电子发烧友网站提供《40V 200mΩ 单通道智能高侧开关TPS1H200A-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-18 18:15:29
0 型号: D3N04H-VB丝印: VBA3638品牌: VBsemi参数:- 2个N-Channel沟道- 额定电压: 60V- 额定电流: 6A- RDS(ON): 27mΩ @ VGS=10V
2024-03-16 16:37:54
全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08353 
电子发烧友网站提供《N沟道40 V，1.9 mOhm，200 A标准电平MOSFET PSMN1R9-40YSB数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 09:53:300 电子发烧友网站提供《N沟道40 V，1.8 mOhm，200 A逻辑电平MOSFET PSMN1R7-40YLB数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 09:51:470 **封装：** TO252- **类型：** N-Channel 沟道 MOSFET- **电压等级：** 40V- **电流等级：** 50A- **导通电阻（RD
2024-02-20 11:29:44
**SUD70N03-04P-VB**- **丝印：** VBE1303- **品牌：** VBsemi- **参数：** - 封装：TO252 - 沟道类型：N
2024-02-20 10:54:09
**类型：** N-Channel 沟道 MOSFET- **电压等级：** 60V- **电流等级：** 28A- **导通电阻（RDS(ON)）：** 80mΩ @
2024-02-20 09:57:40
**IPB120N04S4-02-VB****丝印：** VBL1402 **品牌：** VBsemi **参数：** TO263；N—Channel沟道, 40V；180A
2024-02-19 17:33:28
**VBsemi IPB100N04S4-H2-VB****详细参数说明:**- 类型: N沟道场效应管 (N-Channel MOSFET)- 额定电压(VDS): 40V- 最大电流(ID
2024-02-19 11:16:03
VBsemi FQD60N03L-VB MOSFET 参数：- 封装：TO252- 沟道类型：N—Channel- 最大电压：30V- 最大电流：60A- RDS(ON)：10mΩ @ VGS
2024-02-03 14:10:10
概述PC5028是一款高性能的增压器驱动N沟道MOSFET的控制器同步升压功率级，从宽输入电源范围从4.5V到40V。当控制器从输出电压偏置控制器可以从低至启动后1V。开关频率可以通过编程FREQ
2023-12-25 18:23:47
型号：TK35S04K3L-VB丝印：VBE1405品牌：VBsemi参数说明：- N沟道- 额定电压：40V- 最大电流：85A- 静态导通电阻(RDS(ON))：4mΩ@10V, 5m
2023-12-21 17:25:01
型号：FQD13N10L-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：N沟道- 额定电压：100V- 额定电流：18A- 静态导通电阻（RDS(ON)）：115mΩ @ 10V
2023-12-21 11:11:45
型号：CED12N10L-VB丝印：VBFB1101M品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：N沟道- 额定电压：100V- 最大连续电流：15A- 静态导通电阻（RDS(ON)）：115m
2023-12-20 17:07:10
型号：IPD90P04P4L-04-VB丝印：VBE2406品牌：VBsemi参数说明：- 类型：P沟道- 额定电压：-40V- 最大电流：-110A- 静态导通电阻（RDS(ON)）：4.8m
2023-12-20 11:40:39
型号：FQU30N06L-VB丝印：VBFB1630品牌：VBsemi参数：- N沟道- 最大耐压：60V- 最大电流：25A- 静态导通电阻：32mΩ @ 10V, 36mΩ @ 4.5V
2023-12-20 10:55:14
型号：SUD40N10-25-E3-VB丝印：VBE1104N品牌：VBsemi参数：N沟道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth
2023-12-20 10:39:02
型号：SUD40N06-25L-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数：N沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V
2023-12-20 10:35:17
电子发烧友网站提供《NSF040L3A0：1200伏，40米Ω,NN沟道SiC MOSFET应用指南.pdf》资料免费下载
2023-12-19 15:37:520 , 20Vgs (±V)- 阈值电压：1.8V (Vth)- 封装：TO252应用简介:4N06L30-VB是一款N沟道功率MOSFET，适用于各种高功率和高电压应用。这款器
2023-12-19 11:22:53
(±V)- 阈值电压：1.8V (Vth)- 封装：TO252应用简介:STU9916L-VB是一款N沟道功率MOSFET，设计用于在各种电子应用中提供高性能的
2023-12-19 10:59:44
：** VBsemi**参数：**- 沟道类型：N沟道- 额定电压：40V- 最大电流：85A- 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON))：4mΩ @ 10V, 5m
