、开关控制等应用场景。
HG004N03L 耐压 30V持续漏极电流可达 75A电流余量充足即便大功率多颗 UV 灯珠同时全开也有足够裕量规避大电流冲击带来的失效风险。 器件一大核心亮点就是 极低导通电
2026-08-08 09:49:32
连续输出12V电流1A（用金属焊盘，做好散热）；支持QC3.0协议控制。 采用简单通用的8脚的ESOP8封装。
产品特点
●工作电压范围：7.8V-95V
●输出电流：2A
●48V输入，5V
2026-08-04 10:29:25
一、芯片概述KF2033B是深圳市科发鑫电子推出的低端（负极侧）过压保护IC，SOT23-6封装；内置低内阻NMOS功率开关，最高耐压30V，过压保护阈值可通过外围电阻/稳压管灵活配置，电路简单
2026-08-03 15:06:53
0 输出12V电流2A（用金属焊盘，做好散热）；支持QC3.0协议控制。 采用简单通用的8脚的ESOP8封装。
产品特点
●工作电压范围：6V-90V
●输出电流：2A
●48V输入，5V/2.5A输出
2026-08-01 10:11:46
等。
XZ3621采用SOP8的标准封装
特点
宽输入电压范围:4V至30V
宽输出电压范围:1.8V至28V
效率可高达92%以上
超高恒流精度:±5%
恒压精度:±2%
无需外部补偿
开关频率
2026-07-30 14:19:09
+SOT23-6封装是“中等电流+小体积”的最佳平衡点。
2.3 PW2330——3A、同步整流、30V耐压、SOP8-EP大封装
PW2330是3A同步整流降压DC-DC，输入电压4.5V~30V——比
2026-07-27 16:27:29
MAX74801：30V低噪声精密运算放大器的卓越之选 在电子工程师的日常设计工作中，运算放大器是不可或缺的基础元件。今天要给大家详细介绍的是MAX74801这款30V低噪声精密运算放大器，它在多个
2026-07-26 10:05:03
147 场景。
二、HC3400Y 适配摄影补光灯切灯与调光核心技术亮点
1. SOT23 封装，30V 耐压，充足电流裕量适配多路 LED 通道
HC3400Y 采用先进沟槽制程，SOT23 贴片封装，占用
2026-07-25 09:22:53
过载。
EN使能关断：EN脚拉低时芯片进入关断模式，待机电流仅约95μA，适合电池供电设备对低待机功耗的要求。
设计便利性考量
SL4009A采用ESOP8封装，外围电路简单，数据手册中给出
2026-07-24 10:39:51
概述
XZ8921B是一款输入电源30V高耐压、同时 BAT引脚同样具备30V高耐压。内置OVP保护功能完整的升压开关型3节串联锂电池充电管理芯片。其ESOP8的封装与简单的外围电路，使得
2026-07-18 09:58:51
XZ8921A是一款输入电源30V高耐压、同时 BAT引脚同样具备30V高耐压。内置OVP保护功能完整的升压开关型2节串联锂电池充电管理芯片。其ESOP-8的封装与简单的外围电路，使得XZ8921A
2026-07-17 10:15:48
保护（OTP）、欠压锁定（UVLO）和短路保护（SCP）。PC4202 采用小型 6 引脚 1.6mm×2.9mm SOT23-6 封装。特性:⚫ 宽输入电压范围：4.5V – 30V⚫ 高效率运行
2026-07-15 10:08:12
）、过温保护（OTP）、欠压锁定（UVLO）和短路保护（SCP）。PC4202 采用小型 6 引脚 1.6mm×2.9mm SOT23-6 封装。特性:⚫ 宽输入电压范围：4.5V – 30V⚫ 高效率
2026-07-13 17:25:16
，希望能为各位电子工程师在设计过程中提供有价值的参考。 文件下载： OP3.pdf 一、产品概述 NEVO+系列输出模块3具备9V - 30V的输出电压范围，额定电流为7.5A，平均输出功率达150W，并且
2026-07-10 15:50:10142 SMF22A为例，22V的VR,它的10/1000uS的波形下的钳位电压却高到35.5V，而8/20的波形下的钳位电压就更高了,无法保护30v 或者40V的负载,最近出来的平缓的TVS,就能解决这样
2026-07-10 15:32:36
SC70-5封装是目前最小的5引脚封装之一（2.2×1.35mm），在极紧凑的尺寸下集成了完整的信号链功能。但小封装对Layout提出了高要求。本文以ASC1T34S为例，系统讲解SC70-5封装的Layout要点、焊接工艺和高速信号设计注意事项。
2026-07-04 13:58:571361 ~30V宽输出电压范围使其能够兼容各类控制器和功率开关管（从 Si MOSFET、IGBT 到 GaN、SiC）。分离输出引脚赋予设计者精确调控开关边沿速率的能力，在提升效率的同时优化EMI。SOP8紧凑
