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电子发烧友网>电源/新能源>基准/监控/保护电路>驱动器UCC27201上电时刻HO引脚误脉冲的分析及解决

驱动器UCC27201上电时刻HO引脚误脉冲的分析及解决

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Texas Instruments UCC21551/UCC21551-Q1双通道隔离式栅极驱动器采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流设计,用于驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。该隔离式
2025-08-06 15:09:10941

德州仪器UCC21550-Q1双通道栅极驱动器技术解析

Texas Instruments UCC21550/UCC21550-Q1双通道栅极驱动器是隔离型驱动器,具有可编程死区时间和-40°C至150°C的宽温度范围。这些栅极驱动器设计有4A峰值拉电流
2025-08-11 14:36:401139

Texas Instruments UCC44273单通道栅极驱动器技术解析

驱动电流能力。UCC44273栅极驱动器可以向电容负载提供和吸收高峰值电流脉冲,从而提供轨到轨驱动能力和13ns的小传播延迟。该单通道栅极驱动器的工作电压范围为4.5V至18V,工作温度范围为-40
2025-08-11 14:49:441823

UCC27444-Q1高速低侧栅极驱动器技术解析与应用指南

Texas Instruments UCC27442-Q1双通道高速低侧栅极驱动器可有效驱动MOSFET和GaN电源开关。UCC 27442-Q1的典型峰值驱动强度为4A,可缩短电源开关的上升
2025-08-13 10:49:02775

UCC27332-Q1高速低侧栅极驱动器技术解析与应用指南

Texas Instruments UCC27332-Q1单通道高速低侧栅极驱动器可有效驱动MOSFET和GaN电源开关。UCC27332-Q1具有9A的典型峰值驱动强度,这减少了电源开关的上升
2025-08-13 10:54:18837

UCC21755-Q1汽车级SiC/IGBT栅极驱动器技术解析

Texas Instruments UCC21755-Q1汽车栅极驱动器设计用于高达2121V~pk~ 的SiC MOSFET和IGBT。UCC21755-Q1具有高级保护特性、同类最佳的动态性能和稳健性。
2025-08-27 15:17:201657

基于UCC27614的低侧栅极驱动器技术解析与应用指南

UCC27614-Q1驱动器符合AEC-Q100标准,适用于汽车应用。此系列驱动器可用于太阳能电源、大功率缓冲脉冲变压驱动器和电信开关模式电源。
2025-09-18 10:48:38719

UCC27624双通道低侧栅极驱动器技术解析

UCC27624-Q1符合汽车应用类AEC-Q100标准。此系列驱动器可用于汽车直流-直流转换、电机驱动器、太阳能电源和脉冲变压驱动器
2025-09-18 14:47:59757

‌Texas Instruments UCC27624EVM驱动器评估模块技术解析

Texas Instruments UCC27624EVM驱动器评估模块 (EVM) 设计用于评估UCC27624 30V、5A单通道栅极驱动器。该评估模块设计用于根据数据手册参数评估驱动器IC。该
2025-09-18 15:10:28538

UCC27735-Q1 汽车级高速半桥栅极驱动器技术文档总结

UCC2773x-Q1 是一款 700V 半桥栅极驱动器,具有 3.5A 源电流和 4A 灌电流能力,旨在驱动功率 MOSFET 和 IGBT。该器件由一个接地基准通道 (LO) 和一个浮动通道
2025-09-24 14:47:351199

UCC57142 3A 低侧驱动器技术手册

OCP 引脚提供过流保护。当在 OCP 引脚上检测到过流信号时,内部电路将下拉 EN/FLT 引脚以报告故障并强制 OUT 到低电平。在驱动器正常运行期间,EN/FLT 需要一个外部拉电路。将 EN
2025-09-25 10:14:411443

UCC57148 3A 低侧驱动器技术手册

UCC5714x 通过 OCP 引脚提供过流保护。当在 OCP 引脚上检测到过流信号时,内部电路将下拉 EN/FLT 引脚以报告故障并强制 OUT 到低电平。在驱动器正常运行期间,EN/FLT
2025-09-25 10:22:571390

UCC21351-Q1 汽车级隔离双通道栅极驱动器技术文档总结

UCC21351-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器系列,具有可编程死区时间和宽温度范围。它采用 4A 峰源电流和 6A 峰灌电流设计,可驱动功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶体管
2025-09-25 14:14:21587

UCC2773x 高边/低边栅极驱动器技术文档摘要

UCC2773x 是一款 700V 半桥栅极驱动器,具有 3.5A 源电流和 4A 灌电流能力,旨在驱动功率 MOSFET 和 IGBT。该器件由一个接地基准通道 (LO) 和一个浮动通道 (HO
2025-10-10 14:53:261328

UCC2773x-Q1 汽车级700V半桥栅极驱动器技术文档总结

UCC2773x-Q1 是一款 700V 半桥栅极驱动器,具有 3.5A 源电流和 4A 灌电流能力,旨在驱动功率 MOSFET 和 IGBT。该器件由一个接地基准通道 (LO) 和一个浮动通道
2025-10-10 14:58:35463

UCC27735 700V半桥栅极驱动器技术文档总结

UCC2773x 是一款 700V 半桥栅极驱动器,具有 3.5A 源电流和 4A 灌电流能力,适用于驱动功率 MOSFET 和 IGBT。该器件由一个接地基准通道 (LO) 和一个浮动通道 (HO
2025-10-10 15:05:041378

UCC27834 230V半桥栅极驱动器技术文档总结

UCC278X4是一款 230V 半桥栅极驱动器,具有 3.5A 源极电流、4A 灌电流,用于驱动功率 MOSFET。该器件由一个接地参考通道 (LO) 和一个浮动通道 (HO) 组成,设计用于
2025-10-10 15:16:30450

UCC218915-Q1 汽车级单通道隔离预驱动器技术文档总结

UCC218915-Q1 是一款隔离式单通道预驱动器,专为工作电压高达 1500V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计,具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。UCC218915-Q1具有双通道2.8A输出,可直接驱动外部缓冲NMOS/PMOS对。
2025-10-10 15:27:481654

UCC21330 隔离双通道栅极驱动器总结

UCC21330是一个隔离式双通道栅极驱动器系列,具有可编程死区时间和宽温度范围。它采用 4A 峰值源电流和 6A 峰值吸收电流设计,可驱动功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶体管
2025-10-11 16:20:142362

UCC27614 低边栅极驱动器技术文档总结

UCC27614是一款单通道、高速、低侧栅极驱动器,能够有效驱动 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 功率开关。UCC27614具有 10 A 的典型峰值驱动强度,可减少电源开关的上升
2025-10-14 11:09:29498

UCC23313 光耦兼容型单通道隔离栅极驱动器技术文档总结

V 的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23313可以驱动低侧和高侧功率 FET。与基于光耦合的标准栅极驱动器相比,关键特性和特性带来了显着的性能和可靠性升级,同时在原理图和布局设计中保持引脚引脚的兼容性。
2025-10-15 15:22:57495

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