特点
16-Kbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM)
为 2 K × 8
❐ 高耐久性 100 万亿次（1014）读/写
❐ 151 年数据保留期（请参阅数据保留期和
见数据保留和耐用性表）
❐ NoDelay™ 写入
先进的高可靠性铁电工艺
快速 2 线串行接口 (I2C)
频率高达 1-MHz
直接硬件替代串行 (I2C) EEPROM
❐ 支持 100 kHz 和 400 kHz 的传统时序
低功耗
❐ 100 kHz 时的 100 A 有效电流
4 A（典型值）待机电流
电压工作： VDD = 4.5 V 至 5.5 V
工业温度：-40 C 至 +85 C
8 引脚小外形集成电路 (SOIC) 封装
符合有害物质限制 (RoHS) 标准
功能说明
FM24C16B 是一款 16KB 非易失性存储器，采用了先进的铁电工艺。
先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器
存储器或 F-RAM 是非易失性存储器，其读写功能与 RAM 相似。
类似于 RAM。它能提供 151 年的可靠数据保留
同时消除了 EEPROM 带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。
EEPROM 和其他非易失性存储器造成的复杂性、开销和系统级可靠性问题。
存储器造成的复杂性和系统级可靠性问题。
与 EEPROM 不同，FM24C16B 以总线速度执行写入操作。
总线速度执行写入操作。不会产生写入延迟。数据写入存储器阵列
数据写入存储器阵列。
数据写入存储器阵列。下一个总线周期可以开始
无需进行数据轮询。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品还具有
此外，与其他非易失性存储器相比，该产品还具有很强的写入耐用性。
此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有很强的写入耐用性。此外，F-RAM 在写入过程中的功耗也比 EEPROM 低得多。
因为写入操作不需要为写入电路提供内部升高的电源电压。
写入电路的电源电压。FM24C16B
能够支持 1014 次读/写循环，即写循环次数是 EEPROM 的 1 亿倍。
倍。
这些功能使 FM24C16B 成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想之选。
存储器应用的理想选择。
例如，在数据记录应用中，写入循环的次数可能至关重要。
到要求苛刻的工业控制，在这些应用中，EEPROM 的写入时间较长。
EEPROM 的长时间写入会导致数据丢失。这些
这些功能的结合，使数据写入更加频繁，同时
减少系统开销。
FM24C16B 为串行（I2C）EEPROM 的用户提供了极大的好处。
(I2C) EEPROM 的用户带来了实质性的好处。器件
在工业温度范围
温度范围为 -40 C 至 +85 C。