2026-07-04 08:19:34
产品描述 QX4115 是一款降压、恒流、高效率的高亮度 LED 驱动器。 QX4115 特别适合宽输入电压和宽负载范围的应用，输入电压范围从 8V 到 30V，负载输出电压可从3V 到 30V
2026-07-02 17:27:02567 
。
XZ3445内部集成了软启动以及过温保护电路，减
少外围元件并提高系统可靠性。
XZ3445采用SOT23-6封装。
特点
内置30V/5A功率管
低启动电压:2.7V
宽输入电压范围:2.7V-36V
2026-07-01 11:09:54
输出稳定
器件额定耐压 Vds=30V，25℃环境连续导通电流 20A，100℃高温降额后仍支持 12A 稳定输出，脉冲峰值电流可达 50A，完全覆盖锂电池充放电回路、大功率负载开关电流需求
2026-06-27 09:11:48
LED驱动 SC3983是一款高效能的产品，
单片同步降压型DC/DC转换器
采用恒定频率的转换器，
平均电流控制架构。
高达3.0A的持续电流
出色线路和负载调节能力。
输入电压4.75V至30V
2026-06-25 09:20:43
。SiLM5350MDBCA-DG一款具有10A峰值输出电流能力的单通道隔离式栅极驱动器。采用SOP8封装，提供3.0kVRMS的隔离耐压（符合UL1577标准），专为驱动IGBT、MOSFET、SiC
2026-06-25 08:38:41
指示等。XZ4081 采用 10 管脚 SSOP 封装。
特点 宽输入电压范围：6.6V 到 30V 可对单节， 多节锂电池，磷酸铁锂电池或钛酸锂电池，铅酸电池完整的充电管理 充电电流可达 4A
2026-06-24 11:54:13
频率以获得高转换效率。 XZ1822内部集成软启动以及过温保护电路，输出短路保护，限流保护等功能，提高系统可靠性。 XZ1822采用ESOP8封装，散热片内置接VIN脚。
产品特点
宽输入电压范围
2026-06-18 10:00:32
输入电压范围： 8V-120V
输出电压从 4.2V 到 30V 可调
支持输出恒压恒流
支持输出 12V/1.5A， 5V/1.5A
高效率：可高达 95%
工作频率： 140KHz
低待机功耗
内置
2026-06-16 09:40:13
开关峰值
电流限制功能。此外，该器件还提供输出过压保护，逐周
期过流保护和过热保护。芯片采用绿色环保ESOP8封装，工
作环境温度范围为-40℃至+85℃。
2026-06-12 13:42:00
驱动，电源轨为 24V，最大功率可达 1000W。设计名称为 STR - 16 - 30V - BLDC - MDK - GEVB，它采用了 Xilinx NCP81075 和 NTMFS5C604NL 等关键组件。 控制器与驱动
2026-06-11 16:05:13225 等。
XZ3621采用SOP8的标准封装
特点
宽输入电压范围:4V至30V
宽输出电压范围:1.8V至28V
效率可高达92%以上
超高恒流精度:±5%
恒压精度:±2%
无需外部补偿
开关频率
2026-06-01 09:38:32
，一款专为电机控制和降压应用优化的30V PMOS - NMOS桥接驱动器。 文件下载： FAN3278-D.PDF 一、FAN3278的核心特性 1. 优化的工作范围 FAN3278具有8V至27V
2026-05-31 14:20:15255 30V转27V面板灯线性恒流驱动器H7310 PWM调光
一、方案介绍：
惠海半导H7310 是一款集成 PWM 调光功能的线性降压恒流 LED 驱动器，仅需外接一只电阻即可组成完整的恒流驱动电路
2026-05-29 17:10:24
μF电解电容+小容量瓷片电容，靠近VIN引脚）
- 输出电容（建议470μF电解电容）
- 电感（33μH~47μH，额定电流≥3A）
- 可选：恒流设置电阻（Rcs）
芯片采用SOP-8封装，引脚
2026-05-27 16:50:08
onsemi NSS30100L：30V、2A低VCE(sat) PNP晶体管的技术剖析 在电子设备的设计中，晶体管作为核心元件之一，其性能的优劣直接影响着整个系统的效率和稳定性。今天，我们就来深入
2026-05-18 17:30:03719 一、产品概述 RST4406 是瑞斯特（RSTTEK）推出的一款通用型 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用成熟的平面硅栅工艺制造，封装为行业标准 SOP-8，专为 30V 电压等级下的中小
2026-05-17 11:35:57706 ℃环境温度下可提供 150A 的连续漏极电流，漏源击穿电压达 30V，同时具备极低的导通电阻特性，能够显著降低系统功耗，提高能量转换效率。 二、核心电气特性 1. 电压与电流额定值 • 漏源击穿电压
