10V 时，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大导通电阻 (Rds(on))分别为 0.8毫欧和和0.75毫欧。新MOSFET的裸片单位面积(Rds(on))电阻非常低，因此可以采用节省空间且热效
2022-06-24 09:57:45
2122 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441436 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款采用热增强型2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封装的单路12V器件--- SiA447DJ，
2012-10-09 11:28:301180 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403486 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，将Vishay的ThunderFET®应用到更小的封装尺寸上。
2013-01-09 11:42:301823 IR近日推出配备IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可为各种高效工业应用提供基准导通电阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有极低的导通电阻，有助于提升系统效率，还可让设计人员在多个MOSFET并联使用时减少产品的组件数量。
2013-01-22 13:27:211630 MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET®技术的电压扩展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的导通电阻低至18mΩ和23mΩ，同时保持低栅极电荷，在10V和7.5V下的典型电荷为31nC和22.8nC。
2013-04-23 11:47:112875 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用小尺寸PowerPAK® 8x8封装的600V E系列功率
2015-10-12 13:58:282813 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10 V条件下最大导通电阻降至4 m，采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。
2019-10-05 07:04:006418 Vishay推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。
2019-12-13 15:54:001878 业内首款采用鸥翼引线结构5 mm x 6 mm 紧凑型PowerPAK® SO-8L封装器件，导通电阻仅为30 mΩ。
2021-01-11 12:01:501291 器件采用PowerPAK® 1212‑8S封装，导通电阻低至0.95 mW，优异的FOM仅为29.8 mW*nC。
2021-05-25 10:24:33990 Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 沟道SiHK045N60E导通电阻比前一代600 V E
2022-02-21 11:18:052299 
2N7002KDW 是一款采用 SOT363封装 的双N沟道MOSFET，集成了ESD保护功能，兼具低导通电阻（RDS(ON)）与高耐压（60V）特性。其超小封装和低阈值电压（VTH=1.6V）使其
2025-04-27 16:59:26
、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强、SGT工艺，开关损耗小60V50A低内阻低结电容N沟道MOS管HG012N06L`
2020-09-24 16:34:09
（1）Rds（on）和导通损耗直接相关，RDSON越小，功率MOSFET的导通损耗越小、效率越高、工作温升越低。
（2）Rds（on）时正温度系数，会随着MOSFET温度升高而变大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
HC60660V6ASOT23-3封封装内阻90mR型号：HC706N沟道场效应管60V7ASOP-8封装内阻80mR型号：HC020N03L N沟道场效应管30V30A TO-252 内阻20mR
2020-07-24 17:25:11
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
TO-252封装 N沟道SL300930V9A 15毫欧SOP-8封装 N沟道SL304230V88A8.5毫欧DFN5x6A-8_EP封装 N沟道SL340030V5.7A18毫欧SOT23-3L封装
2020-06-06 10:41:14
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-13 09:16:34
Voltage100V最大漏极电流Id Drain Current170mA/0.17A源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance3.4
2019-11-13 11:00:58
超级结MOSFET是与平面MOSFET相比，导通电阻和栅极电荷（Qg）显著降低的MOSFET。ROHM的600V超级结MOSFET具有高速、低噪声、高效率的特性，并已扩展为系列化产品，现已发展到
2018-12-05 10:00:15
Transistor）。由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道
2018-03-03 13:58:23
场效应管30V39A N沟道 DFN3x3-8 功率MOS管【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封装N沟道
2020-06-10 14:31:13
*3-8N沟道SLN30P03T品牌：美浦森 电压：-30V 电流：-30A封装：DFN3*3-8P沟道SLD80N06T品牌：美浦森 电压：60V 电流：80A封装：TO-252N沟道
2021-04-07 15:06:41
1.低导通电阻 卓越的沟槽工艺与封装技术相结合实现了低的导通电阻。这有助于提升您应用中的产品性能。 2.小型封装产品阵容3.封装类型[tr=transparent]Toshiba Package
2018-05-15 22:37:38
型号：HC080N06LSN沟道场效应管 丝印HC606 60V6ASOT23-3封装 内阻90mR型号：HC706N沟道场效应管60V7A SOP-8封装内阻80mR型号：HC020N03LN沟道
2020-09-23 11:38:52
。BD35395FJ-M终端稳压器IC具有低的高侧导通电阻和低侧导通电阻以及大负载输出电流能力。该芯片高侧和低侧导通电阻值典型值均为0.35Ω，输出电流范围为-1.0A到1.0A。它的输入电压范围为2.7V至
2019-04-28 05:31:27
，它代表金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道
2021-04-09 09:20:10
30V41A14毫欧TO-252封装 N沟道SL300930V9A 15毫欧SOP-8封装 N沟道SL304230V88A8.5毫欧DFN5x6A-8_EP封装 N沟道SL340030V5.7A18毫欧
2020-06-12 10:03:55
40V的MOSFET的通态电阻降低了40%，而阻断电压为60V的MOSFET的通态电阻降幅甚至达到48%以上。 迄今为止，英飞凌是全球首家推出采用SuperSO8封装、最大通态电阻不足1毫欧的40V
2018-12-06 09:46:29
（屏蔽栅极槽）技术。是一款高效、低导通电阻的N沟道MOSFET，适合用于各种高频、高效电源管理应用，尤其在DC/DC转换器、无线充电和同步整流等领域表现优异。
---产品特点---
· 低导通电阻
2024-10-14 09:40:16
