日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
2011-04-01 10:41:59
1850 MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET®技术的电压扩展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的导通电阻低至18mΩ和23mΩ，同时保持低栅极电荷，在10V和7.5V下的典型电荷为31nC和22.8nC。
2013-04-23 11:47:112875 `惠海半导体供应50N06 60V 50ATO-252 N沟道 MOS管HC012N06LS，原装，库存现货热销品牌：惠海型号：HC080N06LSVDS：60V IDS：50A封装：TO-252
2020-11-11 17:30:28
惠海半导体供应50N06 60V 50ATO-252 N沟道 MOS管HC012N06L，原装，库存现货热销品牌：惠海型号：HC012N06LVDS：60V IDS：50A封装：TO-252沟道：N
2020-11-30 14:31:14
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-13 09:16:34
`深圳市三佛科技有限公司 供应 SLD80N06T 80A/60V TO-252 N沟道 MOS，原装，库存现货热销SLD80N06T 参数：60V80ATO-252 N沟道MOS管品牌：美浦森
2021-04-07 15:06:41
Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强Pow
2009-11-23 17:10:23930 小信号应用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封装能节约更多
2009-12-31 09:59:442304 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:521102 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 NP50P06D6(60V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-13 10:49:342966 
60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-NX7002BKH
2023-02-07 18:57:17
0 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-NX138BKH
2023-02-07 18:57:470 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-NX138AKH
2023-02-07 18:57:590 LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、12.5 mOhm、逻辑电平 MOSFET，使用针对重复雪崩增强的 TrenchMOS 技术-PSMN012-60HL
2023-02-08 19:06:510 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、12.5 mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN013-60HL
2023-02-08 19:07:050 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、11.5 mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN011-60HL
2023-02-08 19:07:250 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、14 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN014-60HS
2023-02-08 19:10:200 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、10 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN013-60HS
2023-02-08 19:10:330 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、9.3 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN9R3-60HS
2023-02-08 19:10:460 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMX700CN
2023-02-09 18:50:560 60 V、双 N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002HS
2023-02-14 19:22:520 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002HW
2023-02-15 18:43:580 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002H
2023-02-15 18:44:250 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV164ENE
2023-02-15 18:45:180 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV88ENE
2023-02-15 18:45:360 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV37ENE
2023-02-15 18:46:070 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMN37ENE
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2023-02-15 19:51:480 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-NX138AK
2023-02-16 20:08:330 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-NX138AKM
2023-02-16 20:25:210 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMN40SNA
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2023-02-17 19:11:240 60 V、360 mA N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002P
2023-02-17 19:11:410 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-NX138BKM
2023-02-17 19:40:020 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-山毛榉4D60-30
2023-02-17 19:56:410 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK7D36-60E
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2023-02-20 20:04:170 60 V、300 mA N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002
2023-02-21 19:23:100 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMN230ENE
2023-02-21 19:34:560 60 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D120-60P
2023-02-22 18:53:020 N 沟道 LFPAK 60 V、15.7 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN017-60YS
2023-02-22 18:57:200 N 沟道 60 V、14.8 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN015-60PS
2023-02-22 19:04:310 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMN120ENE
2023-02-23 19:04:350 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMN55ENE
2023-02-23 19:05:100 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D43-60E
2023-02-23 19:05:270 60 V、320 mA 双 N 沟道沟槽 MOSFET-BSS138BKS
2023-02-23 19:34:110 60 V、320 mA 双 N 沟道沟槽 MOSFET-BSS138PS
2023-02-27 18:36:510 60 V、310 mA N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002BKW
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2023-02-27 19:06:210 60 V、双 N 沟道沟槽 MOSFET-NX7002BKS
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2023-02-27 19:18:200 N 沟道 LFPAK 60 V、11.1 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN012-60YS
2023-03-01 18:51:270 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-NX7002BKM
2023-03-02 23:00:470 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-NX7002BKMB
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2023-03-02 23:02:470 D2PAK 中的 N 沟道 60 V、4.4 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN4R6-60BS
2023-03-03 18:54:350 D2PAK 中的 N 沟道 60 V 14.8 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN015-60BS
2023-03-03 19:02:090 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV55ENEA
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2023-03-03 19:34:480 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV120ENEA
2023-03-03 19:35:230 N 沟道 60 V 7.8 mΩ 标准电平 MOSFET，采用 TO220F (SOT186A)-PSMN7R6-60XS
2023-03-03 20:01:200 N 沟道 60 V、4.0 mΩ 标准电平 MOSFET，采用 TO220F (SOT186A)-PSMN3R9-60XS
2023-03-03 20:08:570 深圳市芯晶图电子技术有限公司供应60V/20AN沟道MOS管TO-252SLD20N06T，原装，库存现货热销SLD20N06T：60V20ATO-252N沟道MOS场效应管品牌：美浦森
2022-05-06 10:12:152279 
全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:141480 电子发烧友网站提供《60V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET CSD18541F5数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-27 13:49:350 电子发烧友网站提供《双通道N沟道20V（D-S）MOSFET 9926产品数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-01 17:59:021 电子发烧友网站提供《双通道 60V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD88539ND数据表.pdf》资料免费下载
2024-04-07 14:49:200 电子发烧友网站提供《BSS138AKM-Q 60V N沟道沟槽MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-09 11:28:350 电子发烧友网站提供《2N7002AKM-Q 60V、N沟道沟槽MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-09 11:29:170 电子发烧友网站提供《ZSKY-3400 N沟道20伏(D-S) MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-05-13 16:22:020 Vishay/Siliconix SiJK5100E N沟道MOSFET是一款TrenchFET^®^ 第五代功率MOSFET，具有100V漏源电压。该MOSFET具有536W最大功耗（+25°C
2025-11-11 13:42:26337 
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