2023-12-18 17:18:54
型号：NTF3055L108T1G-VB丝印：VBJ1695品牌：VBsemi参数：- N沟道- 最大耐压：60V- 最大电流：4A- 开通态电阻：76mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V
2023-12-18 09:17:24
型号：HFD4N50-VB丝印：VBE165R04品牌：VBsemi参数：- N沟道- 额定电压：650V- 最大电流：4A- 开态电阻 (RDS(ON))：2200mΩ @ 10V, 2750m
2023-12-15 13:36:14
型号：IPD036N04L-VB丝印：VBE1405品牌：VBsemi参数：- N沟道- 额定电压：40V- 最大电流：85A- 开态电阻 (RDS(ON))：4mΩ @ 10V, 5m
2023-12-15 11:27:04
型号：2N7002WT1G-VB丝印：VBK162K品牌：VBsemi参数说明：- MOSFET类型：N沟道- 额定电压：60V- 最大电流：0.35A- 导通电阻（RDS(ON)）：1800m
2023-12-15 11:14:04
, 36mΩ @ 4.5V, 20Vgs- 阈值电压（Vth）：1~3V- 封装：SOT23-3L应用简介：KD3422A-VB是一款N沟道MOSFET，适用于多种
2023-12-15 09:59:37
型号：SUD50N04-8M8P-4GE3-VB丝印：VBE1405品牌：VBsemi参数说明：- MOSFET类型：N沟道- 额定电压：40V- 最大电流：85A- 导通电阻（RDS
2023-12-14 16:25:40
型号：FQD3N50C-VB丝印：VBE165R04品牌：VBsemi参数说明：- MOSFET类型：N沟道- 额定电压：650V- 最大电流：4A- 导通电阻（RDS(ON)）：2200m
2023-12-14 16:10:27
集特推出新款龙芯主板GM9-3003
2023-12-14 16:03:07209 
型号：AOB470L-VB丝印：VBL1806品牌：VBsemi参数：- N沟道- 额定电压：80V- 最大电流：120A- 开态电阻 (RDS(ON))：6mΩ @ 10V, 10m
2023-12-14 15:32:10
Ω @ 10Vgs、3000mΩ @ 4.5Vgs- 阈值电压（Vth）：1.6V- 封装类型：SOT23应用简介：2N7002ET1G-VB是一款小功率N沟道MOSFET（金属
2023-12-13 17:31:52
型号：FQD6N40CTM-VB丝印：VBE165R07S品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：N沟道- 最大耐压：650V- 最大持续电流：7A- 开通电阻（RDS(ON)）：700m
2023-12-13 17:18:09
型号：STD30NF04LT-VB丝印：VBE1410品牌：VBsemi参数：- 类型：N沟道- 额定电压（Vds）：40V- 最大持续电流（Id）：50A- 导通电阻（RDS(ON)）：12m
2023-12-13 15:47:01
型号：UT100N03L-VB丝印：VBM1303品牌：VBsemi详细参数说明：- 类型：N沟道MOSFET- 额定电压（Vds）：30V- 额定电流（Id）：120A- 导通电阻（RDS
2023-12-13 15:30:53
详细参数说明：- 型号： IPP084N06L3 G-VB- 丝印： VBM1606- 品牌： VBsemi- 参数： N沟道、60V、120A、RDS(ON)、5mΩ@10V、44mΩ@4.5V
2023-12-13 15:15:43
该型号AM2308N-T1-PF-VB是VBsemi品牌的N沟道MOSFET，具有30V电压、6.5A电流的额定参数。其RDS(ON)在10V下为30mΩ，在4.5V下为33mΩ，适用于20V的门源
2023-12-13 14:59:03
(± V)；-1.92Vth(V)；TO252详细参数说明：- 型号： SQD40P10-40L-GE3-VB- 功能类型： P沟道功率MOSFET- 最大电压： -1
2023-12-13 14:24:33
。
SL3061 40V/2.5A开关降压型转换器产品概述:SL3061是一款内部集成功率MOSFET的降压型开关稳压器，工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压（6V至40V）可提供
2023-12-12 16:11:08
NTD5806NT4G 参数：N沟道, 40V, 50A, RDS(ON), 12mΩ@10V, 14mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); 1.78Vth(V); TO252；应用简介
2023-12-08 16:25:21
：2V7002KT1G是一款适用于低功率应用的N沟道MOSFET。其适中的电流和低阈值电压使其在电池供电的低功率应用中表现良好。常用于电子开关、模拟开关等。优势：静态电流消
2023-11-30 16:46:14
VBsemi推出了MOSFET型号NTR4503NT1G，丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点，包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下
2023-11-30 14:14:09
Ω@10V、28mΩ@4.5V、20Vgs(±V)、1.8Vth(V)、TO252应用简介 该型号的30N06L-VB是一款功率N沟道MOSFET。由
2023-11-20 17:21:08
