电子发烧友网站提供《30V N 沟道NexFET™ 功率MOSFET CSD17556Q5B数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 14:11:23
0 JW7109是一款具有可编程导通上升时间的低导通电阻双通道负载开关，且支持较快的上升斜率，以满足快速时序的要求。它包含两个N沟道MOSFET，每个沟道可以提供6A的最大连续电流。每个通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可编程导通上升时间的低导通电阻双通道负载开关。它包含两个N沟道MOSFET，每个沟道可以提供6A的最大连续电流。每个通道可以在0.8V到5.5V的输入电压范围内工作。 每个
2024-03-18 14:36:43
全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 另外，CoolSiC MOSFET产品组合还成功实现了SiC MOSFET市场中的最低导通电阻值（Rdson），这大大提高了能效、功率密度，以及在电力系统中的可靠性，降低了零件使用数量。
2024-03-10 12:32:41502 如何区别普通电阻和保险电阻？如何检验保险电阻好坏？ 普通电阻和保险电阻是两种不同的电子元件，下面将详细介绍如何区分普通电阻和保险电阻，并说明如何检验保险电阻的好坏。 1. 普通电阻和保险电阻的定义
2024-03-05 15:48:06201 Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08353 
**类型：** N-Channel 沟道 MOSFET- **电压等级：** 60V- **电流等级：** 28A- **导通电阻（RDS(ON)）：** 80mΩ @
2024-02-20 09:57:40
电子发烧友网站提供《NCE N沟道增强型功率MOSFET NCE3010S数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-24 11:06:590 抗浪涌电阻和普通电阻的区别 抗浪涌电阻和普通电阻虽然都属于电阻器件，但在功能、结构和特性方面有很大的区别。本文将详尽、详实、细致地从多个方面对这两种电阻进行比较分析。 1. 功能区别: 抗浪涌电阻
2024-01-18 16:16:58559 功率MOSFET是一种广泛应用于电力电子转换器的高性能开关器件。它具有高输入阻抗、低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性等特点，因此在各种高压、高频、高效率的电源系统中发挥着重要作用。 结构
2024-01-17 17:24:36294 
近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57316 型号：SPD09N05-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数说明：- 类型：N沟道- 额定电压：60V- 最大电流：18A- 静态导通电阻（RDS(ON)）：73mΩ @ 10V, 85m
2023-12-20 11:18:21
）：** 60V，表示MOSFET的耐压上限，可用于需要较高电压的电路。- **持续电流（ID）：** 45A，表示MOSFET可以承受的最大电流。- **导通电阻（RDS(O
2023-12-18 09:05:59
型号: FDS3672-NL-VB丝印: VBA1104N品牌: VBsemi参数:- 沟道类型: N沟道- 额定电压: 100V- 最大电流: 9A- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 32m
2023-12-16 09:50:18
型号: IRF530S-VB丝印: VBL1101M品牌: VBsemi参数:- 沟道类型: N沟道- 额定电压: 100V- 最大电流: 20A- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 100m
2023-12-15 13:48:13
型号: FDC6401N-VB丝印: VB3222品牌: VBsemi参数:- 沟道类型: N沟道- 额定电压: 20V- 最大电流: 4.8A- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 22m
2023-12-15 10:15:22
型号: BSO072N03S-VB丝印: VBA1311品牌: VBsemi参数:- 沟道类型: N沟道- 额定电压: 30V- 最大电流: 12A- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 12m
2023-12-15 09:25:38
型号：IRF640NS-VB丝印：VBL1208N品牌：VBsemi参数说明：- MOSFET类型：N沟道- 额定电压：200V- 最大电流：40A- 导通电阻（RDS(ON)）：48m
2023-12-14 17:14:22
型号: MCH3409-TL-VB丝印: VBK1270品牌: VBsemi参数:- 沟道类型: N沟道- 额定电压: 20V- 最大电流: 4A- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 45m
2023-12-14 16:35:15
型号：FQD3N50C-VB丝印：VBE165R04品牌：VBsemi参数说明：- MOSFET类型：N沟道- 额定电压：650V- 最大电流：4A- 导通电阻（RDS(ON)）：2200m
2023-12-14 16:10:27
型号: BF1107-VB丝印: VB162K品牌: VBsemi参数:- 沟道类型: N沟道- 额定电压: 60V- 最大电流: 0.3A- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 2800m
2023-12-14 15:40:19