2026-05-17 11:34:391286 、10N15、15N15、50N15、5N20、10N20、5N25、10N25
PMOS：
20V：50P02、100P02
30V：3401、3407、50P03
40V：5P04、15P
2026-05-16 11:17:56
的驱动MOS，可以驱动外置的难推的大电流MOS，使可搭配不同的NMOS，实现不同的电流输出，采用简单通用的8脚的SOP8封装.产品应用可以做到6V输入升压到12V-2A； 12V输入升压到48V
2026-05-16 09:47:03
高频工作条件下保持高效率。其30V的漏源击穿电压和80A的连续漏极电流能力，使其成为中低压功率转换系统的理想选择。
二、核心电气特性
2.1 绝对最大额定值（TA=25℃）
- 漏源电压（VDS
2026-05-15 00:22:32
，输出短路保护，限流保护等功能，提高系统可靠性。采用 ESOP8 封装，散热片内置接 SW 脚。
特点
宽输入电压范围：8V~150V
输出电压从 4.2V 到 30V 可调
支持输出恒压恒流
2026-05-09 09:41:36
SOT-23封装20V N沟道MOSFET技术特性分析
一、产品概述
SOT-23封装的20V N沟道MOSFET是当前便携式电子产品和高密度电路设计中广泛应用的功率开关器件。该类器件采用标准
2026-05-08 18:16:04
XZ8921B是一款输入电源30V高耐压、同时 BAT引脚同样具备30V高耐压。内置OVP保护功能完整的升压开关型3节串联锂电池充电管理芯片。其ESOP8的封装与简单的外围电路，使得XZ8921B
2026-05-08 09:30:44
03和NVF5P03是采用SOT - 223表面贴装封装的P沟道功率MOSFET，额定电流为 - 5.2A，耐压为 - 30V。它们具备超低的导通电阻 (R_{DS(on)}) ，仅为100mΩ，这使得在导通状态下的
2026-04-20 09:30:19465 - 8表面贴装封装的P沟道MOSFET，其额定电压为 - 30V，额定电流为 - 11.4A。这种封装形式能够有效节省电路板空间，非常适合对空间要求较高的设计。同时
2026-04-19 16:15:16848 的 NTS4173P P沟道MOSFET，看看它有哪些特性和应用场景。 文件下载： NTS4173P-D.PDF 一、产品概述 NTS4173P 是一款采用 SC - 70 封装的单P沟道功率MOSFET
2026-04-19 15:20:09487 NTMD3P03和NVMD3P03是安森美公司生产的双P沟道功率MOSFET，采用SOIC - 8封装。它们的额定电压为 - 30V，连续漏极电流可达 - 3.05A，非常适合用于各种低电压应
2026-04-19 11:00:09922 XZ8921A是一款输入电源30V高耐压、同时 BAT引脚同样具备30V高耐压。内置OVP保护功能完整的升压开关型2节串联锂电池充电管理芯片。其ESOP-8的封装与简单的外围电路，使得XZ8921A
2026-04-11 10:09:08
高的转换效率。内部集成软启动以及过温保护电路，输出短路保护，限流保护等功能，提高系统可靠性。 采用 SOP8 封装。
特点
宽输入电压范围：8V~150V
输出电压从 4.2V 到 30V
2026-04-10 09:35:38
SGMNQ23430：30V单N沟道PDFN封装MOSFET深度解析 在电子设计领域，MOSFET作为关键的功率器件，其性能直接影响着整个电路的效率和稳定性。今天我们就来详细剖析SGMICRO推出
2026-03-20 17:30:282319 SGMTC18430：30V 双 N 沟道 WLCSP 封装 MOSFET 的深度解析 在电子设计领域，MOSFET 作为关键的功率开关元件，其性能直接影响着整个电路的效率和稳定性。今天，我们就来
2026-03-20 17:30:191158 深入解析SGMNQ69430：30V单N沟道TDFN封装MOSFET 在电子工程师的日常设计中，MOSFET是不可或缺的关键元件。今天我们就来详细剖析SGMICRO推出的SGMNQ69430，一款
2026-03-20 17:25:051788 SGMNM10330：30V单N沟道PDFN封装MOSFET的深度解析 在电子设计领域，MOSFET作为关键的功率开关元件，其性能直接影响着整个电路的效率和稳定性。今天，我们将深入探讨SGMICRO
2026-03-20 17:20:211009 SGMICRO推出的SGMNL12330，这款30V单通道N沟道MOSFET采用TDFN封装，具备诸多出色特性，适用于多种应用场景。 文件下载： SGMNL12330.pdf 一、产品特性亮点 1. 高功率与电流
