Vishay推出新型TrenchFET第五代功率MOSFET

Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212‑8S 封装，导通电阻低至 0.95 mΩ，优异的 FOM 仅为 29.8mΩ*nC

Vishay 推出多功能新型 30 V n 沟道 TrenchFET第五代功率 MOSFET，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。

Vishay SiliconixSiSS52DN采用热增强型 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK1212-8S 封装，10 V 条件下导通电阻仅为 0.95 mΩ，比上一代产品低 5 %。此外， 4.5 V 条件下器件导通电阻为 1.5 mΩ，而 4.5 V 条件下导通电阻与栅极电荷乘积，即 MOSFET 开关应用重要优值系数（FOM）为 29.8 mΩ*nC，是市场上优值系数最低的产品之一。

SiSS52DN的 FOM 比上一代器件低 29%，从而降低导通和开关损耗，节省功率转换应用的能源。SiSS52DN适用于同步整流、同步降压转换器、DC/DC 转换器、开关柜拓扑结构、OR-ring FET 低边开关，以及服务器、通信和 RF 设备电源的负载切换。MOSFET 可提高隔离和非隔离拓扑结构的性能，简化设计人员两种电路的器件选择。 器件经过 100 % RG和 UIS 测试，符合 RoHS 标准，无卤素。

原文标题：新型 30V N沟道 MOSFET 提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效

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责任编辑：haq