日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
2011-04-01 10:41:59
1527 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET®技术的电压扩展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的导通电阻低至18mΩ和23mΩ，同时保持低栅极电荷，在10V和7.5V下的典型电荷为31nC和22.8nC。
2013-04-23 11:47:111791 30mR【60V MOS N沟道】型号：HC037N06LSN沟道场效应管60V30A SOP-8内阻30mR型号：HC080N06L N沟道场效应管60V17A 15N06 TO-252内阻70mR
2020-11-11 17:32:09
`深圳市三佛科技有限公司 供应 50N06 50A/60V TO-252 MOS管 HN50N06DA，原装，库存现货热销HN50N06DA参数：60V 50A TO-252 N沟道 MOS管
2021-03-30 14:13:25
`惠海半导体供应50N06 60V 50ATO-252 N沟道 MOS管HC012N06LS，原装，库存现货热销品牌：惠海型号：HC080N06LSVDS：60V IDS：50A封装：TO-252
2020-11-11 17:30:28
`深圳市三佛科技有限公司 供应 50N06 60V/50A 马达驱动MOS管 TO-252 HN50N06 ，原装，库存现货热销HN50N06DA参数：60V 50A TO-252 N沟道 MOS管
2020-07-31 14:38:46
型号:HC080N06LS【06N06】丝印：HC606参数：60V 6A 类型：N沟道场效应管 沟槽型内阻72mR低结电容435pF 封装：SOT23-3低开启电压1.8V广泛用于车灯照明、车载
2021-03-08 16:42:08
10 17N10 30V 60V 100V 150V SGT工艺高性能MOS管 低内阻 低开启 低结电容东莞市惠海半导体有限公司专业从事DC-DC中低压MOS管市场，专注中低压MOS管的设计、研发、生产与销售
2020-09-24 16:34:09
60V耐压-50N06TO-252 60V50AN沟道汽车灯电源MOS管【惠海半导体直销】品牌：惠海半导体型HC012N06L2VDS：60V IDS：50ARDS(on)Max：14mΩ封装
2020-12-02 15:59:03
惠海半导体供应50N06 60V 50ATO-252 N沟道 MOS管HC012N06L，原装，库存现货热销品牌：惠海型号：HC012N06LVDS：60V IDS：50A封装：TO-252沟道：N
2020-11-30 14:31:14
60V耐压mos管50N06_低成本_原厂直销_种类齐全型号：HC15N10 N沟道场效应管 100V15A(15N10)TO-252封装，内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等
2020-12-01 16:18:08
`型号:HC080N06LS【06N06】丝印：HC606参数：60V 6A 类型：N沟道场效应管 沟槽型内阻72mR低结电容435pF 封装：SOT23-3低开启电压1.8V广泛用于车灯照明、车载电子、电动车应用、LED去频闪、LED升降压照明、太阳能源。`
2021-03-08 17:11:36
;gt;N沟道MOSFET有三个电极，分别是源极S、漏极D和栅极G。当VGS=0时，漏、源极之间无原始导电沟道，ID=0；当VGS>0但是比较小时，漏、源极之间也无导电沟道。当
2010-08-17 09:21:57
为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地，漏极连接到负载，当栅极施加正电压时，FET导通。N 沟道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它们
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-09 09:09:18
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-12 09:12:51
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-13 09:16:34
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N沟道MOS晶体管`
2012-08-20 08:03:59
`深圳市三佛科技有限公司 供应 NCE60P04Y 新洁能 -4A -60V MOS管，原装，库存现货热销NCE60P04Y :-60V -4A SOT23-3L P沟道MOS 场效应管品牌：新洁能
2020-11-06 15:30:13
`深圳市三佛科技有限公司 NCE60P04Y 新洁能 -60V -4A SOT23-3L PMOS，原装，库存现货热销NCE60P04Y :-60V -4A SOT23-3L P沟道MOS 场效应管
2020-10-28 16:05:32
`深圳市三佛科技有限公司 供应 NCE60P05BY 新洁能-60V -4A SOT23-3L P沟道MOS 场效应管，原装，库存现货热销NCE60P05BY: -60V -4A SOT23-3LP
2020-10-28 16:11:39
（D）和源极（S）端子的方向。极性和MOSFET工作特性极性决定了MOSFET的工作特性。 对N沟道器件为正的电流和电压对P沟道器件为负值。图4：MOSFET第一象限特征在有充足电压施加到栅-源极端
2018-03-03 13:58:23
AOD4184SL444N沟道TO-252 60V 12A可替代 AOD444SL50N06 N沟道TO-252 60V 50ASL15N10 N沟道TO-252100V 15ASL403N沟道
2020-06-03 15:06:15
`深圳市三佛科技有限公司 供应 SLD80N06T 80A/60V TO-252 N沟道 MOS，原装，库存现货热销SLD80N06T 参数：60V80ATO-252 N沟道MOS管品牌：美浦森
2021-04-07 15:06:41
02TVDS：60AIDS ：20V封装:TO-252沟道：N沟道SLD60N02T 原装，SLD60N02T库存现货热销售后服务：公司免费提供样品，并提供产品运用的技术支持。阿里店铺：阿里 “供应商 ”搜索
2020-10-22 15:48:45
MOS管HN20P04： -40V-20ASOT-89 P沟道 MOS管【60V MOS N/P沟道】HN2310: 60V3A SOT23N沟道 MOS管HN04P06 ：-60V-4ASOT-23 P
2021-03-24 10:35:56
10)TO-252封装， 内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等型号：HC012N06LN沟道场效应管60V50A(50N06 )TO-252封装， 内阻12mR,汽车灯电源、电机驱动、控制器等
2020-10-14 15:18:58
场效应管 100V30ADFN3*3封装 内阻20毫欧型号：HC6033D N沟道场效应管 60V13ADFN3*3封装 内阻70毫欧型号：HC6019D N沟道场效应管 60V20ADFN3*3封装 内阻30毫欧
2020-09-23 11:38:52
TO-252 N沟道 MOS管30V 85A TO-252 N沟道 MOS管 【40V MOS N沟道】40V 10A SOP8 N沟道 MOS管【60V MOS N沟道】60V 3A SOT23 N
2020-11-02 16:02:10
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V（绝对最大值）的高压（HV）轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
符号。不同之处在于体二极管和箭头符号相对于端子的方向。图3：P沟道和N沟道MOSFET的原理图。注意体二极管和箭头相对漏极（D）和源极（S）端子的方向。极性和MOSFET工作特性极性决定了MOSFET
2021-04-09 09:20:10
``VISHAY生产Si7658ADP，3000pcs/盘，Single N-Channel 30 V 0.0022 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8，60K原装现货，价格优势。联系QQ：864968599``
2014-04-02 16:25:18
，从而在不改变封装体积的情况下提高输出功率。另一个普遍的希望是，能够最终避免采用插件封装的器件（比如TO220、TO247）。阻断电压为40V和60V的最新一代英飞凌MOSFET，如今可满足设计工
2018-12-06 09:46:29
请问MOSFET的D-S间的电压与电流是如何产生交叠的呢？
2023-05-16 14:28:04
Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 小信号应用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封装能节约更多
2009-12-31 09:59:441421 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 Mouser Electronics开始供应Vishay Siliconix第一款採用业界最小的晶片级封装，并将导通电阻降至 1.2V 的 MOSFET。
2012-11-26 09:28:421014 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，为通信、工业和企业级电源提供
