Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出具有0.8mm业内最低高度的新款全集成接近和环境光光学传感器--- VCNL4020
2012-06-18 09:39:12
1172 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出具有0.8mm业内最低高度的新款全集成接近和环境光光学传感器--- VCNL4020。
2012-06-19 10:01:131284 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441437 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403499 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383289 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10 V条件下最大导通电阻降至4 m，采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。
2019-10-05 07:04:006418 硬件面试中有遇到过这样的事吗？通常让你画一个增强型的MOSFET，或是N沟道MOSFET或是P沟道MOSFET
2023-11-21 15:05:314062 
Littelfuse P沟道功率MOSFETs，虽不及广泛使用的N沟道MOSFETs出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加， P沟道功率MOSFET的应用范围得到拓展。
2024-04-02 14:27:302758 
东芝推出了采用外形尺寸仅为0.8mm×0.8mm×0.3mm的SDFN4封装的LDO稳压器IC “TCR2EN系列”。
2012-02-06 09:22:011643 披欧）包括****标准的引脚间距（1.27mm、0.8mm、0.5mm、0.635mm等）、具体的引脚数量（如6-500针）、各式引脚样式（如贴片式、直插式等）、电镀方式（金镀层厚度不同）、
此外
2025-08-22 17:29:17
WERA - 8700 0.8MM - Hex Driver Bit, Slotted, 0.8mm x 5.5mm, 28mm
2024-06-20 20:50:33
`<p><font face="Verdana">N沟道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地，漏极连接到负载，当栅极施加正电压时，FET导通。N 沟道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它们
2023-02-02 16:26:45
），基本原则就是在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOS管。小到选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，工程师在选择
2023-02-17 14:12:55
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
，增强型MOSFET分为P沟道增强型和N沟道增强型，耗尽型MOSFET分为P沟道耗尽型和N沟道耗尽型。在本文中，小编将介绍其中一种类型的MOSFET，即P沟道MOSFET。基本概念沟道由大多数电荷载流子作为
2022-09-27 08:00:00
是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关，本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员，MOSFET可能代表能源传递最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。1、N沟通和P沟道
2016-12-07 11:36:11
40V10ASOP-8封装N沟道 【40V MOS管 N沟道】SL488440V12.5ASOP8封装N沟道 【30V MOS管 N/P沟道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封装P沟道
2020-06-22 10:57:12
40V10ASOP-8封装N沟道 【40V MOS管 N沟道】SL488440V12.5ASOP8封装N沟道 【30V MOS管 N/P沟道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封装P沟道
2020-06-29 16:39:10
03场效应管30V39A N沟道 DFN3x3-8 功率MOS管【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封装N沟道
2020-06-10 14:31:13
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道MOSFET或N沟道MOSFET作为主开关。同步整流器应用几乎总是使用N沟道技术，这主要
2021-04-09 09:20:10
。STLQ020即日起投产，采用2mm x 2mm DFN6、0.8mm x 0.8mm倒装芯片4、2.1mm x 2.0mm SOT323-5L三种封装。高性能四路LDO稳压器评估板
2018-04-10 15:13:05
你好，我寻求CSG325 0.8mm间距BGA封装的布局信息。我想找到类似于UG112第87和88页中的建议，其中列出了焊盘尺寸，焊接掩模开口，焊盘尺寸等。是否有像CSG325这样的芯片级封装的类似
2019-04-12 13:51:20
接触到个项目，上面需要个数字温度传感器，要求高度不能大于0.8MM……最好是QFN封装的，没有的话其他封装也行但是我实找不到合适的型号…………有谁知道的，推荐一个参考参考，感激不尽
2019-01-14 04:12:47
推出并量产低温锡丝。无铅低温焊锡焊点亮度，焊接机械强度，拉伸韧性及电子导电率等指标均有较大提高,无铅低温锡丝直径从0.8mm,1.0mm 可供选择，里面含有松香，电烙铁直接焊接；本公司所生
2021-12-10 11:15:04
MUF-PK10K-X，连接器，0.8mm间距/接口 该连接器是带锁定机构的屏蔽接口连接器。插头侧：易于
2023-02-18 15:37:00
N加P沟道增强型MOSFET管
N加P沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:43:39
25 Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强Pow
