概述OC5862 是一款内置功率 MOSFET的单片降压型开关模式转换器。OC5862在 5.5-60V 宽输入电源范围内实现 0.8 A峰值输出电流，并且具有出色的线电压和负载调整率。OC5862
2023-03-28 17:12:54
想做一个0—60V的可调直流电路，一直找不到合适的解决方案。请教各位给出一个优质的解决方案
2015-11-28 15:44:47
30V 60V 100V mos管3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A贴片mos管【惠海半导体直销】30V 60V 100V mos管SOT23封装 TO-252 SOP-8 DFN3
2020-11-11 14:45:15
`30V 60V 100V mos管3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A贴片mos管【惠海半导体直销】30V 60V 100V mos管SOT23封装 TO-252 SOP-8
2020-11-03 15:38:19
(SOT)-23，漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上，你有空间受限的问题吗？”我问。他承认有，于是我让他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2022-11-16 07:06:25
` 在纯电阻电路里，导体中的电流跟导体两端的电压成正比，跟导体的电阻成反比,I=U/R由欧姆定律我们可以知道电压、电阻越大电流越小，电压、电阻越小电流越大。所以选型时要找60V Littelfuse
2017-08-22 10:36:50
的峰值输出电流 0.9Ω 的内部功率MOSFET 可采用大输出电容启动 低ESR 陶瓷电容输出稳定 效率高达 90% 固定 500kHz 频率 热关断 逐周期过流保护 宽输入电压范围：5.5~60V 采用SOT23-6 封装应用 电表 分布式电源系统 电池充电器 线性稳压器的预调节器典型应用电路图
2022-08-23 10:44:12
60V转5V稳压芯片，60V转3.3V稳压芯片，60V转3V稳压芯片，60V转1.8V稳压芯片，60V转5V降压芯片，60V转3.3V降压芯片，60V转3V降压芯片，60V转1.8V降压芯片。1
2020-11-18 10:00:48
产品概述：ZCC2459是一款内部集成有功率MOSFET管的降压型开关稳压器。以电流模式控制方式达到快速环路响应并提高环路的稳定性。宽范围输入电压（4.5 V至60V）提供0.5A电流的高效率输出
2019-10-24 09:26:59
：· 600mA连续输出电流能力· 4.5V至60V的宽输入范围· 集成80V/550mΩ高侧和80V/350mΩ低侧功率MOSFET开关· 效率高达95％· 内部软启动功能限制了开机时的浪涌电流· 内部
2022-08-18 15:21:12
概述SL3063是一款外部驱动MOSFET的降压型开关稳压器，工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压（6V至60V）可提供大电流高效率输出。SL3063安全保护机制包括逐周期
2022-05-23 09:31:25
`本人有60V电源驱动模块可免费提供，有需要的可联系我Q576309861已出售2000多个，自己DIY的，电压稳定，质量保障`
2014-08-20 13:59:32
60V转24V降压芯片，60V转20V降压芯片，60V转15V降压芯片，60V转12V降压芯片，60V转9V降压芯片60V转24V稳压芯片，60V转20V稳压芯片，60V转15V稳压芯片 ，60V转
2020-11-18 10:58:57
60V转24V降压芯片，60V转20V降压芯片，60V转15V降压芯片，60V转12V降压芯片，60V转9V降压芯片60V转24V稳压芯片，60V转20V稳压芯片，60V转15V稳压芯片 ，60V转
2020-11-18 10:53:17
： 输入电压范围:4.5V至60V输出电压可调：0.8V至6V内置350mΩ高压功率MOSFET最大1.2A开关电流转换效率高达90%逐周期电流保护內置过温保护功能SOP-8与STO23-6封装产品应用：1
2021-07-22 11:53:36
60V转24V，60V转20V，60V转15V ，60V转12V，60V转9V，60V转5V，60V转3.3V，60V转3V，60V转24V芯片，60V转20V芯片，60V转15V芯片 ，60V转
2020-10-07 18:24:04
/0.6A稳压芯片
DCDC60V降压12V/0.6A稳压芯片是一种常见的电源管理芯片，它可以将输入的60V直流电压降低到12V，并输出0.6A的电流。这种芯片通常采用PWM控制技术，具有高效率
2023-11-21 15:30:37