; 沟道类型 N沟道 额定电压 200V 额定电流 3A 开态电阻
2023-11-15 11:39:50
转换器产品概述:SL3061是一款内部集成功率MOSFET的降压型开关稳压器，工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压（6V至40V）可提供最大2.5A电流高效率输出。SL3061
2023-11-13 15:24:19
电子发烧友网站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列设计更绿色、更小的电源.pdf》资料免费下载
2023-11-13 15:11:290 想用运放实现1~-40V的脉冲电源，1到-40V的时间为2us，计算SR至少要求63V/us，看了下几款车规级高压运放，请问下使用LT1010可以实现吗？能否提供一下LT1010的LTSPICE的仿真模型？
谢谢！
2023-11-13 14:20:54
型号 STD30NF04LT-VB丝印 VBE1410品牌 VBsemi参数 类型 N沟道 额定电压（Vds
2023-11-10 11:32:45
该型号AM2308N-T1-PF-VB是VBsemi品牌的N沟道MOSFET，具有30V电压、6.5A电流的额定参数。其RDS(ON)在10V下为30mΩ，在4.5V下为33mΩ，适用于20V的门源
2023-11-09 17:13:58
Ω@10V、28mΩ@4.5V、20Vgs(±V)、1.8Vth(V)、TO252应用简介 该型号的30N06L-VB是一款功率N沟道MOSFET。由
2023-11-08 17:17:38
MOSFET 工作电压 100V 额定电流 40A 开通电阻 30mΩ（10V）、31mΩ（4.5V）&nbs
2023-11-08 16:32:46
型号 IPD036N04LG-VB 丝印 VBE1405 品牌 VBsemi N沟道 最大额定电压
2023-11-08 11:43:26
(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.2~2.2Vth(V)；SOT23 N沟道: 表示这是一个N沟道MOSFET晶体管，
2023-11-08 11:12:50
型号描述中文"型号 FQU15N06L-VB 丝印 VBFB1630 品牌 VBsemi 参数 N沟道,60V
2023-11-07 11:15:33
型号 NTR4170NT1G丝印 VB1330品牌 VBsemi详细参数说明 - 类型 N沟道MOSFET- 最大耐压 30V- 最大电流 6.5A- 导通电阻 30mΩ@10V, 33m
2023-11-07 10:46:53
型号 MTB1D7N03E3丝印 VBM1302品牌 VBsemi参数 频道类型 N沟道 额定电压 30V 额定电流 180A RDS(ON) 2mΩ @ 10V，2.8m
2023-11-03 15:55:25
SIR422DPT1GE详细参数说明 极性 N沟道 额定电压 40V 额定电流 75A 导通电阻 4.7mΩ @ 10V, 6mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 阈值电压
2023-11-03 13:55:28
1.2~2.2Vth (V) 封装类型 SOT23应用简介 AM2336NT1PF是一款N沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。具有较高的额定电
2023-11-03 10:55:12
NTE4153NT1G详细参数说明 - 极性 N沟道- 额定电压 20V- 额定电流 1A- 导通电阻 200mΩ @ 4.5V, 230mΩ @ 2.5V- 门源电压 12Vgs (±V
2023-11-03 09:18:07
型号 SI4840DYT1E3丝印 VBA1410品牌 VBsemi参数说明 MOSFET类型 N沟道 额定电压(VDS)
2023-11-01 14:56:46
) 阈值电压 1.6Vth (V) 封装类型 SOT23应用简介 LBSS139LT1G是一款N沟道MOSFET，适用于各种电源管理和低功率应用。它具有较低的额定电流
2023-10-31 15:46:15
电压范围 ±20V 门源阈值电压范围 1V~3V 封装类型 SOT223应用简介 STN3NF06L（丝印 VBJ1638）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率
2023-10-31 14:33:59
)；SOP8该产品具有以下详细参数说明 类型 N沟道功率场效应管 最大耐压 40V 最大漏极电流 10A 导通时的电阻（RDS(ON)） 14mΩ@10V, 1
2023-10-30 11:24:09
型号 50N04丝印 VBE1405品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 40V 最大电流 85A 导通电阻 4mΩ @10V, 5mΩ @4.5V 门源
2023-10-30 10:47:29
型号 AP4563GH丝印 VBE5415品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N+P沟道MOSFET 最大耐压 ±40V 最大电流 50A/50A 导通电阻 15mΩ @10V
2023-10-28 16:06:13
NDT3055L详细参数说明 - 极性 N沟道- 额定电压 60V- 额定电流 4A- 导通电阻 76mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V- 门源电压 20Vgs (±V
2023-10-27 17:38:58
型号 SI2324DS-T1-GE3丝印 VB1102M品牌 VBsemi详细参数说明 - 类型 N沟道MOSFET- 最大耐压 100V- 最大电流 2A- 导通电阻 246m
