国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具备低导通电阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MOSFET，适用于汽油和柴油发动机压电喷射系统。
2012-08-15 11:25:08
1422 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 近日推出具有超低导通电阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，适合各种工业应用，包括电
2012-12-04 22:17:341235 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 宣布推出汽车级COOLiRFET ® MOSFET系列，为重载应用提供基准导通电阻
2013-05-20 15:13:301738 1、超级结构 高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压
2023-10-07 09:57:362774 
日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%，降低压降并减小传导损耗，从而实现更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
监测直流电池堆，电压是0-300V，电流可达200A。想用单片机的ADC监测电压大小，精度为0.5%*300V（也就是1.5V），是否有什么好的方案。
2017-05-31 11:51:33
请问一下有没有300V直流转12V和电流达到500mA以上的芯片？谢谢了
2018-12-27 14:55:50
大家好！300V直流转15V直流，可以不用开关变压器吗？
2011-07-17 13:42:50
300V，20A的主流电源怎么做，求高手赐教，谢谢
2015-11-11 09:54:16
独立高侧和低侧参考输出通道。该输出驱动器有一个高脉冲电流缓冲级，适用于最小的驱动器跨导，同时浮动通道可以用来驱动工作在高达600V高侧配置的N沟道功率MOSFET或 IGBT。这些器件可为两种通道提供
2008-11-13 20:40:15
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【关键词】：功率损耗,导通电阻
2010-05-06 08:55:20
. 总所周知，IR不仅是全球功率半导体领先供应商，还是管理方案领先供应商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技术,40V
2018-09-28 15:57:04
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 编辑
小弟在选择MOSFET型号，要求耐压300V左右，Id>7.5A，导通电阻越小越好，哪位大侠给推荐一款,万分感谢！
2012-08-17 15:19:08
。问题4：PWM芯片的供电电压为5V，去驱动通用驱动电压的功率MOSFET，有什么问题？问题分析：检查数据表中不同的VGS的导通电阻，发现对应的导通电阻变大，因此功率MOSFET的损耗将增加，温度升高，同时系统的效率降低。极端情况下在低温的时候，一些VTH偏上限的器件可能不能正常开通。
2016-12-21 11:39:07
NCP45521的典型（热插拔）电路是一种负载开关，可通过软启动为浪涌电流限制提供高效电源域切换的元件和面积减少解决方案。除了具有超低导通电阻的集成控制功能外，这些器件还通过故障保护和电源良好信号提供系统保护和监控
2020-04-17 10:09:17
型区。在功率MOSFET的内部，由许多这样的单元，也称“晶胞”，并联而成。硅片的面积越大，所能加工的单元越多，器件的导通电阻越小，能够通过的电流就越大；同样，在单位的面积的硅片上，能够加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58:30
R60xxMNx系列不仅保持了ROHM独有的PrestoMOS高速trr性能，还大大降低了导通电阻和Qg。在搭载变频器的空调等电机驱动应用案例中，与使用IGBT的情况相比，轻负载时的功率损耗可减少约56
2018-12-04 10:23:36
超级结MOSFET是与平面MOSFET相比，导通电阻和栅极电荷（Qg）显著降低的MOSFET。ROHM的600V超级结MOSFET具有高速、低噪声、高效率的特性，并已扩展为系列化产品，现已发展到
2018-12-05 10:00:15
A。尽管导通电阻很低 ，并且具有最佳的 SOA 电流能力，在 40 V/Tp=1 ms下具有8.1 A 电流，如图 2 所示。△图 2：PSMNR90-50SLH MOSFET 的 40 V/1
2022-10-28 16:18:03
的设计而言，它大幅降低了MOSFET导通电阻，并保持了出色的开关性能。 英飞凌推出的OptiMOS 3系列进一步改进了设计，使更高电压等级的器件能够受益于这种技术。在150 V 至250 V的电压
2018-12-07 10:21:41
MOSFET模型仿真验证Id_Vds有效性MOSFET模型导通电压Vgs(th)验证MOSFET模型导通电阻测试验证与体二极管I-V特性测试电路搭建MOSFET模型体二极管正向电流与正向电压关系I_V性能仿真验证
2017-04-12 20:43:49
，SiC-MOSFET在25℃时的变动很小，在25℃环境下特性相近的产品，差距变大，温度增高时SiC MOSFET的导通电阻变化较小。与IGBT的区别：关断损耗特性前面多次提到过，SiC功率元器件的开关特性优异，可处理