广大客户提供产品解决方案及FAE技术支持。 产品概述：SP6206是一款高效率、480KHZ固定开关频率PWM直流降压转换器，该转换器可以在4.5V至60V的宽输入电压范围内，输出0.5A连续电流，低纹波
2020-07-08 08:59:31
概述SL3062是一款内部集成功率MOSFET的降压型开关稳压器，工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压（6V至60V）可提供最大1.5A电流高效率输出。SL3062安全保护
2022-06-14 09:37:05
概述 SL3063是一款外部驱动MOSFET的降压型开关稳压器，工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压（6V至60V）可提供大电流高效率输出。 SL3063安全保护机制包括逐
2022-06-14 15:34:34
的非常宽的结温和存储温度范围.特征：•沟槽型Power MV MOSFET技术-60V•低RDS(ON)•低 GATE CHARGE•针对快速切换应用程序进行优化•VDS：-60V•ID (at VGS
2019-03-13 10:54:35
AP8852 是一款内部集成有功率MOSFET管的降压型开关稳压器。以电流模式控制方式达到快速环路响应并提高环路的稳定性。宽范围输入电压（4.5 V至60V）提供0.5A电流的高效率输出，可在移动
2019-12-03 14:38:08
ESOP8 封装。特点宽输入电压范围：3.6V~60V高效率：可高达 95%最高工作频率：350KHzCS 限流保护电压：250mVFB 电流采样电压：250mV芯片供电欠压保护：2.5V关断时间可调内置 60V 功率 MOS管ESOP8 封装应用领域LED 灯杯平板显示 LED 背光大功率 LED 照明
2019-07-23 09:04:56
ESOP8 封装。特点宽输入电压范围：3.6V~60V高效率：可高达 95%最高工作频率：350KHzCS 限流保护电压：250mVFB 电流采样电压：250mV芯片供电欠压保护：2.5V关断时间可调内置 60V 功率 MOS管ESOP8 封装应用领域LED 灯杯平板显示 LED 背光大功率 LED 照明
2019-09-07 10:00:41
ESOP8 封装。特点宽输入电压范围：3.6V~60V高效率：可高达 95%最高工作频率：350KHzCS 限流保护电压：250mVFB 电流采样电压：250mV芯片供电欠压保护：2.5V关断时间可调内置 60V 功率 MOS管ESOP8 封装应用领域LED 灯杯平板显示 LED 背光大功率 LED 照明
2019-11-25 08:48:01
内置 60V 功率 MOS管ESOP8 封装应用领域LED 灯杯平板显示 LED 背光大功率 LED 照明
2019-04-22 11:33:50
概述SL8530B 是一款内置60V 功率NMOS高效率、高精度的升压型大功率LED 恒流驱动芯片。SL8530B采用固定关断时间的控制方式，关断时间可通过外部电容进行调节，工作频率可根据用户要求而
2022-11-16 10:16:04
概述SL8311A是一款工作在电感电流连续模式下的降压型LED恒流驱动器。用于高效地驱动一颗或者多颗串联LED。芯片的输入电压范围为6V~60V，外置功率管，输出电流外部可调。SL8311A采用高端
2022-12-07 10:13:21
的电流采样电阻，能控制高亮度LED灯的驱动电流，使LED灯亮度达到预期恒定亮度。在EN端加PWM信号，还可以进行LED灯调光。H6900采用ESOP8封装。 特点宽输入电压范围：3.6V~60V效率：可
2020-10-22 16:32:20
频率进行调节或在 200kHz 至 700kHz 的范围内实施同步。在降压或升压操作中，无需上管 MOSFET 刷新开关周期。凭借 60V 输入、60V 输出能力以及工作区之间的无缝转换
2018-11-29 17:10:36
`深圳市三佛科技有限公司 供应 NCE60P04Y 新洁能 -4A -60V MOS管，原装，库存现货热销NCE60P04Y :-60V -4A SOT23-3L P沟道MOS 场效应管品牌：新洁能
2020-11-06 15:30:13
`深圳市三佛科技有限公司 NCE60P04Y 新洁能 -60V -4A SOT23-3L PMOS，原装，库存现货热销NCE60P04Y :-60V -4A SOT23-3L P沟道MOS 场效应管
2020-10-28 16:05:32
东芝新一代功率MOSFET产品帮助设计者降低各种电源管理电路的损耗及缩小板子的空间，包含直流-直流转换器的high side 及low side开关，以及交流-直流设计中的二次侧同步整流。此技术也适合马达控制及锂电池电子设备中的保护模组。
2019-08-02 08:07:22
、MOS管、LED/LEC驱动等等，广泛应用于台灯、钟表、LCD显示模块、数码伴侣、玩具、车灯、扭扭车、等各类工业和民用电器产品上OC5022B 是一款内置 60V 功率 MOS 高效率、高精度的开关降压
