N沟道耗尽型MOSFET
1) N沟道耗尽型MOSFET的结构
N
2009-09-16 09:41:43
25078 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
2011-04-01 10:41:591850 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441436 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件
2012-10-22 13:45:241488 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，将Vishay的ThunderFET®应用到更小的封装尺寸上。
2013-01-09 11:42:301823 日前，Vishay Intertechnology， Inc推出用于功率MOSFET、microBUCK® 功率IC和DrMOS产品的免费在线热仿真工具ThermaSim 3.0版。为精确分析仿真
2013-03-05 15:52:331389 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10 V条件下最大导通电阻降至4 m，采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。
2019-10-05 07:04:006418 Littelfuse P沟道功率MOSFETs，虽不及广泛使用的N沟道MOSFETs出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加， P沟道功率MOSFET的应用范围得到拓展。
2024-04-02 14:27:302758 
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大导通电阻，以及22A～47A的额定电流范围
2011-10-13 09:09:311541 Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 沟道SiHK045N60E导通电阻比前一代600 V E
2022-02-21 11:18:052299 
30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET
2023-01-30 10:09:49986 
`<p><font face="Verdana">N沟道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地，漏极连接到负载，当栅极施加正电压时，FET导通。N 沟道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它们
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
SIR882ADP - N-Channel 100 V (D-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
场效应管SIHU7N60E-GE3场效应管SI7370ADP-GE3场效应管SI4423DY-GE3场效应管SIR872ADP-T1-RE3场效应管SIE874DF-T1-GE3场效应管
2021-02-23 18:00:56
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。1、N沟通和P沟道
2016-12-07 11:36:11
LT1158上单个输入引脚的典型应用同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01
是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关，本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员，MOSFET可能代表能源传递最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
转换器拓扑结构，无论是隔离还是非隔离。 ADP1621通过测量n沟道MOSFET导通电阻上的压降，无需使用电流检测功率电阻
2019-05-30 09:08:12
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V（绝对最大值）的高压（HV）轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
。功率 MOSFET 的分类及优缺点和小功率 MOSFET 类似，功率 MOSFET 也有分为 N 沟道和 P 沟道两大类；每个大类又分为增强型和耗尽型两种。虽然耗尽型较之增强型有不少的优势，但实际上
2019-11-17 08:00:00
沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员，MOSFET可能代表能源传递最佳方案（Most Optimal Solution for Energy Transfer）的缩写。对工程师来说
2021-04-09 09:20:10
``VISHAY生产Si7658ADP，3000pcs/盘，Single N-Channel 30 V 0.0022 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8，60K原装现货，价格优势。联系QQ：864968599``
2014-04-02 16:25:18
(ON)。表1比较了TrenchFET IV产品SiRA00DP和采用以前最先进技术的SiR812DP TrenchFET Gen III功率MOSFET。新器件的RDS(ON)和Qg分别低30
2013-12-31 11:45:20
N沟道MOSFET管子接在电路中，好多芯片并联在一块，在不拆下的情况如何测量其好坏？
2024-09-20 06:39:03
Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω，栅极电荷减小为48nC，采
2010-07-16 15:05:24
17 Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向导引TO-252 DPAK 封装的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列产品。凭借反向成型的接脚，采取「SUR」封装的TrenchFET 能使该产品反向
2010-09-05 10:26:5964 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技术
日前，Vishay Intertechnology推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。这些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09883 
日前，Vishay Intertechnology宣布推出业界首款采用 MICRO FOOT 芯片级封装的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，该器件具有背面绝缘的特点。
Si8422DB 针对手机、PDA、数码相机、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:222091 随着这种新器件的发布，采用四种表面贴装封装类型的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET现已供货，其中包括耐热增强型PowerPAK® SO-8封装，它可在SO-8占位面积
2009-09-12 17:42:021048 N沟道增强型MOSFET
N沟道增强型MOSFET的工作原理
1) N沟道增强型MOSFET的结构N 沟道增强型
2009-09-16 09:38:1810743 Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强Pow
2009-11-23 17:10:23930 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP沟道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装，具
2009-11-25 17:56:521012 Vishay发布新款集成功率光敏
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款新的集成功率光敏，分别是输出电流为0.9A的VO2223和输出电流为1A的VO2223A，扩
2010-03-26 11:38:56973 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:521102 P沟道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351818 采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET -
2010-04-30 08:42:491125 日前，长期为军工和航天客户提供高可靠性分立和IC器件的供应商Vishay Intertechnology, Inc.宣布，该公司旗下子公司Vishay Siliconix位于加州Santa Clara的工厂已经通过了DSCC的
2010-07-07 18:08:291027 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:231339 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2011-01-26 09:04:081830 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，
2011-03-02 10:19:301776 日前，Vishay Intertechnology, Inc.发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。
2011-08-18 09:42:402991 MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET®功率
2011-10-21 08:53:051058 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:131025 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:191026 Mouser Electronics开始供应Vishay Siliconix第一款採用业界最小的晶片级封装，并将导通电阻降至 1.2V 的 MOSFET。
