UCC27211 驱动器基于流行的 UCC27201 MOSFET 驱动器,但提供了几项显著的性能改进。峰值输出上拉和下拉电流已增加到 3.7A 拉电流和 4.5A 灌电流,从而允许在通过 MOSFET 的米勒平台转换期间以最小的开关损耗驱动大功率 MOSFET。输入结构现在能够直接处理 –10VDC,这提高了稳健性,并且还允许直接连接到栅极驱动变压器,而无需使用整流二极管。输入也独立于电源电压,最大额定值为 20V。
*附件:ucc27211.pdf
开关节点(HS 引脚)可以处理最大 –(24 – VDD) V,从而可以保护高侧通道免受寄生电感和杂散电容引起的固有负电压的影响。UCC27211(TTL 输入)具有更高的输入迟滞,允许与模拟或数字 PWM 控制器接口,具有增强的抗噪能力。
低侧和高侧栅极驱动器可独立控制,并在彼此的导通和关断之间匹配 4 ns。片内 120V 额定电压的自举二极管消除了外部分立二极管。
为高压侧和低压侧驱动器提供欠压锁定功能,提供对称的导通和关断行为,并在驱动电压低于指定阈值时强制输出为低电平。
特性
- 通过独立输入在高侧和低侧配置中驱动两个 N 沟道 MOSFET
- 最大启动电压 120V DC
- 3.7A 拉电流、4.5A 灌电流输出电流
- 输入引脚可承受 –10V 至 20V 电压,并且与电源电压范围无关
- TTL 兼容输入版本
- 8V 至 17V VDD 工作范围,(绝对最大值 20V)
- 7.2ns 上升时间,5.5ns 下降时间,1000pF 负载
- 快速传播延迟时间(典型值为 20ns)
- 4ns 延迟匹配
- 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定
- 提供所有行业标准封装(SOIC-8、PowerPAD™ SOIC-8、4mm × 4mm SON-8 和 4mm × 4mm SON-10)
- 额定温度范围为 –40°C 至 150°C
参数
方框图
一、产品概述
- 型号:UCC
- 类型:V、3.7A/.A半桥驱动器
- 特点:
- 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET,具有独立输入
- 最大自举电压0V DC
- 高侧3.7A源电流,低侧.A沉电流
- 输入引脚可承受-0V至0V电压,与电源电压范围无关
- TTL兼容输入版本
- V至V VDD工作范围(绝对最大值为V)
- .ns上升时间和.ns下降时间(pF负载)
- 快速传播延迟时间(典型值为0ns)
- ns通道间延迟匹配
- 对称欠压锁定(UVLO)功能
二、应用领域
- 太阳能电源优化器和微型逆变器
- 电信和商用电源
- 在线和离线不间断电源(UPS)
- 储能系统
- 电池测试设备
三、引脚配置与功能
- VDD:正电源,为低侧栅极驱动器供电
- HB:高侧自举供电,连接自举电容正极
- HO:高侧输出,连接高侧功率MOSFET栅极
- HS:高侧源极连接,连接高侧功率MOSFET源极和自举电容负极
- VSS:负电源,通常接地
- LO:低侧输出,连接低侧功率MOSFET栅极
- LI、HI:低侧和高侧输入,分别控制低侧和高侧输出
- NC:未连接引脚
四、电气特性
- 供电电压(VDD) :V至V(绝对最大值为0V)
- 输入电压范围:HI和LI引脚-V至V
- 输出电流:高侧峰值.A源电流,低侧峰值.A沉电流
- 传播延迟:典型值为ns
- 上升/下降时间:高侧和低侧分别为.ns和5.5ns(0pF负载)
- UVLO阈值:VDD欠压锁定阈值为7.0V(带0.5V迟滞),VHB欠压锁定阈值为.V(带.V迟滞)
五、保护功能
六、典型应用
- 提供了在多种电源转换拓扑中的典型应用电路,包括半桥、全桥和同步降压配置
- 描述了设计要求和详细设计过程,包括输入阈值选择、VDD和自举电容设计、传播延迟和功率耗散考虑等
七、布局指南
- 推荐将驱动器尽可能靠近MOSFET放置,以最小化寄生电感
- 在VDD和VSS之间以及HB和HS之间放置旁路电容,以改善电源去耦
- 提供了布局示例和热设计考虑,以确保最佳热性能和效率
八、文档与支持
- 提供了相关技术文档、设计资源和社区支持的链接
- 提供了静电放电警示和术语表
九、封装与可订购信息
- 提供SOIC-、PowerPAD SOIC-8、4mm × 4mm SON-8和4mm × 4mm SON-等多种封装选项
- 提供了详细的封装尺寸、材料、引脚分配和可订购代码信息
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