2018-12-03 14:29:26
与IGBT相比，SiC MOSFET具备更快的开关速度、更高的电流密度以及更低的导通电阻，非常适用于电网转换、电动汽车、家用电器等高功率应用。但是，在实际应用中，工程师需要考虑SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
说明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常见的结构。Si的功率MOSFET，因其高耐压且可降低导通电阻，近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近
2018-11-30 11:34:24
度的漂移层实现高耐压。 因此，在相同的耐压值情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。 例如900V时，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1
2023-02-07 16:40:49
情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。例如900V时，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以实现相同
2019-04-09 04:58:00
情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。例如900V时，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以实现相同
2019-05-07 06:21:55
导通电阻，提供出色的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。 这些器件非常适合于高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正。推荐产品：TSD5N65M；TSU5N65M；TSD5N50MR
2020-04-30 15:13:55
电压。导通电阻表示功率MOSFET完全开后的电阻，和上述的线性区工作状态并不相同。功率MOSFET的内部二极管导通的反向工作状态，因为其S、D极的电压为二极管的压降，因此并没有线性区的过程，也就
2017-04-06 14:57:20
stm32怎么测量300V直流电压
2023-09-26 08:11:18
状态之间转换，并且具有更低的导通电阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片内提供与 Si MOSFET 相同的导通电阻（图 1）。图 1：SiC MOSFET（右侧）与硅
2017-12-18 13:58:36
电气技师和电子制造工程师用接地导通电阻测试仪验证电器和消费产品（由交流电压供电）上的裸露金属是否适当地连接到了其机壳底座。当电器内部发生故障电流时，如果电器没有适当地连接到已接地的机壳底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
电源型产品，皆有提供。 BD9E100FJ-LB、BD9E101FJ-LB是ROHM推出的内置低导通电阻功率MOSFET的同步整流降压型开关稳压器，具有非常宽的输入电压范围。采用电流控制模式，具有高速
2019-04-01 22:19:17
ROHM推出内置耐压高达80V的MOSFET的DC/DC转换器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐压是内置功率晶体管的非隔离型DC/DC转换器IC的业界最高水平，在ROHM的DC/DC
2018-10-19 16:47:06
ROHM推出内置耐压高达80V的MOSFET的DC/DC转换器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐压是内置功率晶体管的非隔离型DC/DC转换器IC的业界最高水平，在ROHM的DC/DC转换器
2018-12-04 10:10:43
系列Hybrid MOS是同时具备超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”）的高速开关和低电流时的低导通电阻、IGBT的高耐压和大电流时的低导通电阻这些优异特性的新结构MOSFET。下面为
2018-11-28 14:25:36
所示。Q1为放电管，使用N沟道增强型MOSFET,实际的工作中，根据不同的应用，会使用多个功率MOSFET并联工作，以减小导通电阻，增强散热性能。RS为电池等效内阻，LP为电池引线电感。 正常工作
2018-09-30 16:14:38
如题，AD8422仅支持最大+-40V的共模电压，如何使用AD8422实现高达300V共模电压的差分信号检测？
2023-11-20 06:00:47
”这个参数的影响。下面以“升降压转换器的传递函数导出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降压转换器为基础，按照同样步骤来推导。右侧电路图在上次给出的升降压转换器简图上标出了作为开关的MOSFET的导通电阻
2018-11-30 11:48:22
导读：近日，德州仪器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 输入电压，进一步壮大了 TI 普及型 NexFET 产品
2018-11-29 17:13:53