2023-10-27 17:18:42
AON6884，规格书， 设计方案，使用方法，AOS/万代，40V双N沟道MOSFET 一般说明,AON6884采用先进的沟槽技术以低栅极电荷提供优异的RDS（ON）。这是一个适用于大范围
2023-10-24 15:03:33
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 输出、输出功率1~~~3W的隔离电源。
VPS8504N内部集成振荡器，提供一对高精度互补信号以驱动两个N沟道MOSFET。芯片内部按照对称结构设计，能有效确保两个功率MOSFET的高度对称性，避免
2023-10-12 09:38:22
电子发烧友网站提供《P沟道增强模式功率MOSFET G040P04M规格书.pdf》资料免费下载
2023-09-19 17:29:110 SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
STEVAL-IPMnM1N 是一种基于 SLLIMM™-nano（小型低损耗智能成型模块）第 2 系列产品 STIPN1M50T-H（基于 MOSFET）的紧凑型电机驱动电源板。该产品为驱动大功率
2023-09-13 06:48:31
安建半导体40V SGT MOSFET产品已经通过AEC-Q101车规认证的全部测试。
2023-09-06 17:48:45474 (推测存储旁路安全)位，以及ARM®v8.5-A扩展中引入的推测屏障(CSDB、SSBB、PSSBB)指令。
Neoverse™N1内核具有1级(L1)内存系统和专用的集成2级(L2)高速缓存。
它还
2023-08-29 08:05:54
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。
2023-08-24 11:19:10600 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
2023-08-22 11:03:21557 
。它通常用于高频应用，如逆变器、DC-DC转换器等。
二、1N4148与1N4007
一般区别
1、1N4148和1N4007在一般小电流（100mA以下，反向电压100V以下）和不重要
2023-07-31 16:07:44
NP75N04VUK40 V - 75 A - N 沟道功率 MOS FET应用：汽车
2023-07-07 18:42:040 NP60N04VLK40 V - 60 A - N 沟道功率 MOS FET应用：汽车
2023-07-07 18:41:410 NP90N04VLK40 V - 90 A - N 沟道功率 MOS FET应用：汽车
2023-07-07 18:41:240 NP30N04QUK40 V - 30 A - 双 N 沟道功率 MOS FET应用：汽车
2023-07-07 18:41:080 NP29N04QUK40 V - 30 A - 双 N 沟道功率 MOS FET 应用：汽车
2023-07-07 18:40:360 40V – 250A – N 沟道功率 MOS FET 应用：汽车
2023-07-04 20:37:240 RBA160N04AHPF-4UA01 40V – 160A – N 沟道功率 MOS FET 应用：汽车
2023-07-04 20:37:050 采用OptiMOS 7 技术的40V车规MOSFET产品系列，进一步提升比导通电阻，减小RDSON*A，即在同样的晶圆面积下实现更低的RDSON，或者说在更小的晶圆面积下实现相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12677 
英飞凌科技汽车 MOSFET 产品线高级副总裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列将在功率密度、电流能力和芯片耐用性方面树立新标杆。
2023-06-26 13:10:00302 
【 2023 年 5 月 12 日，德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）推出 OptiMOS™ 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌
2023-06-06 11:01:361026 
Vishay MCB ISOA 器件通过 AEC-Q200 认证 采用 SOT-227 小型封装 可直接安装在散热器上 具有高脉冲处理能力 功率耗散达 120 W Vishay 推出一款通过
2023-06-03 08:25:02533 
在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路，该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005288 
不同版本MK60FN1M0VLQ155材料3N96B和5N96B的调试问题
2023-04-21 08:14:19
我正在使用 LPC8N04 开发板（0M40002，修订版 C）。直到几天前，我才能够调试和刷新代码。探测器被检测到，但是当我使用 MCU Expresso 启动调试时，我在 3 个窗口中收到这些错误：视窗 1：无法连接探针索引 1 的电线。错误：电线确认故障 - 目标已连接？
2023-04-12 08:52:27
应用: DC-DC转换 SMPS中的同步整流 硬开关和高速电路 电动工具 电机控制 概述： PL1303N04是宝砾微推出的4开关N沟道功率MOSFET，采用QFN6*6-40L封装。产品具有较强
2023-04-11 14:47:50513
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