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2026-03-20 17:10:161600 SGMNQ40430：30V 单 N 沟道 PDFN 封装 MOSFET 深度解析 在电子设计领域，MOSFET 作为关键元件，其性能直接影响着电路的效率和稳定性。今天，我们就来深入了解一下
2026-03-20 17:05:15855 剖析SGMNQ32430这款30V单通道N沟道DFN封装MOSFET，看看它究竟有哪些独特之处。 文件下载： SGMNQ32430.pdf 产品特性与优势 小尺寸大作用 SGMNQ32430采用
2026-03-20 17:05:12899 推出的 SGMNQ07430 是一款 30V 功率单 N 沟道 MOSFET，采用 PDFN 封装，具有诸多优秀特性，下面我们就来详细了解一下。 文件下载： SGMNQ07430.pdf 二
2026-03-20 17:05:05951 SGMNM05330：30V单N沟道TDFN封装MOSFET的深度解析 在电子工程领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种至关重要的电子元件，广泛应用于各种电路中。今天
2026-03-20 16:30:06647 深入剖析SGMPM16330：30V单P沟道PDFN封装MOSFET的卓越性能 在电子工程师的日常工作中，选择合适的MOSFET对于电路设计的成功至关重要。今天，我们将深入剖析SG Micro
2026-03-20 16:15:07394 SGMICRO的SGMPM15330这款30V、单P沟道、采用TDFN封装的MOSFET，详细了解其特性、参数、应用场景等方面的信息，为大家的设计工作提供有价值的参考。 文件下载
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2026-03-20 16:00:09484 引脚 SOT23 封装。它的供电电压范围为 +2.4V 至 +5.5V，却能将低至 0.8V 的电池电压提升至最高 30V 的输出电
2026-03-19 09:45:16742 深入解析CSD17312Q5：30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 引言 在电子工程师的日常设计工作中，MOSFET作为关键的功率转换元件，其性能直接影响到整个电路
2026-03-06 14:40:02463 深入解析CSD17506Q5A：30V N-Channel NexFET™功率MOSFET的卓越性能与应用 在电子工程师的日常设计工作中，功率MOSFET是不可或缺的关键元件。今天，我们就来深入探讨
2026-03-06 14:20:03330 深入解析 CSD17527Q5A：30V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 在电子设计领域，功率 MOSFET 是至关重要的元件，它在众多应用场景中发挥着关键作用。今天我们要深入探讨
2026-03-06 14:10:22946 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET CSD17322Q5A：设计与应用解析 在电子设备的电源转换领域，MOSFET一直扮演着关键角色。今天，我们将深入探讨德州仪器
2026-03-06 14:10:09676 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET CSD17553Q5A：设计与应用指南 在电子工程师的日常工作中，功率MOSFET是电路设计里不可或缺的关键元件。今天，我们就来
2026-03-06 11:40:12602 30V、20mΩ的SON 2×2 NexFET™功率MOSFET，由德州仪器（Texas Instruments）生产。它专为降低功率转换和负载管理应用中的损耗而设计，同时在小尺寸封装下提供了出色的热性能。 二、产品特性 电气特性优势 低栅
2026-03-05 17:20:04725 CSD17570Q5B 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 深度解析 在电子工程师的日常设计工作中，功率 MOSFET 是不可或缺的重要元件。今天，我们就来深入探讨
2026-03-05 16:20:10485 概述 CSD17576Q5B 是一款 30V、1.7mΩ 的 SON 5x6 - mm NexFET™ 功率 MOSFET，专为降低功率转换应用中的损耗而设计。它采用了先进的技术，具有诸多优秀特性，适用于多种应用场景。 1.1 产品特性 低栅极电
