‌UCC27735-Q1 汽车级高速半桥栅极驱动器技术文档总结

UCC2773x-Q1 是一款 700V 半桥栅极驱动器，具有 3.5A 源电流和 4A 灌电流能力，旨在驱动功率 MOSFET 和 IGBT。该器件由一个接地基准通道 （LO） 和一个浮动通道 （HO） 组成，设计用于驱动半桥配置的 MOSFET 和使用自举电源工作的 IGBT。该器件具有强大的驱动功能，具有出色的噪声和瞬态抗扰度，包括输入端的大负电压容差、高dV/dt容差、开关节点（HS）上的宽负瞬态安全工作区（NTSOA）和互锁。

该器件接受10V至21V的宽偏置电源输入，并为VDD和HB偏置电源引脚提供UVLO保护。UCC2773x-Q1 采用各种封装，额定工作温度范围为 –40°C 至 150°C。
*附件：ucc27735-q1.pdf

特性

• 符合 AEC-Q100 标准，适用于汽车应用
  • 设备温度等级 1
• 高侧、低侧配置，具有独立输入
• 最大自举电压为 +700V（HB 引脚）
• 4A 灌电流峰值输出电流，3.5A 源电流
• 典型 32ns 传播延迟
• HO/LO之间的传播延迟匹配在最大6ns以内
• VDD 偏置电源范围为 10V 至 21V
• 能够处理 –6V 的输入引脚
• 专为引导作而设计的浮动通道
• HS引脚上最大共模瞬态抗扰度为200V/ns
• 输入联锁功能（UCC2773x-Q1）
• 两个通道均内置 8V 欠压锁定 （UVLO）
• SOIC 14引脚封装，SOIC 8引脚封装

参数

方框图

‌1. 产品概述‌
UCC27735-Q1是德州仪器（TI）推出的汽车级700V半桥栅极驱动器，专为驱动功率MOSFET/IGBT设计，具有以下核心特性：

• ‌高驱动能力‌：峰值输出电流4A（灌电流）/3.5A（拉电流）。
• ‌高噪声免疫‌：支持200V/ns的共模瞬态抗扰度，适用于高频开关场景。
• ‌快速响应‌：典型传播延迟32ns，通道间延迟匹配≤6ns。
• ‌宽电压范围‌：VDD偏置电源10V-21V，最大自举电压700V（HB引脚）。

‌2. 关键特性‌

• ‌汽车认证‌：符合AEC-Q100 Grade 1标准（-40°C至150°C）。
• ‌灵活配置‌：独立高低侧输入（HI/LI），支持交叉互锁保护。
• ‌保护功能‌：双通道欠压锁定（UVLO）、负压输入耐受（-6V）。
• ‌封装选项‌：SOIC-8（3.91mm×4.90mm）和SOIC-14（3.91mm×8.65mm）。

‌3. 典型应用‌

• ‌电动汽车‌：车载充电器（OBC）、DC-DC转换器。
• ‌工业电源‌：服务器/电信电源、电池储能系统（BESS）。
• ‌家电与白电‌：电机驱动、PFC电路。

‌4. 功能模块详解‌

• ‌输入级‌：TTL/CMOS兼容，内置150kΩ下拉电阻，防止浮空误触发。
• ‌输出级‌：独特推挽结构（P+N MOSFET并联），优化米勒平台区驱动能力。
• ‌电平移位器‌：支持HS引脚负压瞬态（最低-9V@HB-HS=12V）。
• ‌使能控制‌（仅14引脚版本）：EN引脚可快速禁用输出，响应时间32ns。

‌5. 电气参数‌

• ‌UVLO阈值‌：VDD开启8.3V（典型），HB-HS开启7.6V（典型）。
• ‌静态电流‌：VDD至VSS约150μA（典型值）。
• ‌开关性能‌：上升/下降时间≤7ns（负载1nF时）。

‌6. 设计注意事项‌

• ‌布局建议‌：缩短高电流回路（如COM引脚路径），减少地弹噪声。
• ‌自举电容‌：容值需≥10倍栅极电容，推荐并联低ESR陶瓷电容。
• ‌负压处理‌：HS引脚瞬态负压需通过优化寄生电感控制。

‌7. 版本差异‌

• ‌UCC27734-Q1‌：8引脚封装，无独立EN功能，COM与VSS内部短接。
• ‌UCC27735-Q1‌：14引脚封装，支持使能控制，COM/VSS分离以降低噪声。

本文档完整覆盖器件规格、应用电路及可靠性设计指南，适用于高密度电源系统的开发需求。