电子发烧友网站提供《适用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF缓冲基准的TPS51206 2A峰值灌电流/拉电流DDR终端稳压器数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 13:53:03
0 电子发烧友网站提供《具有同步降压控制器、2A LDO和缓冲基准的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存储器电源解决方案数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 11:24:340 电子发烧友网站提供《具有同步降压控制器、2A LDO和缓冲基准的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4内存电源解决方案数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 11:13:440 电子发烧友网站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3内存电源解决方案同步降压控制器数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 10:16:450 PSoC™ 6 中嵌入式闪存的正确最低耐久性是多少？
PSoC™ 6 的数据表声称闪光灯耐久性至少为 100k 次。
TRM 声称续航时间为 10k 个周期。
请参阅第 6.5 节 62x7 数据表
2024-02-26 06:46:06
模拟童车路况试验机-耐久性试验机设备简介： 本机依据CNS手推婴儿车动态耐用试验规范制作。测试方法为 ：置模型婴儿于车台中，将车台固定于测试台上，调整输送带 速度1.4±0.1m/sec
2024-02-01 10:22:29
1) 允许一个物理内存（即 XRAM) 可同时作为程序存储器和数据存储器进行访问
如何使用 SCR XRAM 作为程序存储器和数据存储器。
1) 用于存储 scr 程序的程序存储器
2) 用于在 tricore 和 scr 之间交换数据的数据存储器。
2024-01-30 08:18:12
CIQTEK精选成果简报Appl.Catal.B：多孔石墨化炭负载FeOCl作为双功能吸附催化剂用于含氯挥发性有机化合物的湿式过氧化物氧化：介孔的影响和机理研
2023-12-28 08:24:58
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。
2、布线要求需保持完整的地和电源平面。
3、特征阻抗控制在50～60Ω。
4、信号组与其他非DDR信号间距，至少保持在 20mil以上。
四、控制组
1、控制组包括CS、CKE。
2、布线要求需保持
2023-12-25 14:02:58
。
2、布线要求需保持完整的地和电源平面。
3、特征阻抗控制在50～60Ω。
4、信号组与其他非DDR信号间距，至少保持在 20mil以上。
四、控制组
1、控制组包括CS、CKE。
2、布线要求需保持
2023-12-25 13:58:55
FRAM具有其他传统内存产品所不具备的四个突出特性。特点是：“非易失性”、“高读写耐久性”、“写入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 如何充分利用单片机（MCU）的非易失性存储器 单片机（MCU）的非易失性存储器（NVM）是存储数据和程序的重要组成部分。它可以保留数据，即使在断电或复位后也不会丢失。为了充分利用MCU的NVM，我们
2023-12-15 10:10:49507 该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-11-27 16:41:47
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据
2023-11-27 16:37:59
电子发烧友网站提供《基于非易失性存储器的数字电位器的多功能可编程放大器.pdf》资料免费下载
2023-11-24 16:04:350 法人方面解释说：“标准型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨国企业主导，因此，中台湾企业在半导体制造方面无法与之抗衡。”在ddr3 ddr3的情况下，台湾制造企业表现出强势。ddr3的价格也随之上涨，给台湾半导体企业带来了很大的帮助。
2023-11-14 11:29:36405 超声波水浴机，和易立高的99.7%的IPA溶剂。
但是水浴机会产热，IPA 又具有挥发性和易燃性。
请问如果进行UG865中的清洁步骤，是否对实验室条件、仪器设备、安全操作方法有要求？请指示！
2023-11-13 13:03:48
是目前使用最为广泛的计算机内存标准，它已经服务了计算机用户多年。但是，DDR4内存随着技术的进步，成为了更好的内存选择。本文将详细介绍DDR4和DDR3内存的各种区别。 1. 工作频率 DDR3内存的标准工作频率为1600MHz，而DDR4内存标准则为2133MHz。这意味着DDR4内存的传输速度
2023-10-30 09:22:003888 DDR3是2007年推出的，预计2022年DDR3的市场份额将降至8%或以下。但原理都是一样的，DDR3的读写分离作为DDR最基本也是最常用的部分，本文主要阐述DDR3读写分离的方法。
2023-10-18 16:03:56516 
使用，需要增添片外存储器。因此铁电存储器（FRAM）是便携式医疗设备的理想解决方案。1、高写入耐久度PB85RS2MC是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
DDR存储器发展的主要方向一言以蔽之，是更高速率，更低电压，更密的存储密度，从而实现更好的性能。
2023-10-01 14:03:00488 
