肖特基二极管凭借低正向导通压降(V_F)与短反向恢复时间(t_rr),成为降低电路功耗的关键器件。星海SSxx系列肖特基二极管技术解析:四大封装的参数特性与场景适配。
该系列采用N型外延硅衬底与高电导率金属电极,V_F控制在0.35-0.5V@1A,较传统硅整流二极管降低40%以上;反向漏电流(I_R)<1μA@25℃,-55℃-150℃宽温下稳定。通过银浆烧结键合与密封技术,85℃/85%RH湿热1000小时后电参数漂移率<5%,符合IPC-9701标准。
四大封装技术特性与适配场景
SMAX封装:高功率承载
参数:TO-277B轮廓,引脚间距2.54mm,芯片散热面积12mm²;I_F(AV)2-10A,V_RRM20-200V;寄生电感(L_p)<5nH,寄生电容(C_j)≈150pF@0V;浪涌电流(I_FSM)100A@10μs,符合EN61000-4-5。
适配:大尺寸降低电流拥挤效应,0.5mm厚铜引脚使电阻(R_s)<50mΩ,适用于100W以上AC/DC转换器次级整流、工业电机驱动续流回路、车载低压辅助电源整流。
SMAG封装:高效散热
参数:改进型TO-277,底部镀镍铜散热垫(8mm²),热阻(R_θJA)60℃/W(较常规SMA低30%);I_F=5A、T_A=25℃时结温(T_j)<85℃,T_j(max)=150℃;瞬态电压抑制1500V@10μs。
适配:散热垫缩短热路径,高导热环氧树脂(1.2W/m・K)提升热耦合,适用于LLC谐振变换器同步整流、48V/20A通信基站电源、50W以上LED驱动。
SMAF封装:高频寄生抑制
参数:2.8mm×1.8mm×1.0mm超小尺寸,L_p<2nH,C_j≈80pF@0V;t_rr<10ns,支持100MHz以上高频。
适配:短引脚减少高频信号反射,薄型设计适配高密度PCB,适用于5G基站射频整流、WiFi6E路由器功放、笔记本LDO续流。
SMAS封装:微型化集成
参数:0603尺寸(1.6mm×0.8mm×0.6mm),晶圆级封装;I_F(AV)1-3A,V_RRM20-100V;L_p≈3nH,C_j≈100pF;符合J-STD-020无铅焊接,-40℃-125℃1000次温循焊接失效概率<0.1%。
适配:功率密度达5A/mm²,适用于TWS耳机充电盒保护、血糖监测仪电源管理、物联网传感器电路。
型号选型原则
大电流(I_F>5A)、高反压(V_RRM>100V)场景(如工业电源)选SMAX封装(SS22、SS14等);
热阻要求高(R_θJA<70℃/W)场景(如通信电源)选SMAG封装(SS220A、SS34A等);
高频(f>50MHz)场景(如射频电路)选SMAF封装(SS25AF、SS115AF等);
空间受限、低功率(I_F<3A)场景(如微型消费电子)选SMAS封装(SS17AS、SS26AS等)。
星海SSxx系列通过封装与芯片性能协同,实现参数定制化与场景精准化,推动电子设备向低功耗、高频率、小型化发展。
审核编辑 黄宇
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