型号：FDC637AN-VB丝印：VB7322品牌：VBsemi参数说明：- MOSFET类型：N沟道- 额定电压：30V- 最大电流：6A- 导通电阻（RDS(ON)）：30mΩ @ 10V
2023-12-14 15:12:28
型号: 44N10-VB丝印: VBM1104N品牌: VBsemi参数:- 沟道类型: N沟道- 额定电压: 100V- 最大电流: 55A- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 36m
2023-12-14 13:42:59
：1.2V；封装：SOT23-6应用简介：P2402CAG (VB7322) 是一款N沟道MOSFET，适用于需要中等功率电流控制的应用。其中等导通电阻使其在多种应用中
2023-12-08 16:34:43
;应用简介：N3PF06适用于功率开关和逆变器等应用的P沟道MOSFET。其低导通电阻和高耐压特性有助于降低功率损耗和提高效率。适用领域与模块：适用于电源开关、逆变器和功
2023-12-08 16:18:17
IRLR7843TRPBF (VBE1303)参数说明:极性：N沟道；额定电压：30V；最大电流：100A；导通电阻：2mΩ @ 10V, 3mΩ @ 4.5V；门源电压范围：20Vgs (±V
2023-12-08 15:47:58
：IRLR3110ZPBF适用于高功率N沟道MOSFET，常见于电源开关、电机控制和逆变器等领域模块。其极低的导通电阻使其在低电压降场景中性能卓越。优势与适用领域
2023-12-08 15:44:47
IRFR1205TRPBF (VBE1638)参数说明:极性：N沟道；额定电压：60V；最大电流：45A；导通电阻：24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V；门源电压范围：20Vgs (±V
2023-12-08 15:21:47
;应用简介：FR3505是一款高功率N沟道MOSFET，适用于高电流、高功率的应用，常见于电机驱动、电源开关和电池管理等领域模块。其低导通电阻和高电流承载能力使其
2023-12-06 15:31:48
：CES2312是一款中低电压N沟道MOSFET，适用于电源开关、电机控制和稳压等应用。其低导通电阻和可调的阈值电压使其在多种场景中具备灵活性。优势与适用领域：具有
2023-12-06 14:05:49
适用于高功率N沟道MOSFET，常见于电源开关、电机控制和逆变器等领域模块。其极低的导通电阻使其在低电压降场景中性能卓越。优势与适用领域：适用于高功率应用，如电源开
2023-12-06 13:38:03
是一款高电流N沟道MOSFET，适用于高性能电源开关、电机控制和逆变器等领域模块。其低导通电阻和高电流承载能力使其在大电流应用中表现优异。
2023-12-06 11:56:13
硬件面试中有遇到过这样的事吗？通常让你画一个增强型的MOSFET，或是N沟道MOSFET或是P沟道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
电路和外置场效应晶体管驱动电路等，具有外部元件少，电路简单等优点。
当接通输入电源后，FS4067进 入充电状态，控制外置N沟道MOSFET导通，电感电流上升，当上升到外部电流检测电阻设置的上限时，外置
2023-11-21 12:14:43
的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电 路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻
2023-11-20 01:30:56189 电子发烧友网站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列设计更绿色、更小的电源.pdf》资料免费下载
2023-11-13 15:11:290 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。
2023-11-09 17:39:10459 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N沟道共漏MOSFET，适用于带USB的设备和电池组保护。产品发货即日起开始。
2023-11-08 16:22:22319 ISL9N310AD3ST-VB是一款VBsemi品牌的N沟道功率MOSFET。丝印为VBE1307，具有以下详细参数 额定电压（Vds） 30V
2023-11-08 15:51:23
型号 NTR4170NT1G丝印 VB1330品牌 VBsemi详细参数说明 - 类型 N沟道MOSFET- 最大耐压 30V- 最大电流 6.5A- 导通电阻 30mΩ@10V, 33m
2023-11-07 10:46:53
型号 AP2306GN丝印 VB1240品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 20V 最大电流 6A 导通电阻 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V
2023-11-06 10:21:13
高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压以2.4-2.6次方增长，导通电阻急剧增大，电流额定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 
型号 IRF8788TRPBF丝印 VBA1302品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 20A 导通电阻 4mΩ@10V, 4.5m
2023-11-03 15:31:19
型号 STD10NF10T4丝印 VBE1101M品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 100V 最大电流 18A 导通电阻 115mΩ@10V, 121m
2023-11-03 13:44:15