2020-04-08 14:24:18
。OC5822 采用 SOP8 封装，且外围元器件少。特点 1.5A 的最大输出电流 60V/2A 的内部功率 MOSFET 效率高达 93% 频率可调 热关断 逐周期过流保护 宽输入电压范围：6
2022-01-12 09:43:12
输出电流0.9Ω 的内部功率MOSFET可采用大输出电容启动低ESR 陶瓷电容输出稳定效率高达 90%固定 1 MHz 频率热关断逐周期过流保护宽输入电压范围：5.5~60V采用SOT23-6 封装应用 电表分布式电源系统电池充电器线性稳压器的预调节器
2020-05-09 14:50:06
、售前服务及服务，给用户提供最优质最具竞争力的产品以及最人性化最贴心的服务。一、概述OC5860 是一款内置功率 MOSFET的单片降压型开关模式转换器。OC5860在 5.5-60V 宽输入电源
2020-05-11 11:29:51
概述OC5864 是一款内置功率 MOSFET的单片降压型开关模式转换器。OC5864在5.5-60V 宽输入电源范围内实现 0.6 A峰值输出电流，并且具有出色的线电压和负载调整率。OC5864
2021-11-04 14:00:41
概述OC5864 是一款内置功率 MOSFET的单片降压型开关模式转换器。OC5864在5.5-60V 宽输入电源范围内实现 0.6 A峰值输出电流，并且具有出色的线电压和负载调整率。OC5864
2021-12-14 09:38:11
` 本帖最后由 tcy694513036 于 2020-12-16 10:57 编辑
OC6700 是一款内置 60V 功率 NMOS高效率、高精度的升压型大功率 LED 恒流驱动芯片
2020-11-03 15:25:27
概述OC6700B 是一款内置 60V 功率NMOS 高效率、高精度的升压型大功率LED 恒流驱动芯片。OC6700B 采用固定关断时间的控制方式，关断时间可通过外部电容进行调节，工作频率可根据用户
2021-12-21 10:38:02
概述OC6700B 是一款内置60V功率NMOS高效率、高精度的升压型大功率LED恒流驱动芯片。OC6700B采用固定关断时间的控制方式，关断时间可通过外部电容进行调节，工作频率可根据用户要求而改变
2020-05-26 10:48:15
概述OC6700B 是一款内置60V功率NMOS高效率、高精度的升压型大功率LED恒流驱动芯片。OC6700B采用固定关断时间的控制方式，关断时间可通过外部电容进行调节，工作频率可根据用户要求而改变
2020-05-23 09:55:11
、MOS管、LED/LEC驱动等等，广泛应用于台灯、钟表、LCD显示模块、数码伴侣、玩具、车灯、扭扭车、等各类工业和民用电器产品上一、概述OC6700 是一款内置 60V 功率 NMOS高效率、高精度
2020-05-12 11:35:15
概述OC6700B 是一款内置60V功率NMOS高效率、高精度的升压型大功率LED恒流驱动芯片。OC6700B采用固定关断时间的控制方式，关断时间可通过外部电容进行调节，工作频率可根据用户要求而改变
2020-05-22 09:55:05
概述OC6700B 是一款内置60V功率NMOS高效率、高精度的升压型大功率LED恒流驱动芯片。OC6700B采用固定关断时间的控制方式，关断时间可通过外部电容进行调节，工作频率可根据用户要求而改变
2020-05-23 09:57:20
PRD1193是基于ADP1613的30至60V输入级联SEPIC转换器，可在0至150mA电流下产生3.3V输出。 U1（ADP1613升压调节器）用作控制器IC，Q1是级联（源极驱动）功率开关MOSFET
2019-07-18 07:35:48
概述SL3037B 是一款内置功率MOSFET的单片降压型开关模式转换器。SL3037B在5.5-60V 宽输入电源范围内实现 0.6 A峰值输出电流，并且具有出色的线电压和负载调整率
2021-08-20 16:01:34
概述 SL3037 是一款内置功率MOSFET的单片降压型开关模式转换器。 SL3037在5.5-60V 宽输入电源范围内实现 0.5 A峰值输出电流，并且具有出色的线电压和负载调整率
2021-04-08 11:34:21
概述SL3039 是一款内置功率MOSFET的单片降压型开关模式转换器。SL3039在5.5-60V 宽输入电源范围内实现 0.8 A峰值输出电流，并且具有出色的线电压和负载调整率。SL3039
2021-11-03 09:19:46
深圳市森利威尔电子有限公司郑先生 *** QQ：2355368874SL3039 60V 0.8A 1MHZ 降压型转换器概述：SL3039 是一款内置功率MOSFET的单片降压型开关模式转换器
2021-04-07 17:55:14
概述SL3039 是一款内置功率MOSFET的单片降压型开关模式转换器。SL3039在5.5-60V 宽输入电源范围内实现 0.8 A峰值输出电流，并且具有出色的线电压和负载调整率。SL3039