2026-03-05 16:05:091029 ： csd17578q3a.pdf 一、特性亮点 1. 低损耗设计 这款 MOSFET 专为降低功率转换应用中的损耗而设计，其 30V、6.3mΩ 的参数，配合 SON 3.3mm × 3.3mm 的封装，能有效减少功率损耗，提
2026-03-05 15:10:06438 输入电压范围： 8V~120V
输出电压从 4.2V 到 30V 可调
支持输出恒压恒流
支持输出 12V/1.5A， 5V/1.5A
高效率：可高达 95%
工作频率： 140KHz
低待机功耗
内置过温保护
内置软启动
内置输出短路保护
2026-03-04 10:00:58
。 XZ1824 采用 SOP8 封装
特点
宽输入电压范围： 8V-150V
输出电压从 4.2V 到 30V 可调
支持输出恒压恒流
支持输出 12V/10A， 5V/5A
高效率：可高达 96%
工作频率
2026-02-07 10:24:27
SiLM5350HBBCA-DG是具体有10A峰值输出电流能力，单通道隔离式栅极驱动器。驱动电源电压为4V至30V。3V至18V的宽输入VDDI范围使驱动器适合与模拟和数字控制器接口。所有电源电压
2026-02-03 09:00:43
150kV/µs。
宽工作电压：逻辑侧输入电压3V-18V，具备5V反向耐压；驱动侧电源电压最高30V。
集成控制功能：支持可编程死区时间，提供DIS全局关断引脚。
紧凑与隔离兼顾：采用5mm x 5mm
2026-02-02 08:45:11
差工作，内部软启动功能可减小浪涌电流，延长便携式系统中的电池寿命。作为保护功能，它集成了逐周期峰值电流限制、短路保护、热关断以及欠压锁定（UVLO）功能。该器件采用QFN3.5X3.5-14封装。 特性： 宽输入电压范围：4V~30V 可调输出电压，范围为0.8
2026-01-13 11:36:02604 
）保护
采用紧凑型封装
核心优势
高压宽输入，适应性强
高达30V的供电耐压，可适应汽车及工业系统中常见的24V电源轨波动，提供更宽的安全裕量，增强了系统对电压浪涌的适应性。
高速强驱，提升效率
2026-01-13 08:26:01
JZ4056H高耐压30V单节线性1A锂电池充电管理参考设计
2026-01-11 17:11:341 HX9110A是一款高性价比、低EMI，ESOP8封装、无需滤波器，AB/ D类可选式音频功率放大器。14.4V工作电压 时，最大驱动功率为30W（VDD=14.4V,4ΩBTL负载，THD<10%），音频范围内总谐波失真噪声小于 1％（20Hz～20KHz)；
2026-01-09 15:21:501046 
RAA211320：30V 2A 集成式开关稳压器的设计指南 作为电子工程师，在电源管理设计中，选择合适的稳压器至关重要。RAA211320 是一款集成式 30V、2A 同步降压稳压器，采用电流模式
2025-12-29 11:55:12759 威兆半导体推出的VS3508AS是一款面向-30V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，采用SOP8封装，适配低压电源的高侧开关、负载控制等领域。一、产品基本信息器件类型：P
2025-12-24 13:01:211573 
威兆半导体推出的VS3510AD是一款面向30V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，采用TO-252封装，适配低压电源的高侧开关、负载控制等领域。一、产品基本信息器件类型
2025-12-16 11:50:07684 
威兆半导体推出的VS3510AS是一款面向30V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，采用SOP8封装，适配低压电源的负载开关、电源通路控制等领域。一、产品基本信息器件类型
2025-12-16 11:46:18892 
威兆半导体推出的VS3540AC是一款面向-30V低压小电流场景的P沟道增强型功率MOSFET，采用SOT23小型封装，适配低压负电源切换、小型负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：P沟道增强型
2025-12-10 09:44:342012 
如BMS、电机控制、电力开关的12V系统对低内阻MOS管的需求正增速增长，工程师们迫切需要兼顾大电流承载与小型化设计的解决方案。而HKTD100N03这款采用TO-252封装的N沟道MOS管，以