型号 AO4430丝印 VBA1303品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 18A 导通电阻 5mΩ @10V, 6.5mΩ @4.5V
2023-11-03 11:26:46
型号 FDT86113LZ丝印 VBJ1101M品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 100V 最大电流 5A 导通电阻 100mΩ@10V, 120m
2023-11-02 11:37:02
型号 AO3416丝印 VB1330品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 6.5A 导通电阻 30mΩ @10V, 33mΩ @4.5V
2023-11-01 14:27:18
型号 15N10 TO251丝印 VBFB1101M品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 100V 最大电流 15A 导通电阻 115mΩ @10V
2023-11-01 13:45:32
型号 AFN4634WSS8RG丝印 VBA1303品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 18A 导通电阻 5mΩ @10V, 6.5m
2023-11-01 11:21:18
型号 RSD050N10TL丝印 VBE1101M品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 100V 最大电流 18A 导通电阻 115mΩ @10V
2023-10-31 14:54:56
IRLR3410TRPBF详细参数说明 极性 N沟道 额定电压 100V 额定电流 18A 导通电阻 115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V
2023-10-31 14:23:09
型号 IRF7413TRPBF丝印 VBA1311品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 12A 导通电阻 12mΩ @10V, 15m
2023-10-31 11:06:50
型号 FDC3512丝印 VB7101M品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 100V 最大电流 3.2A 导通电阻 100mΩ @10V, 127m
2023-10-31 10:23:37
IRFR4620TRPBF详细参数说明 极性 N沟道 额定电压 200V 额定电流 25A 导通电阻 54mΩ @ 10V, 112mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V
2023-10-30 11:06:43
精密电阻和普通电阻的区别 普通电阻能否代替精密电阻？ 电阻是电子工程中一个常见的元件，它被用来控制电流和电压。精密电阻和普通电阻是电阻中的两个主要类别，它们之间的区别在于精度和稳定性。本文将详细介绍
2023-10-29 11:21:55933 型号 AP4563GH丝印 VBE5415品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N+P沟道MOSFET 最大耐压 ±40V 最大电流 50A/50A 导通电阻 15mΩ @10V
2023-10-28 16:06:13
型号 BSN20丝印 VB162K品牌 VBsemi详细参数说明 - 类型 N沟道MOSFET- 最大耐压 60V- 最大电流 0.3A- 导通电阻 2800mΩ @10V, 3000m
2023-10-28 09:33:35
FDC5661N详细参数说明 - 极性 N沟道- 额定电压 60V- 额定电流 7A- 导通电阻 30mΩ @ 10V, 35mΩ @ 4.5V- 门源电压 20Vgs (±V
2023-10-27 17:10:05
AOB414 (VBL1102N)参数说明：N沟道，100V，70A，导通电阻18mΩ@10V，22mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压2V，封装：TO263。应用简介：AOB414适用于高
2023-10-26 16:36:04
和小功率MOSFET类似，功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。
2023-10-25 10:42:27493 
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率
2023-10-18 09:11:42621 
我们知道，SiC MOSFET现阶段最“头疼”的问题就是栅氧可靠性引发的导通电阻和阈值电压等问题，最近，日本东北大学提出了一项新的外延生长技术，据说可以将栅氧界面的缺陷降低99.5%，沟道电阻可以降低85.71%，整体SiC MOSFET损耗可以降低30%。
2023-10-11 12:26:49611 
1、超级结构 高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压
2023-10-07 09:57:362772 
电子发烧友网站提供《P沟道增强模式功率MOSFET G040P04M规格书.pdf》资料免费下载
2023-09-19 17:29:110 说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 08:28:24
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 07:30:53
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:47:35
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:19:55
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:19:44