2021-11-16 09:36:36
SL3039 60V 0.8A 1MHZ 降压型转换器概述：SL3039 是一款内置功率MOSFET的单片降压型开关模式转换器。SL3039在5.5-60V 宽输入电源范围内实现 0.8 A峰值输出
2022-03-09 10:04:33
60V/1.2A高调光比LED驱动器SL6115,超低成本 超高性价比，完全替代PT4115 PT4205 SN3360 SN3350 SN3351 MT7201C MT7201C+概述SL
2019-05-30 16:11:36
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
之前xl6009芯片资料说能升到60V,然而实际做出来只能到38V,比较郁闷,问一下有其他芯片能升压到60V或以上吗?
2017-04-02 16:45:35
概述OC5022B 是一款内置 60V 功率 MOS 高效率、高精度的开关降压型大功率 LED 恒流驱动芯片。 OC5022B 采用固定关断时间的峰值 电流控制方式，关断时间可通过外部电容 进行调节
2020-06-01 15:20:46
想做一个120V 10A 1200W的电子负载，原本想用5个IRFP4568 5个管子分开控制也就是每个2A，但是后来发现电压超过60V后
就会经常烧管子。但是管子承载的功率60V*2A=120W远远没有达到规格书上所说的PD 517W，这是为什么，不应该是驱动导致的吧？求大神们解惑！
2023-07-31 11:32:44
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V（绝对最大值）的高压（HV）轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
。概述：OC6700B 是一款内置 60V 功率NMOS 高效率、高精度的升压型大功率LED 恒流驱动芯片。OC6700B 采用固定关断时间的控制方式，关断时间可通过外部电容进行调节，工作频率可根据
2020-03-10 10:10:52
OC5862欧创芯0.8A，60V 降压型转换器Q Q 289 271 5427OC5862 是一款内置功率 MOSFET 的单片降压型开关模式转换器。OC5862 在 5.5-60V 宽输入电源
2020-05-08 21:47:07
全球知名的半导体厂商罗姆(ROHM)公司推出了一款内部集成高额定电压的功率MOSFET的电流模式同步降压转换器——BD9V101MUF-LB，它可以保证在工业市场长期支持。该芯片通过纳米脉冲控制技术
2019-04-01 06:20:06
销售及方案解决，提供原装正品芯片、提供技术支持、提供优先货源，保障客户利益，为客户提供全方面服务。OC6700B 是一款内置 60V 功率 NMOS 高效率、高精度的升压型大功率 LED 恒流驱动芯片
2020-04-08 15:06:59
输入60V，输出5V，元器件最好有参数，类似下图
2020-09-21 17:08:43
TI engineer! 我们现在用的是DRV8332，但是这款片子的耐压最高只有70V（额定50V），有点不够，想选一个额定耐压能超过60V的驱动芯片，功率几十瓦，电流几个安培就行，谢谢！
2019-07-17 13:14:46
测量高精度60V电量监测计
2019-09-18 08:56:50
三相电机驱动中的一相，电压是60V，其中 C4B 和 R5B 是吸收尖峰电压吗? 要如何选择型号呢 ？
2018-09-10 17:30:11
我这边用示波器测的60V的电源，输出纹波好大，不知道是测试问题还是电源的问题，示波器图片如下：
2014-12-30 18:35:44
产品概述：ZCC2459是一款内部集成有功率MOSFET管的降压型开关稳压器。以电流模式控制方式达到快速环路响应并提高环路的稳定性。宽范围输入电压（4.5 V至60V）提供0.5A电流的高效率输出
2020-12-17 14:47:30
，从而在不改变封装体积的情况下提高输出功率。另一个普遍的希望是，能够最终避免采用插件封装的器件（比如TO220、TO247）。阻断电压为40V和60V的最新一代英飞凌MOSFET，如今可满足设计工
2018-12-06 09:46:29
简化48V至60V直流馈电三相逆变的方法
2020-11-27 06:43:34
请问 TI 有没有合适的芯片可以将3.7V 18350锂电池升压至 60V，功率12W左右的呢，谢谢~
2019-04-11 06:33:23
的一些功能也使其适用于给电池和超级电容器充电。LT3761 的4.5V至60V的输入电压范围使该器件适用于多种应用，包括汽车、工业和建筑照明。LT3761 采用一个外部 N 沟道 MOSFET，可用一个
2012-12-12 17:01:33
