PI超快速Qspeed H系列二极管可替代碳化硅元件
PI的超快速Qspeed H系列二极管现可达到650V以及高达30A的电压电流额定值。这些高功率器件具有业界最低的硅二极管反向恢复电荷(Qrr)。它们是碳化硅(SiC)二极管的理想替代品，可提供与其相当的效率和电压降额性能，同时具有硅二极管的价格优势和供应保证。
新款二极管设计用于满足现代应用日益增长的功率要求，适合1.6kW至11kW的连续导通模式(CCM) PFC升压应用。在使用高功率CPU和GPU的服务器、电信、网络设备和工业电源中，它们可轻松满足80%的击穿电压降额要求。
650V Qspeed二极管的反向恢复电荷与SiC二极管相当，因此在3.4kW电池充电器应用中的系统效率与后者几乎相同。混合PiN-Schottky二极管技术使其具有软的反向恢复电流特性，可降低EMI和峰值反向电压应力，从而无需使用缓冲器。
交错式CCM升压PFC
新款Qspeed二极管采用行业标准TO-220AC封装，具有2.5kV的绝缘能力及优异的导热性能。它们可以直接用来替代同等性能的SiC二极管。
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原文标题：650V Qspeed硅二极管可替代碳化硅元件，适用AI服务器、电信、网络设备和工业应用
文章出处：【微信号：Power_Integrations，微信公众号：PI电源芯片】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
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