2009-11-23 17:10:23930 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP沟道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装，具
2009-11-25 17:56:521012 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:521103 P沟道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351818 采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET -
2010-04-30 08:42:491125 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2011-01-26 09:04:081831 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，
2011-03-02 10:19:301778 日前，Vishay Intertechnology, Inc.发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。
2011-08-18 09:42:403002 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率
2011-10-21 08:53:051059 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351925 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:131026 Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541792 ® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:401182 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211312 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:051119 的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的这两款器件可用于车载
2013-12-13 15:07:131158 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性，就RDS(on)而言，为得到相等的值，P沟道的管芯尺寸大约是N沟道的三倍。因此N沟道的管芯尺寸更小。
2018-03-09 14:28:1523173 
器件带有日光阻挡滤光片，采用小尺寸2.5mm x 2.0mm x 0.8mm SMD封装，可实现光学检查 Vishay光电子产品部推出可用于智能家居、工业和办公设备的新反射式光传感器
2018-05-26 02:18:005830 MCP87130 是采用常见的 PDFN 5 mm x 6 mm 封装和
PDFN 3.3 mm x 3.3 mm 封装的 N 沟道功率 MOSFET。
MCP87130 利用先进的封装和硅片
2018-06-29 11:23:002 MCP87090 是采用常见的 PDFN 5 mm x 6 mm 封装和
PDFN 3.3 mm x 3.3 mm 封装的 N 沟道功率 MOSFET。
MCP87090 利用先进的封装和硅片
2018-07-02 10:23:0010 MCP87050 是采用常见的 PDFN 5 mm x 6 mm 封装的
N 沟道功率 MOSFET。先进的封装和硅片加工技术使
MCP87050 可以在给定 RDS(ON) 值的情况下实现低
2018-06-29 10:24:004 MCP87055 器件是采用常见的 PDFN 3.3 mm x 3.3 mm
封装的 N 沟道功率 MOSFET。先进的封装和硅片加工技
术使 MCP87055 可以在给定 RDS(on) 值
2018-06-29 10:24:005 MCP87022 是采用常见的 PDFN 5 mm x 6 mm 封装的
N 沟道功率 MOSFET。先进的封装和硅片加工技术使
MCP87022可以在给定RDS(on)值的情况下实现低QG
2018-06-29 11:24:006 新的芯片级MICRO FOOT P沟道Si8457DB在1.8V栅极驱动下具有1.6mm x 1.6mm占位的MOSFET当中最低的导通电阻，也是唯一VGS 达到±8V的此类器件，为锂离子电池供电的应用提供了额外的安全裕量。
2018-08-28 09:10:001427 间距为0.5、0.6、0.8和1.0mm，而且通过配接各种组合的垂直插头和母端护套高度，可以实现从4mm到20mm的板对板堆叠高度（增量为1mm）。
2018-09-25 10:48:506534 、TSOP574..和TSOP575..器件，具有0.8mm的超薄厚度，是目前市场上最薄的产品之一，感光角达到了惊人的150°。该接收器具有Vishay一贯性的高灵敏度，其接收距离达到了40米。 平板LED
2018-12-21 12:43:01551 本文档的主要内容详细介绍的是0.8mm双槽板对板BTB连接器的规格原理图免费下载。
2020-01-09 08:00:008 本文档的主要内容详细介绍的是0.5MM和0.8MM间距侧插板对板连接器公母座规格原理图免费下载。
2020-01-08 08:00:0012 本文档的主要内容详细介绍的是FCI间距0.8MM接插件AMP款公母座板对板连接器的规格原理图免费下载。
2020-04-22 08:00:003 电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N沟道耗尽型功率
2021-05-27 12:18:589888 
Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET® Gen IV功率MOSFET技术。
2021-04-21 17:50:211914 
0.8MM前脚的HDMI C TYPE沉板原理图
2021-08-02 11:10:313 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款n沟道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。
2022-02-07 15:37:081785 