PN结转化为掩埋PN结，在相同的N-掺杂浓度时，阻断电压还可进一步提高。 内建横向电场MOSFET的主要特性 1、 导通电阻的降低 INFINEON的内建横向电场的MOSFET，耐压600V
2023-02-27 11:52:38
Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω，栅极电荷减小为48nC，采
2010-07-16 15:05:24
17 采用PowerPAK SC-75封装的额定电压8～30V的P通道功率MOSFET
这些p 通道功率 MOSFET 系列包括额定电压介于 8V～30V 的多个器件。日前推出的这些器件包括业界首款采用
2008-08-23 15:08:371627 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 小信号应用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封装能节约更多
2009-12-31 09:59:442304 导通电阻,导通电阻的结构和作用是什么?
传统模拟开关的结构如图1所示，它由N沟道MOSFET与P沟道MOSFET并联构成，可使正负信号传输，如果将不同VI
2010-03-23 09:27:475716 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:521102 IR推出汽车专用MOSFET系列低导通电阻
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:321055 IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341902 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 飞兆半导体推出了导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是最大RDS(ON)值为0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N沟道器件，它是业界采用5×6mm POWER56封装且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2011-01-26 09:04:081830 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率
2011-10-21 08:53:051058 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术，导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A，在8种封装中实现低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241360 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK
2013-07-15 11:32:401182 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211312 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:051119 的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的这两款器件可用于车载
2013-12-13 15:07:131158 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK® SC-70封装的新款-30V、12V VGS P沟道
2014-04-29 16:30:441122 转换器中节省空间和电能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N沟道TrenchFET®器件把高边和低边MOSFET组合进小尺寸5mm x 6mm PowerPAK® SO-8L双片不对称封装里，低边MOSFET的最大导通电阻低至3.3mΩ。
2016-07-11 14:33:171295 今天推出的MOSFET由Vishay Siliconix设计和开发，表面贴装PowerPAK SO-8L封装完全符合RoHS，无卤素，无铅。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N
2016-07-18 16:19:592081 MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，为通信、工业和企业级电源提供了
2017-02-10 15:10:112189 最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:011015 Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET® Gen IV功率MOSFET技术。
2021-04-21 17:50:211914 
Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212‑8S 封装，导通电阻低至 0.95 mΩ，优异的 FOM 仅为 29.8 mΩ*nC Vishay 推出多功能
2021-05-28 17:25:573908 适用于标准栅极驱动电路的MOSFET8月12日，Vishay推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET——SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10 V
2021-12-05 10:21:115 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60E 导通电阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:352298 （NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK® 10 x 12封装的新型第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay
2022-10-12 15:44:14780 
Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60EF 导通电阻比前代器件降低 29 %，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降 60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中 600V MOSFET 的重要优值系数（FOM）创业界新低。
2022-10-14 16:16:121359 NMOS TO-252 低内阻 BVDSS : 80V ID : 110A RDS(ON) : 6.0mΩ 电机驱动推荐。该功率MOSFET采用SAMWIN的先进技术生产。该技术使得功率MOSFET具有更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其是优异的雪崩特性。
2022-11-21 15:13:090 SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技术实现优异导通电阻和栅极电荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型导通电阻分别为2.02 m和2.93 m，SiZF5302DT相同条件下导通电阻分别为2.7 m和4.4 m。
2023-02-06 14:44:22919 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-NX7002BKH
2023-02-07 18:57:170 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-NX138BKH
2023-02-07 18:57:470 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-NX138AKH
