-差异和应用

干法蚀刻与湿法蚀刻之间的争论是微电子制造商在项目开始时必须解决的首要问题之一。必须考虑许多因素来决定应在晶圆上使用哪种类型的蚀刻剂来制作电子芯片,是液体(湿法蚀刻)还是气体(干法蚀刻
2023-04-12 14:54:331004

请问pcb阻抗设计内层阻抗H1H2有什么区别?

pcb阻抗设计内层阻抗有H1H2的参数,请问他们有什么区别?
2023-04-11 17:44:31

光耦MOC3063驱动可控

如图所示:1.单片机给IO口发送一个高电平后光耦3063会立即导通还是在交流电压的过零点导通2.如果光耦在输入电压的过零点导通,是否可以认为可控两端的电压为零,此时可控不导通,那如果是这样请问这个电路可控是何时导通的,又是和是关断的 。导通是可控T2和G极之间的电压为多少,怎么理解
2023-04-10 21:59:00

从头到尾的半导体技术

湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高
2023-04-10 17:26:10453

为什么无法在RTSP流包含数据?

我正在使用 IMX8Q Max, 我想在 RTSP 流媒体插入数据,特别是在 RTSP 服务器。我到底该怎么做?我的 gstreamer 管道是“v4l2src 设备=/dev/video3
2023-04-10 07:21:58

极管的死区电压和导通电压分别为多少?

极管的死区电压和导通电压分别为多少?反向饱和电流为多少数量级?
2023-03-31 11:45:58

PCB加工的蚀刻工艺

印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程,本文就对其最后的一步--蚀刻进行解析。目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886

新技术使蚀刻半导体更容易

研究表明,半导体的物理特性会根据其结构而变化,因此半导体晶圆在组装成芯片之前被蚀刻成可调整其电气和光学特性以及连接性的结构。
2023-03-28 09:58:34251

使用 ClF 3 H 2远程等离子体在氧化硅上选择性蚀刻氮化硅

在湿蚀刻的情况下,随着SiNx/SiOy层的厚度减小,剩余的SiOy层由于表面张力而坍塌,蚀刻溶液对孔的渗透变得更具挑战性。
2023-03-27 10:17:49402

在LLCE_LIN示例构建时缺少linif.h 和 linif.c的原因?

“make -j6 all”以退出代码 2 终止。构建可能不完整。15:04:04 构建失败。5 个错误,0 个警告。(耗时 6s.719ms)在 src 和 includes 文件夹找不到这些 LINIF 文件,请帮助我构建此示例
2023-03-23 08:34:25

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