摘要：本文将对DDR3和DDR4两种内存技术进行详细的比较，分析它们的技术特性、性能差异以及适用场景。通过对比这两种内存技术，为读者在购买和使用内存产品时提供参考依据。
2023-09-27 17:42:101088 与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比，具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。 由于车载电子控制系统对于存取各类传感器资料的需求持
2023-09-27 10:00:51
时，就需要外扩DDR SRAM二级存储来满足需求。
本期的主角盘古PGL50H FPGA就贴心的在核心板上，为我们配备了两片DDR3的芯片，来完成二级存储的需求。
两片DDR3组成32bit的总线数据
2023-09-21 23:37:30
从而确保内存稳定，另外，DDR4内存的金手指设计也有明显变化，金手指中间的防呆缺口也比DDR3更加靠近中央。当然，DDR4最重要的使命还是提高频率和带宽，总体来说，DDR4具有更高的性能，更好的稳定性和更低的功耗，那么从SI的角度出发，主要有下面几点, 下面章节对主要的几个不同点进行说明。
2023-09-19 14:49:441484 
存储器可分为易失性存储器和非易失性存储器两类，前者在掉电后会失去记忆的数据，后者即使在切断电源也可以保持数据。易失性存储器又可分为 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
以MT41J128M型号为举例：128Mbit=16Mbit*8banks 该DDR是个8bit的DDR3，每个bank的大小为16Mbit，一共有8个bank。
2023-09-15 15:30:09629 
DDR3带宽计算之前，先弄清楚以下内存指标。
2023-09-15 14:49:462503 
采用华虹128通道同测技术
04取得嵌入式非挥发性内存解决方案厂商Cypress 90nm SONOS工艺技术License授权
05多种小型化的封装类型等行业中，其中WLCSP封装面积仅为665umx676um ,广泛用于消费、工业、通讯、医疗
2023-09-15 08:22:26
)都是独立和软件可配置的 每个通道都有3个事件标志位DMA半传输DMA传输完成和DMA传输出错 支持存储器->存储器外设->存储器存储器->外设和外设-&
2023-09-13 08:06:16
内置校准: DDR3和DDR4控制器通常具有内置的校准机制，如ODT (On-Die Termination)、ZQ校准和DLL (Delay Locked Loop)。这些机制可以自动调整驱动和接收电路的特性，以优化信号完整性和时序。
2023-09-11 09:14:34420 Flash存储器是一种非易失性存储器，即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息。
2023-09-09 16:22:282617 本文介绍一个FPGA开源项目：DDR3读写。该工程基于MIG控制器IP核对FPGA DDR3实现读写操作。
2023-09-01 16:23:19743 
本文开源一个FPGA项目：基于AXI总线的DDR3读写。之前的一篇文章介绍了DDR3简单用户接口的读写方式：《DDR3读写测试》，如果在某些项目中，我们需要把DDR挂载到AXI总线上，那就要通过MIG IP核提供的AXI接口来读写DDR。
2023-09-01 16:20:371888 
非挥发性存储器产品线实现销售收入约5.88亿元。2023年上半年，存储市场处于循环低点时期。本公司存储产品应用范围广，以市场需求为导向，及时调整产品结构，产品线保持较好的增长势头。该产品线的一个方面
2023-08-29 10:49:25380 普冉股份的主要业务是设计和销售基于非挥发性存储芯片和存储芯片的衍生芯片，目前主要产品是非挥发性存储芯片nor flash和eeprom以及微控制器芯片和模拟产品。
2023-08-25 10:27:04222 随着高速数据通信的进步，数据更频繁地发送意味着对非易失性存储器的需求增加，因为非易失性存储器可以承受这种频繁的数据操作。铁电存储器是具有物联网新时代所要求的高读写耐久性和快速写入速度的理想存储设备
2023-08-24 10:05:59
MCU200T的DDR3在官方给的如下图两份文件中都没有详细的介绍。
在introduction文件中只有简略的如下图的一句话的介绍
在schematic文件中也没有明确表明每个接口的具体信息
2023-08-17 07:37:34
在配置DDR200T的DDR3时，一些关键参数的选择在手册中并没有给出，以及.ucf引脚约束文件也没有提供，请问这些信息应该从哪里得到？
2023-08-16 07:02:57
PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
本文将探讨户外储能电池的可靠性和耐久性设计，以确保其在使用过程中具备高效、安全和长寿命的特点。
2023-08-08 13:50:06378 xilinx平台DDR3设计教程之设计篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58
富士通半导体存储器解决方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存储器串行接口系列中密度最高的产品。目前已实现量产产品。 在不断变化的环境中，随着传感器信息数据量的增加和边缘计算的扩展，客
2023-08-04 11:55:04339 
CoreLink DDR2动态存储器控制器(DMC-341)技术参考手册
2023-08-02 15:28:28
内存设备：
•双倍数据速率3（DDR3）SDRAM。
•低压DDR3 SDRAM。
•双倍数据速率4（DDR4）SDRAM
2023-08-02 08:30:00
电子发烧友网站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中应用.pdf》资料免费下载