2023-02-07 18:57:590 60 / 50 V，330 / 170 mA N/P 沟道沟槽 MOSFET-NX1029X
2023-02-07 19:57:500 采用 LFPAK88 封装的 NextPower 80 V、1.8 mOhm、270 A、N 沟道 MOSFET-PSMN1R8-80SSF
2023-02-07 20:09:170 采用 LFPAK88 封装的 NextPower 80 V、2.8 mOhm、190 A、N 沟道 MOSFET-PSMN2R8-80SSF
2023-02-09 19:21:000 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMPB8XN
2023-02-20 19:36:100 LFPAK56 中的 N 沟道 80 V、8 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN8R0-80YL
2023-02-22 18:55:510 TO-220 封装的 N 沟道 80 V、3.5 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN3R5-80PS
2023-02-22 19:00:220 TO-220 封装的 N 沟道 80 V、3.3 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN3R3-80PS
2023-02-22 19:00:520 采用 TO220 封装的 NextPower 100 V、8.7 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF
2023-02-23 18:42:140 N 沟道 LFPAK 60 V、8 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN8R5-60YS
2023-02-23 18:46:320 N 沟道 LFPAK 80 V 8.5 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN8R2-80YS
2023-02-27 19:19:250 TO-220 中的 N 沟道 80 V 8.7 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN8R7-80PS
2023-03-02 22:24:430 D2PAK 中的 N 沟道 80 V 8.7 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN8R7-80BS
2023-03-03 18:53:010 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N沟道共漏MOSFET，适用于带USB的设备和电池组保护。产品发货即日起开始。
2023-11-08 16:22:221294 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。
2023-11-09 17:39:101320 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:021362 东芝近日发布了两款专为车载环境设计的N沟道功率MOSFET产品——“XPQR8308QB”（80V）和“XPQ1R00AQB”（100V），均采用了其前沿的L-TOGL™封装技术。这两款新品不仅集成了东芝最新一代的U-MOS X-H工艺，使得导通电阻达到极低水平，极大提升了能效。
2024-05-08 14:35:421114 威世科技Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布了一项重大技术突破，推出了首款采用新型PowerPAK® 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET——SiHR080N60E。这款新型功率MOSFET为通信、工业和计算应用提供了前所未有的高效高功率密度解决方案。
2024-05-10 10:48:121771 Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封装的第四代 600 V E 系列功率MOSFET，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。
2024-05-10 11:47:422283 
近日，昕感科技发布一款兼容15V栅压驱动的1200V低导通电阻SiC MOSFET产品N2M120013PP0，导通电阻在15V栅压下低至13mΩ，配合低热阻TO-247-4L Plus封装，可以有效提升电流能力，满足客户的大功率应用需求。
2024-05-11 10:15:441889 
Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET产品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK® 8 x 8 LR封装技术，标志着第四代600V E系列功率MOSFET的诞生。这一创新产品为通信、工业及计算领域带来了前所未有的高效高功率密度解决方案。
2024-05-14 15:33:381341 2N7002KDW 是一款采用 SOT363封装 的双N沟道MOSFET，集成了ESD保护功能，兼具低导通电阻（RDS(ON)）与高耐压（60V）特性。其超小封装和低阈值电压（VTH=1.6V）使其成为便携式设备、信号开关和ESD敏感电路的理想选择。
2025-04-29 18:14:340 仁懋电子（MOT）推出的MOT6120T是一款面向60V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借1.5mΩ超低导通电阻、229A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装，适用于高功率系统
2025-11-10 15:50:16247 
仁懋电子（MOT）推出的MOT6511J是一款面向60V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低导通电阻、大电流承载能力及PDFN3X3-8L小型化封装，适用于电机驱动（电动工具
2025-11-11 09:34:34187 ^®^ 8mmx8mm接合无线（BWL）封装，在V~GS~ 为10V时具有0.00115Ω超低导通电阻，可最大限度地降低导通损耗并提高散热性能。Vishay/Siliconix MOSFET具有260A的最大
2025-11-11 13:53:18348 Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET，采用PowerPAK ® 8 x 8LR封装。该MOSFET可为
2025-11-14 10:32:18365 
仁懋电子（MOT）推出的MOT6522J是一款面向60V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借先进沟槽技术、低导通电阻及低栅极电荷特性，适用于负载开关、PWM应用、电源管理等领域。一
2025-11-21 10:57:56177 应用。该器件的漏极-源极电压为80V，连续漏极电流为299A。安森美NVBLS1D2N08X MOSFET采用H-PSOF8L封装。
2025-11-24 09:29:21320 
安森美NTMFSS0D9N03P8 N沟道MOSFET是一款单源下MOSFET，具有低 ~RDS (on)~ ，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低~QG~ 和电容，可最大限度地降低驱动器损耗。该
2025-11-24 15:35:18263 
威兆半导体推出的VS6614GS是一款面向60V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOP8封装，适配低压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率
2025-12-17 18:09:01209 
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