2017-02-10 15:10:111667 Vishay推出输入电压为4.5V～60V的新款2A～10A器件---SiC46X，扩充其microBUCK同步降压稳压器。Vishay Siliconix SiC46X器件十分节省空间，在小尺寸
2018-05-21 10:56:001893 NP50P06D6(60V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-13 10:49:341560 
60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMX700CN
2023-02-09 18:50:56
0 60 V、双 N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002HS
2023-02-14 19:22:520 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002HW
2023-02-15 18:43:580 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002H
2023-02-15 18:44:250 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV164ENE
2023-02-15 18:45:180 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV37ENE
2023-02-15 18:46:070 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMN37ENE
2023-02-15 18:46:540 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-NX6008NBKW
2023-02-15 19:51:260 60 V、双 N 沟道沟槽 MOSFET-NX6008NBKS
2023-02-15 19:51:380 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-NX138AK
2023-02-16 20:08:330 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-NX138AKM
2023-02-16 20:25:210 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMN40SNA
2023-02-16 20:54:000 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMN55ENEA
2023-02-16 21:17:361 60 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BUK6Y33-60P
2023-02-17 18:44:050 60 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PSMP061-60YE
2023-02-17 18:45:550 60 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PSMP033-60YE
2023-02-17 18:46:150 60 V、360 mA N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002P
2023-02-17 19:11:410 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-NX138BKM
2023-02-17 19:40:020 60 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PMV100EPA
2023-02-20 19:03:300 60 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BUK6Y61-60P
2023-02-20 19:13:270 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK7D36-60E
2023-02-20 19:14:442 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002NXBK
2023-02-20 19:44:550 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV37ENEA
2023-02-20 19:51:040 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV164ENEA
2023-02-20 19:53:520 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D210-60E
2023-02-20 19:57:030 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D125-60E
2023-02-20 19:57:430 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMN120ENEA
2023-02-20 19:58:020 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMN230ENEA
2023-02-20 19:59:070 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMN40ENA
2023-02-20 20:01:240 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D77-60E
2023-02-20 20:03:400 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D56-60E
2023-02-20 20:04:170 60 V、300 mA N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002
2023-02-21 19:23:100 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMN230ENE
2023-02-21 19:34:560 60 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D120-60P
2023-02-22 18:53:020 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMN120ENE
2023-02-23 19:04:350 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D43-60E
2023-02-23 19:05:270 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-NX7002BK
2023-02-27 19:07:020 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMPB55ENEA
2023-02-27 19:12:230 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-NX138BKW
2023-02-27 19:17:360 60 V、双 N 沟道沟槽 MOSFET-NX138BKS
2023-02-27 19:17:510 60 V、双 N 沟道沟槽 MOSFET-NX138AKS
2023-02-27 19:18:200 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-NX7002BKM
2023-03-02 23:00:470 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-NX7002BKMB
2023-03-02 23:01:060 60 V、双 N 沟道沟槽 MOSFET-NX7002AKS
2023-03-02 23:01:240 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BSN20BK
2023-03-02 23:02:470 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV55ENEA
2023-03-03 19:33:310 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV450ENEA
2023-03-03 19:34:170 60V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV230ENEA
2023-03-03 19:34:480 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV120ENEA
2023-03-03 19:35:230 N 沟道 60 V 7.8 mΩ 标准电平 MOSFET，采用 TO220F (SOT186A)-PSMN7R6-60XS
2023-03-03 20:01:200 N 沟道 60 V、4.0 mΩ 标准电平 MOSFET，采用 TO220F (SOT186A)-PSMN3R9-60XS
2023-03-03 20:08:570
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