2023-07-24 09:50:470 该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:13:33
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:08:13
DDR是Double Data Rate的缩写，即“双倍速率同步动态随机存储器”。DDR是一种技术，中国大陆工程师习惯用DDR称呼用了DDR技术的SDRAM，而在中国台湾以及欧美，工程师习惯用DRAM来称呼。
2023-07-16 15:27:103370 
DDR3的速度较高，如果控制芯片封装较大，则不同pin脚对应的时延差异较大，必须进行pin delay时序补偿。
2023-07-04 09:25:38312 
易失性存储器的发展历程 继续关于存储器的发展回顾，上期我们回顾了非易失性存储器的发展史，本期内容我们将回顾易失性存储器的发展历程。易失性存储器在计算机开机时存储数据，但在关闭时将其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 半导体存储器一般可分为易失性(Volatile Memory)和非易失性存储器(Non Volatile Memory)。易失性存储器是指数据信息只有在通电条件下才能保存，断电后数据会丢失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
ROM中存储的数据在断电后依然存在，不会丢失，因此也被称为非易失性存储器。而RAM是易失性存储器，当断电时，其中的数据将会丢失。
2023-06-20 16:38:442016 视频图形显示系统理想的架构选择。视频处理和图形生成需要存储海量数据，FPGA内部的存储资源无法满足存储需求，因此需要配置外部存储器。 与DDR2 SDRAM相比，DDR3 SDRAM带宽更好高、传输速率更快且更省电，能够满足吞吐量大、功耗低的需求，因此
2023-06-08 03:35:011024 作为一种非易失性存储器，铁电存储器兼具动态随机存取存储器DRAM的高速度与可擦除存储器EEPROM非易失性优点，虽然容量和密度限制了其大规模应用，但在要求高安全性与高可靠性等工业应用场合，铁电存储器以几乎无限的读写次数、超低及高抗干扰能力得到用户的青睐。
2023-06-01 10:57:52134 
一、实验要求
生成 DDR3 IP 官方例程，实现 DDR3 的读写控制，了解其工作原理和用户接口。
二、DDR3 控制器简介
PGL50H 为用户提供一套完整的 DDR memory 控制器
2023-05-31 17:45:39
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
MRAM是一种新型的非易失性存储器技术，与传统的存储器技术相比，MRAM具有更快的读写速度、更低的功耗、更高的可靠性和更长的寿命。
2023-05-23 17:34:15395 ，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。
SRAM：
SRAM利用寄存器来存储信息，所以一旦掉电，资料就会全部丢失，只要供电，它的资料就会一直存在，不需要动态刷新，所以叫静态随机存储器。
3.产品应用
2023-05-19 15:59:37
数据速率 800Mbps
一、实验要求
生成 DDR3 IP 官方例程，实现 DDR3 的读写控制，了解其工作原理和用户接口。
二、DDR3 控制器简介
GL50H 为用户提供一套完整的 DDR
2023-05-19 14:28:45
MAX17000A脉宽调制(PWM)控制器为笔记本电脑的DDR、DDR2、DDR3存储器提供完整的电源方案。该器件集成了一路降压控制器、一路可源出/吸入电流的LDO稳压器以及一路基准缓冲器，能够产生
2023-05-17 09:48:45
石油化工行业VOC在线监测系统建设背景 VOCs（VolatileOrganicCompounds），挥发性有机物。 对于石化行业而言，VOCs主要包括挥发性有机气体和轻烃类； VOCs在PM2.5
2023-05-12 13:41:08330 在 i.MX6 SOLO 中有没有办法读取芯片 DDR3 的大小？
2023-05-06 07:04:11
(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。 即：MRAM是非挥发性介质; MRAM是磁性随机存储介质; MRAM具有RAM的读写速度。
2023-04-19 17:45:462545 基本上，我想将数据写入/读取 I.MX RT1170 评估板中的非易失性存储器 (MX25L4006EM2R-12G)。1）是否有任何示例应用程序可供参考？像 LPUART、LPI2C 等....
2023-04-19 09:07:12
存储设备，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之间的差异Flash和EEPROM均被视为非易失性存储器。非易失性存储器意味着该设备能够保存数据且无需持续供电，即使关闭电源也能保存
2023-04-07 16:42:42
具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns~20ns之间。它不需要闪存所必需
2023-04-07 16:41:05
的RAM或常规的非易失性存储。该存储器真正是非易失性的，而不是由电池供电的。引脚配置特征高集成度设备替代了多个零件•串行非易失性存储器•带闹钟的实时时钟（RTC）•低VDD检测驱动复位•看门狗窗口定时器
2023-04-07 16:23:11
存储器按存储介质特性来说，可以分为两类，一类就是易失性存储器，一类是非易失性存储器。从计算机角度上看，易失性存储器可以理解为内存，而非易性存储器可以理解为硬盘。
2023-03-30 14:22:431551 
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