2012-11-26 09:28:421517 Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541791 Vishay发布采用小尺寸WCSP6封装的新款斜率控制的P沟道高边负载开关，器件可在1.5V～5.5V电压范围内工作，具有低至20mΩ的导通电阻、低静态电流， 导通电压上升斜率为3ms
2013-05-03 15:50:582187 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术，导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A，在8种封装中实现低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241360 ® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:401182 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211312 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:051119 的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的这两款器件可用于车载
2013-12-13 15:07:131158 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 Vishay发布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封装，使用TrenchFET® Gen IV技术的新款30V非对称双片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:511504 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK® SC-70封装的新款-30V、12V VGS P沟道
2014-04-29 16:30:441122 PowerPAK SC-70®封装的新款20V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:041121 转换器中节省空间和电能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N沟道TrenchFET®器件把高边和低边MOSFET组合进小尺寸5mm x 6mm PowerPAK® SO-8L双片不对称封装里，低边MOSFET的最大导通电阻低至3.3mΩ。
2016-07-11 14:33:171295 MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，为通信、工业和企业级电源提供了
2017-02-10 15:10:112189 宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 4 月25 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新的30V N沟道
2017-04-25 15:58:551806 MLP55-27L封装内组合了高性能N沟道沟槽式MOSFET和一颗控制器，具有高效率和高功率密度，并提高了长期可靠性，简化了热管理。
2018-05-21 10:56:002471 最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:011015 电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N沟道耗尽型功率
2021-05-27 12:18:589886 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP，这是采用PowerPAK® SO-8L
2020-12-15 16:09:502090 Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET® Gen IV功率MOSFET技术。
2021-04-21 17:50:211914 
LT1158：半桥N沟道功率MOSFET驱动器数据表
2021-05-20 18:32:194 新型 30 V n 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。 Vishay Siliconix SiSS52DN 采用热增强型 3.3 mm x
2021-05-28 17:25:573908 N沟道增强型功率MOSFET G23N06K规格书英文版
2021-12-02 10:49:100 适用于标准栅极驱动电路的MOSFET8月12日，Vishay推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET——SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10 V
2021-12-05 10:21:115 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款n沟道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。
2022-02-07 15:37:081783 
Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60E 导通电阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:352298 东芝拓展650V超结结构N沟道功率MOSFET新品 景嘉微发布JH920 东芝拓展新一代超级结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线 东芝电子元件及存储装置株式会社 （“东芝
2022-03-18 17:35:265831 Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60EF 导通电阻比前代器件降低 29 %，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降 60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中 600V MOSFET 的重要优值系数（FOM）创业界新低。
2022-10-14 16:16:121359 由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道MOSFET或N沟道MOSFET作为主开关。
2022-11-18 11:28:214033 两款新型 30 V 对称双通道 n 沟道功率 MOSFET，将高边和低边 TrenchFET Gen V MOSFET 组合在 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR 3x3FS 单体封装
2023-02-04 06:10:041602 
电子发烧友网站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列设计更绿色、更小的电源.pdf》资料免费下载
2023-11-13 15:11:290 Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:081686 
近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:021362 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:141480 功率MOSFET有二种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。如果功率
2024-10-30 15:24:171638 电子发烧友网站提供《LTS7446FL-N N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-24 11:23:032 电子发烧友网站提供《FS60N03 N沟道增强型功率MOSFET数据表.pdf》资料免费下载
2025-09-23 14:59:080 Vishay/Siliconix SiJK5100E N沟道MOSFET是一款TrenchFET^®^ 第五代功率MOSFET，具有100V漏源电压。该MOSFET具有536W最大功耗（+25°C
2025-11-11 13:42:26337 
Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^®^ 第四代N沟道MOSFET设计用于高效电源开关应用。SiEH4800EW采用紧凑型PowerPAK
2025-11-11 13:53:18348 Vishay/Siliconix SiJK140E N沟道40V（D-S）MOSFET采用TrenchFET^®^ 第五代功率技术。该MOSFET优化了功率效率，R~DS(on)~ 可最大限度地降低
2025-11-12 14:12:58320 Vishay SiRS5700DP N沟道150V（D-S）MOSFET是一款TrenchFET®第五代功率MOSFET，具有非常低的R~DS~ x Q~g~ 品质因数（FOM）。Vishay
2025-11-13 11:21:53433 
在电子工程师的日常设计工作中，MOSFET 作为关键的功率器件，其性能和特性直接影响着整个电路的运行效率和稳定性。今天，我们就来详细剖析 onsemi 推出的 NVMFWS004N10MC 这款 100V、3.9mΩ、138A 的单 N 沟道功率 MOSFET。
2025-12-01 15:35:07232 
在电子设计领域，功率 MOSFET 是至关重要的元件，它广泛应用于各类电源管理、电机驱动等电路中。今天，我们就来详细剖析 onsemi 推出的 NVMFWS003N10MC 单通道 N 沟道功率 MOSFET，看看它有哪些独特之处。
2025-12-02 11:43:20466 
在电子设计领域，功率MOSFET是不可或缺的关键元件，它广泛应用于电源管理、电机驱动等众多领域。今天就来详细探讨安森美（onsemi）推出的一款单通道N沟道功率MOSFET——NTMFS002N10MCL。
2025-12-08 14:53:47335 
在电子设计领域，MOSFET是不可或缺的关键元件。今天，我们来详细探讨Onsemi公司的NTMFS3D2N10MD这款N沟道功率MOSFET，看看它在实际应用中能为我们带来哪些优势。
2025-12-08 16:38:38548 
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