60V/20A 功率管及 5.6V 稳压管亮度可调：EN 端的PWM 调光和DIM 端的线性调光应用领域:LED 手电筒IC大功率LED驱动汽车灯照明太阳能照明系统电动车，摩托车灯照明LED 汽车
2018-07-26 10:11:50
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:35
1491 60V转5V，60V转12V的降压芯片规格书，0.1A-10A
2020-11-25 17:54:42
38 60V 输入降压型大功率控制器
2021-03-21 10:56:229 Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET® Gen IV功率MOSFET技术。
2021-04-21 17:50:211274 
60V零漂移
2021-05-14 21:27:110 60V电池煤气表
2021-05-16 15:54:071 NP50P06D6(60V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-13 10:49:341560 
借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小您的元件占位面积
2022-11-02 08:16:250 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002H
2023-02-15 18:44:250 60 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BUK6Y33-60P
2023-02-17 18:44:050 60 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PSMP061-60YE
2023-02-17 18:45:550 60 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PSMP033-60YE
2023-02-17 18:46:150 60 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BUK6Y61-60P
2023-02-20 19:13:270 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK7D36-60E
2023-02-20 19:14:442 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D210-60E
2023-02-20 19:57:030 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D125-60E
2023-02-20 19:57:430 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D77-60E
2023-02-20 20:03:400 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D56-60E
2023-02-20 20:04:170 60 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D120-60P
2023-02-22 18:53:020 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D43-60E
2023-02-23 19:05:270 60V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV230ENEA
2023-03-03 19:34:480 根据参数可知，SMAJ60A属于贴片、小功率瞬态TVS抑制二极管，工作电压60V，单向。SMAJ60A与SMAJ60CA的区别，查看产品手册对应型号参数可知，前者是单向，丝印RK，后者是双向，丝印ZK。在实际应用中，SMAJ60CA可替代SMAJ60A，具体替代详情，建议咨询东沃电子FAE工程师。
2022-06-09 10:58:50596 
概述AS7210AP是一款用于替代反激变换器中副边肖特基二极管的高性能同步整流功率开关，内置60V超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。支持“HighSide浮地”和“LowSide共地”同步
2023-10-14 16:09:15441 
供应DP4021反激副边同步整流芯片内置60V功率MOSFET，提供DP4021规格书关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-15 17:08:092
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