` （1）不同耐压的MOS管的导通电阻分布。不同耐压的MOS管，其导通电阻中各部分电阻比例分布也不同。如耐压30V的MOS管，其外延层电阻仅为总导通电阻的29%，耐压600V的MOS管的外延层电阻
2018-11-01 15:01:12
测量MOS管的导通电阻除了在选定开关时有用，还在哪些方面有重要的意义？
2012-05-17 10:44:16
和突然，因为通常的观点都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当多个并联工作的功率MOSFET其中的一个温度上升时，由于其具有正的温度系数，导通电阻也增加，因此流过的电流减小
2016-09-26 15:28:01
各位大大，最近在做双向逆变，想问一下用2变比的高频变压器，高压侧600V降压到300v，升压的时候可以从300V升压超过600V吗，有人说高频变压器可以升压超过原来高压侧输入的电压，请问有懂这个的能说一下能实现升压超过2变比的吗
2018-03-17 15:26:54
电路显示LT3750电路将400F电容充电至300V的目标电压。 T1和R1，R2电阻的1:10匝数比将目标电压设置为300V，而R4功率电阻将峰值充电初级电流设置为7.5A
2019-10-09 08:47:35
并提高可靠性。东芝实验证实，与现有SiC MOSFET相比，这种设计结构在不影响可靠性的情况下[1]，可将导通电阻[2]（RonA）降低约20%。功率器件是管理各种电子设备电能，降低功耗以及实现碳中和
2023-04-11 15:29:18
最后一个字母“I”识别（例如BSC010N04LSI）。图1：英飞凌新一代MOSFET具有更低的导通电阻RDS(on) 导通电阻是MOSFET最重要的参数之一，但其他参数通常具备同等重要性，有时对于
2018-12-06 09:46:29
谁能告诉我这张图里的vcc代表的是什么.300v直流吗，那样的话ss8050集电结不是300v,ss8050不要爆了吗.
2016-07-31 18:29:22
，Si-MOSFET在这个比较中，导通电阻与耐压略逊于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率条件下，高速工作表现更佳。平面MOSFET与超级结MOSFETSi-MOSFET根据制造工艺可分为平面
2018-11-28 14:28:53
MOSFET的结构高压的功率MOSFET的外延层对总的导通电阻起主导作用，要想保证高压的功率MOSFET具有足够的击穿电压，同时，降低导通电阻，最直观的方法就是：在器件关断时，让低掺杂的外延层保证要求的耐压
2018-10-17 16:43:26
大虾们好，我是搞弱电的，强电基本不懂。现在要得到300V直流电压用来给闪光灯用的闪光电容充电，以前的方案是使用绕线的隔离变压器，中间用MOSFET及线性光耦控制闪光电容充电电压；现在的方案
2016-10-19 10:34:33
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-08 09:35:56
使用COOLMOS技术的MOSFET。 IR公司也推出了SUPPER220，SUPPER247封装的超级MOSFET，额定电流分别为35A，59A，导通电阻分别为 0.082Ω，0.045Ω，150
2023-02-27 11:52:38
%。特性方面的定位是标准特性。低噪声SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“导通电阻低，开关速度快”的特征，但存在其高速性导致噪声比平面型大的课题。为改善这个问题开发了EN系列。该系列产品融合了
2018-12-03 14:27:05
IR推出150V和200V MOSFET 具有极低的闸电荷
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，为开
2009-08-18 12:00:511176 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 TI 推出具备最低导通电阻的完全整合型负载开关
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:28846 TI推出具备板载功率MOSFET的全集成型双路功率驱动器
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款具备集成型功率 MOSFET、保护模块以及监控特性的数字双路同步降压功率驱动器，
2010-02-23 09:26:57667 TI推出具有同步MOSFET控制输出的全新环保型相移全桥控制器
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款具备同步 MOSFET 控制输出与轻负载电源管理功能的相移全桥 PWM 控制器 UCC289
2010-03-01 08:39:27848 IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391444 IR智能电源开关为24V汽车应用提供超低导通电阻
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)推出 AUIPS7111S 高侧智能电源开关。该产品具有超低的导
2010-03-19 09:14:551003 IR推出智能电源开关AUIPS7111S
IR推出AUIPS7111S 高侧智能电源开关。该产品具有超低的导通电阻（RDS(on)），适用于卡车引擎罩接线盒等严苛的 24V 汽车环
2010-03-22 12:16:321289 导通电阻,导通电阻的结构和作用是什么?
