昕感科技发布一款1200V低导通电阻SiC MOSFET产品N2M120013PP0

半导体产业网获悉：近日，昕感科技发布一款兼容15V栅压驱动的1200V低导通电阻SiC MOSFET产品N2M120013PP0，导通电阻在15V栅压下低至13mΩ，配合低热阻TO-247-4L Plus封装，可以有效提升电流能力，满足客户的大功率应用需求。

推出兼容15V栅压驱动的低导通电阻SiC MOSFET新产品，标志着昕感科技在大电流低导通电阻产品和技术研发方面取得新的突破，进一步加速推动新能源领域中功率器件的国产化进程。

■N2M120013PP0产品导通特性及阻断特性

昕感科技1200V/13mΩ SiC MOSFET产品推荐使用-3/+15V驱动栅压，满足IGBT应用电路中的+15V驱动要求，便于电力电子系统更新换代。同时，降低栅极电压可以缓解栅极电应力，提升器件的可靠性。

■N2M120013PP0产品阈值电压-温度曲线

昕感科技通过器件结构的综合优化设计，实现15V栅压驱动和高阈值电压的双重突破。新产品在25℃室温下阈值电压可达3.3V，在175℃高温下仍可达2.4V。高阈值电压特性能够有效降低应用中的误开启概率，避免应用端器件和系统失效。



昕感科技已在650V、1200V、1700V等电压平台上完成数十款SiC器件和模块产品量产，部分产品已通过AEC-Q101车规级可靠性认证。其中，1200V SiC MOSFET产品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等导通电阻规格，模块产品对标EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封装形式。

昕感科技聚焦于第三代半导体SiC功率器件和功率模块的技术突破创新和产品研发生产，致力于成为国内领先和具有国际影响力的功率半导体变革引领者。

审核编辑：刘清