2025-11-26 09:44:401478 
N沟道MOSFET的漏极-源极电压 ( ~VDS~ ) 为30V，栅极-源极电压 ( ~VGS~ ) 为±20 V,漏极电流为294A。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET采用5mm x 6
2025-11-24 15:35:181093 
安森美 (onsemi) NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET采用紧凑型SOT-723封装，内置ESD保护功能。SOT-723封装占位面积比SC-89小44%，厚度比SC-89薄38%。漏
2025-11-21 15:14:29936 
SMDJ30CA双向 TVS瞬态抑制二极管：30V双向电压000W 浪涌中压电路防护核心
2025-11-20 16:42:401616 
的高性能解决方案。两款产品均采用TOLL4-6R封装，连续漏极电流达190A，覆盖30V/20V电压等级，通过工艺与参数的差异化设计，满足不同应用的电路需求。
2025-11-17 14:49:151405 ZK30G011G作为一款专为低压大电流场景设计的N沟道MOSFET，以30V额定电压、160A额定电流的硬核性能为基础，融合成熟可靠的沟槽型（Trench）工艺与PDFN5*6小型化封装，既突破了传统低压器件的电流承载上限，又实现了小体积与高稳定性的平衡，成为低压功率控制领域的优选方案。
2025-10-31 14:28:12763 
一、产品概述MOT3712J是仁懋电子（MOT）推出的P沟道增强型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面贴装封装，具备高功率与电流处理能力，聚焦PWM控制、负载开关、电源管理等场景，以低导通损耗
2025-10-24 15:59:53962 
如下： 0402封装：额定功率1/16W(如RC0402FR-071KL)，适用于低功耗场景。 0603封装：常规功率1/16W，提升功率后可达1/10W，最大工作电压50V。 0805封装：常规功率1/10W，提升功率后可达1/8W，最大工作电压150V。 1206封装：常规功率1/8W，提升功率后可
2025-10-24 14:28:501359 
在低压大电流功率电子领域，MOS管的导通损耗、电流承载能力与封装适配性，直接决定了终端设备的能效、可靠性与设计灵活性。中科微电推出的ZK30N140TN沟道MOS管，凭借30V额定电压、140A超大
2025-10-22 09:42:381055 
、设计与应用提供全面技术支撑。漏源电压 30V栅源电压 ±20V连续漏极电流 90A连续漏极电流 55A脉冲漏极电流 360A单脉冲雪崩能量 90mJ功耗 90W结到壳
2025-10-15 17:54:452 、12V、19V和24V电源总线轨供电的系统。该器件支持高达3A连续输出电流、0.8V至22V输出电压以及98%最大占空比运行。TI TPS62933PEVM评估模块包括采用SOT583封装的TPS62933P。
2025-09-09 10:32:291967 
在工业设备及智能小家电控制系统中，电源供电质量是影响设备使用寿命的关键因素！艾为针对严苛的工业应用环境，重磅推出新一代宽电压输入电源芯片AWP3778L05，支持最高30V输入电压，5V稳定输出电压
2025-09-08 19:53:25961 
Holtek新推出新一代低静态电流、低压差线性稳压器HT75Rxx-1及HT75Rxx-7系列。针对低功耗应用设计，支持3.1V至30V的宽输入电压范围，并提供2.1V至12.0V的多种固定输出电压
2025-09-08 17:19:043418 REF33xx 是一款低功耗、精密、低压差基准电压源系列，采用微型 SC70-3 和 SOT-23-3 封装，以及 1.5 mm × 1.5 mm UQFN-8 封装。REF33xx 体积小、功耗低
2025-08-13 14:24:091449 
REF33xx 是一款低功耗、精密、低压差基准电压源系列，采用微型 SC70-3 和 SOT-23-3 封装，以及 1.5 mm × 1.5 mm UQFN-8 封装。REF33xx 体积小、功耗低
2025-08-13 14:20:012357 
REF33xx 是一款低功耗、精密、低压差基准电压源系列，采用微型 SC70-3 和 SOT-23-3 封装，以及 1.5 mm × 1.5 mm UQFN-8 封装。REF33xx 体积小、功耗低
2025-08-13 14:11:331283 
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