传统模拟开关的结构如图1所示，它由N沟道MOSFET与P沟道MOSFET并联构成，可使正负信号传输，如果将不同VI
2010-03-23 09:27:474912 IR推出汽车专用MOSFET系列低导通电阻
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32746 IR推出二款DirectFET MOSFET芯片组
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片组，为 12V 输入同步降压应用 (包括服务器、台
2010-04-20 10:24:32900 
英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及
2010-07-05 08:48:261672 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装，具有超低导通电阻 (RDS(on)) ，适用于电池充电
2010-07-22 09:29:411162 IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341531 全球功率半导体和管理方案领导厂商 - 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布拓展了车用DirectFET®2 功率MOSFET
2010-10-29 09:07:321354 飞兆半导体推出了导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是最大RDS(ON)值为0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N沟道器件，它是业界采用5×6mm POWER56封装且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391534 功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源的整流组件
2011-01-13 10:57:001590 
IR推出采用新型WideLead TO-262封装的车用MOSFET系列，与传统的TO-262封装相比，可减少 50%引线电阻，并提高30%电流
2011-05-24 08:54:351452 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术
2011-06-16 09:35:042537 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)近日推出新的车用MOSFET系列，适合要求低导通电阻的一系列应用，包括传统内燃机 (ICE) 平台以及微型和混合动力汽车平台上的重载应用。
2011-07-12 08:40:54966 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出车用 MOSFET 系列，可为一系列应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ，包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵和电机控制
2011-09-15 09:27:391312 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出全新数字功率平台，该产品可大幅提升多种应用的能效，包括高性能服务器、台式电脑及运
2011-09-22 08:51:37983 -300V大脉宽可调电路主要由四部分组成：(1)脉冲形成级；(2)脉冲整形级；(3)功率放大级；(4)电平转换级。
2012-04-17 15:20:121521 
东芝公司（Toshiba Corporation）推出了一种低导通电阻功率MOSFET，该产品也成为其专为汽车应用打造的TO-220SIS封装系列中的最新成员。新产品“TK80A04K3L”还实现了低漏电电流和175℃的保证工作温度。该产品不但非常适用于汽车应用，还适用于电机驱动器和开关稳压器
2013-01-22 10:25:30963 瑞萨电子宣布推出新款低导通电阻MOSFET产品，包括经过最佳化的μPA2766T1A，做为网路伺服器与储存系统之电源供应器内的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10938 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 宣布推出AUIRF8736M2 DirectFET2 功率MOSFET，适合需要在紧凑的占位面积内提供高功率密度的重载汽车应用，包括电动助力转向系统、刹车系统、水泵等。
2013-10-16 14:16:131404 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 了高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数 （FOM 即栅极电荷与导通电阻乘积），该参数是600V MOSFET在功率转换应用的关键指标。
2017-02-10 15:10:111667 MOSFET的导通电阻
2018-08-14 00:12:0012629 安森美半导体NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技术碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的开关性能和更高的可靠性。此外，该SiC MOSFET具有低导通电阻
2020-06-15 14:19:403728 对于功率半导体来说，当导通电阻降低时短路耐受时间※2就会缩短，两者之间存在着矛盾权衡关系，因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时，如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。
2020-06-22 15:54:12771 IR推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 （RDS（on）） 和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。
2020-08-30 08:33:00702 在功率半导体器件中，MOSFET以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换，特别是高频功率变换中起着重要作用。在低压领域，MOSFET没有竞 争对手，但随着MOS的耐压提高，导通电阻随之
2022-03-17 09:35:332872 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，现已开始出货。
2022-09-01 15:37:53479 ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
列产品的参考资料，助力您快速了解产品各项信息。 点击下载产品参考资料 与Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻，并且在各种电路中具有更出色的易用性，因而目前在市场上更受欢迎
2023-05-17 13:35:02471 
近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57316
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