由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道MOSFET或N沟道MOSFET作为主开关。
2022-11-18 11:28:214035 KOYUELEC光与电子提供SUNLORDINC顺络电子0.8mm低背型合金粉芯绕线功率电感技术选型和方案应用
2023-01-04 14:23:19874 
60 / 50 V，330 / 170 mA N/P 沟道沟槽 MOSFET-NX1029X
2023-02-07 19:57:500 R0E53033GCFG90 用户手册 (Converter Board for Connecting R8C/33G and R8C/33H 组s 32-pin 0.8mm pitch LQFP)
2023-04-19 18:47:140 R0E53036ACFG40 用户手册 (Converter Board for Connecting R8C/36A and R8C/36C 组s 64-pin 0.8mm pitch LQFP)
2023-04-19 19:19:480 R0E420000CFG40 用户手册 (Converter Board for Connecting H8S/Tiny Series 64-pin 0.8mm pitch LQFP)
2023-04-19 19:21:030 在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路，该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:0012151 
R0E5212L4CFG00 使用手册(32-pin 0.8mm间距LQFP转换板)
2023-04-28 19:11:320 M3T-64DIP-DMS 用户手册(64-pin RSS Type Emulator MCU转接64-pin 0.8mm pitch QFP转接板)
2023-04-28 19:54:350 R0E436640CFG20 用户手册（64-pin 0.8mm间距QFP转换板）
2023-05-04 19:44:440 R0E5212BACFG00 用户手册(64-pin 0.8mm间距LQFP转换板)
2023-05-04 20:04:450 R0E521276CFG00 用户手册（32-pin 0.8mm间距LQFP转换板）
2023-05-08 19:55:450 R0E521134CFG00 用户手册（32-pin 0.8mm间距LQFP转换板）
2023-05-09 19:41:400 R0E521276CFG00 用户手册（32-pin 0.8mm间距LQFP转换板）
2023-06-27 19:35:380 R0E521134CFG00 用户手册（32-pin 0.8mm间距LQFP转换板）
2023-06-28 18:31:330 p沟道和n沟道的区别 n沟道和p沟道怎样区分？ 区分p沟道和n沟道的关键在于材料的杂质掺入和本征类型。在材料中掺入不同类型的杂质能够改变材料的导电性质，从而使其成为p沟道或n沟道。 首先，让我们来了
2023-11-23 09:13:426071 焊接时，需要采取严格的气体保护才能获得性能良好的焊接接头。下面来看看激光焊接机焊接0.8mm钛合金的技术工艺。 激光焊接机焊接0.8mm钛合金的技术工艺： 一、准备阶段 在准备阶段，需要先准备好焊接所需的所有材料，包括0.8mm钛
2023-12-14 11:28:151645 
场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件。根据导电沟道的类型，场效应晶体管可以分为N沟道和P沟道两种类型。本文将对N沟道和P沟道
2023-12-28 15:47:1515374 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:081687 
电子发烧友网站提供《采用1.2mm x 0.8mm WCSP封装的TPS6283810小型6引脚3A降压转换器数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-08 09:53:100 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:021364 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:141482 电子发烧友网站提供《采用TSOT和2mm×2mm×0.8mm QFN封装的 2.25MHz、 600mA 降压转换器TPS6256x数据表.pdf》资料免费下载
2024-04-26 10:36:550 P沟道与N沟道MOSFET作为半导体器件中的关键元件，在电子电路设计中扮演着重要角色。它们各自具有独特的工作原理、结构特点以及应用场景。
2024-08-13 17:02:204943 档为WorldPO连接器产品的选型手册，详细介绍了多种型号连接器的产品规格和参数，
包括标准的引脚间距（1.27mm、0.8mm、0.5mm、0.635mm等）、具体的引脚数量（如6-500针）、各式引脚样式（如贴片式、直插式等）、电镀方式（金镀层厚度不同）、
此外，还提供了配对合
2024-11-29 13:41:032 产品概述 型号 ：CSD18512Q5B 类型 ：40V N沟道 NexFET™ 功率MOSFET 封装 ：SON 5mm × 6mm 塑料封装 特点 ：低导通电阻（R_DS(ON)）、低热阻、雪崩额定、逻辑电平、无铅端子镀
2025-04-16 10:20:33789 
在智能设备“瘦身”的浪潮中，内部空间的“寸土寸金”是各种设备制造商的一大困扰。当传统连接器在紧凑空间里“施展不开”，当复杂的线缆端接拖慢生产效率——TE Connectivity（以下简称“TE”）的全新0.8mm超薄型IDC连接器系统，正是您期待已久的解决方案！
2025-07-01 16:27:28919 
仁懋电子（MOT）推出的MOT4383T是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借0.8mΩ超低导通电阻、400A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装，适用于高功率
2025-11-19 15:15:00184 
mm封装，具有下拉和中心栅极设计，可提高功率密度、效率和散热性能。该N沟道MOSFET无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET非常适合用于ORing、电机驱动器、电源负载开关和直流/直流应用。
2025-11-24 15:35:18265 
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