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:08:07
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:07:42
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
射频电阻和普通电阻区别 随着科技的不断进步和应用范围的扩大，射频技术在越来越多领域被广泛使用。在射频电路中使用的电阻，被称为射频电阻，而普通电路中使用的电阻，被称为普通电阻。射频电阻和普通电阻之间
2023-09-02 10:25:431207 垂直导电平面结构功率MOSFET管水平沟道直接形成JFET效应，如果把水平的沟道变为垂直沟道，从侧面控制沟道，就可以消除JFET效应。
2023-08-28 10:10:392920 
功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。
2023-08-25 10:07:56188 
和卓越的功率特性而闻名。无论是高性能工业设备还是创新电子产品，STF140N6F7都能胜任。STF140N6F7拥有60V的工作电压，典型导通电阻仅为0.0031
2023-08-21 16:34:33
器件描述：漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 50uA 漏源导通电阻：2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散
2023-08-21 10:49:56
SLH60R028E7是一款600VN沟道多层外延工艺的超结MOS，由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，故在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要
2023-08-18 08:32:56513 
Q A 问： Vishay热敏电阻的计算工具 (阻值-温度表) Vishay 热敏电阻的计算工具为Vishay 的许多 NTC 热敏电 提供了一个电阻-温度表。此免费工具可下载到任何一台
2023-07-05 20:05:09295 
。功率MOSFET的漏极之间有一个寄生二极管，当漏极与反向电压连接时，器件连接。功率MOSFET的导通电阻具有正温度系数，有利于并联器件时的均流。
2023-07-04 16:46:37975 
X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路[1]等应用。该产品于今日开始支持批量出货。 TPH3R10AQM具有业界领先的[2]3.1mΩ最大漏极-源极导通电阻，比东芝目前100V产品“
2023-07-03 14:48:14477 
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布， 推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:01368 
在H桥电路中实现P沟道MOSFET可能看起来既简单又诱人，但可能需要一些严格的计算和参数才能实现最佳响应。
2023-06-29 15:28:02957 
在这个设计中，我们看到了使用N沟道MOSFET实现BPS电路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
两者因为其栅极都是在外延表面生长出来的平面结构所以都统称为平面栅MOSFET。还有另外一种结构是把栅极构建在结构内部，挖出来的沟槽里面，叫做沟槽型MOSFET。针对两种不同的结构，对其导通电阻的构成进行简单的分析介绍。
2023-06-25 17:19:021448 
PTS4842 N沟道高功率MOSFET规格书
PTS4842采用沟槽加工技术设计，实现极低的导通电阻。并且切换速度快，传输效率提高。这些特征结合在一起，使这种设计成为一种适用于各种DC-DC应用的高效可靠的设备。
2023-06-14 16:55:480 AEC-Q200 认证，采用 SOT-227 小型封装，可直接安装在散热器上的全新厚膜功率电阻。 Vishay MCB ISOA 具有高脉冲处理能力，在 85˚C底壳温度下，功率耗散达 120
2023-06-03 08:25:02533 
。“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗的两项主要参数，但对于普通的MOSFET而言，由于导通电阻与芯片尺寸成反比，
2023-05-17 13:35:02471 
新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
高压SiC MOSFET的结构和技术存在着几个重要瓶颈：1）器件漂移区的导通电阻随电压等级相应增加，其他结构（沟道、JFET区等）的存在进一步提高了总导通电阻。
2023-05-04 09:43:181393 
ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路，该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005288 
MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常又称为N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 并提高可靠性。东芝实验证实，与现有SiC MOSFET相比，这种设计结构在不影响可靠性的情况下[1]，可将导通电阻[2]（RonA）降低约20%。功率器件是管理各种电子设备电能，降低功耗以及实现碳中和
2023-04-11 15:29:18
中国上海， 2023 年 3 月 30 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代
2023-03-30 13:37:14609 
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