瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压
2012-06-26 11:01:02
1660 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441436 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件
2012-10-22 13:45:241488 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率
2013-04-23 11:47:112875 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10 V条件下最大导通电阻降至4 m，采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。
2019-10-05 07:04:006418 Littelfuse P沟道功率MOSFETs，虽不及广泛使用的N沟道MOSFETs出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加， P沟道功率MOSFET的应用范围得到拓展。
2024-04-02 14:27:302758 
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大导通电阻，以及22A～47A的额定电流范围
2011-10-13 09:09:311541 ST新款STDRIVE601三相闸极驱动器用于驱动600V N通道功率MOSFET和IGBT电极体，稳定性位居目前业界最先进之水准，可耐受低至-100V的负尖峰电压，逻辑输入回应速度在85ns以内，处于同级产品一流水准。
2019-08-22 16:54:061226 中国上海， 2023 年 6 月 13 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品
2023-06-13 16:38:501327 
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
各位大师 请教个问题本人有台开关电源600V/3A。整流后经四个大容，四个场效应管组成的对管，后经变压器，再经整流。开电没问题。只要工作就烧开关管，大功率场效应管，两个对管。问问是怎么回事，会是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
N沟道功率MOSFET 美容仪加湿器专用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管
2025-10-31 09:35:26
为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地，漏极连接到负载，当栅极施加正电压时，FET导通。N 沟道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它们
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01
子的欧姆区域（ohmic region），MOSFET“完全导通”。在对比图中，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是-4.5V。随着栅极电压增加，欧姆曲线的斜率变得更陡，表明器件导电能力更强。施加
2018-03-03 13:58:23
深圳市三佛科技有限公司供应SA2601A马达驱动600V单相双NMOS半桥栅极驱动芯片
SA2601A是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片，专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT
2024-04-01 17:36:07
深圳市三佛科技有限公司 供应 SLN30N03T30V 30A N沟道 MOS，原装现货热销 SLN30N03T参数： 30V30ADFN3*3-8 N沟道MOS管品牌：美浦森
2021-04-07 14:57:10
了其对电压波动的适应性。3. 简化设计，集成度高
采用浮动通道架构，可直接驱动工作电压高达600V的高边N沟道MOSFET或IGBT，无需复杂的隔离电源，极大地简化了半桥、全桥等拓扑的设计，降低了方案
2025-09-05 08:31:35
600V、4A/4A 半桥门极驱动SiLM2285，超强抗干扰、高效驱动、高边直驱设计三大核心优势，解决工业开关电源、电机拖动、新能源逆变及储能设备中的驱动难题，实现对高压、高功率MOSFET
2025-10-21 09:09:18
升/下降时间及170ns典型传播延迟，显著降低开关损耗，提升高频应用下的转换效率和功率密度。
高边直驱设计： 独特的浮动通道设计，支持直接驱动600V高边N沟道MOSFET/IGBT，无需额外隔离电源
2025-08-08 08:46:25
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V（绝对最大值）的高压（HV）轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是-4.5V。随着栅极电压增加，欧姆曲线的斜率变得更陡，表明器件导电能力更强。施加的栅极电压越高，MOSFET的RDS(on)就越小。在某些应用中
2021-04-09 09:20:10
20V N-沟道增强型MOSFET
20V N-沟道增强型MOSFET简介
2010-04-08 17:33:33
15 20V N沟道增强型MOSFET管
20V N沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:39:0026 30V N沟道增强型MOSFET管
30V N沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:41:0020 Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω，栅极电荷减小为48nC，采
2010-07-16 15:05:2417 600V MOSFET继续扩展Super Junction FET技术
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181434 安森美新增100V N沟道MOSFET系列：NTP641x/NTB641x/NTD641x
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSF
2010-02-05 08:37:092023 500V和600V的高压MOSFET
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充公司市场领先的功率开关产品阵容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFE
2010-02-23 16:15:342107 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:521102 带集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET(ON)
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件
2010-04-10 10:32:52729 罗姆开发了采用SiC功率元件的功率模块，额定电压和电流分别为600V和1000A。该产品是与美国Arkansas Power Electronics International公司共同开发的。之所以能承受1000A的大电流，是因为采用了沟
2011-10-12 09:48:461712 MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET®功率
2011-10-21 08:53:051058 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923 Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541791 MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，为通信、工业和企业级电源提供了
2017-02-10 15:10:112189 描述bp6901a / bp6908a是一种高电压，高速半桥预潜水员对功率MOSFET和IGBT。它具有高侧和低侧的输入，以及具有内部死区时间的两个输出通道，以避免交叉传导。输入逻辑水平与3.3v/5v/15v信号兼容。浮高侧通道可驱动N沟道功率MOSFET或IGBT 600V。
2017-11-23 14:13:3759 意法半导体的STDRIVE601三相栅极驱动器用于驱动600V N沟道功率MOSFET和IGBT管，稳健性居目前业内最先进水平，可耐受低至-100V的负尖峰电压，逻辑输入响应速度在85ns以内，处于同级产品一流水平。
2019-07-18 09:03:001529 电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N沟道耗尽型功率
2021-05-27 12:18:589886 
Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET® Gen IV功率MOSFET技术。
2021-04-21 17:50:211914 
SVF12N60F/S/K 600V N沟道增强型场效应管资料下载。
2022-02-16 14:52:580 Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60EF 导通电阻比前代器件降低 29 %，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降 60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中 600V MOSFET 的重要优值系数（FOM）创业界新低。
2022-10-14 16:16:121359 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMH550UNE
2023-02-07 18:55:510 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMH400UNE
2023-02-07 18:56:270 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMH260UNE
2023-02-07 18:56:450 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-NX7002BKH
2023-02-07 18:57:170 50 V、N 沟道沟槽 MOSFET-NX5008NBKH
2023-02-07 18:57:350 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-NX138BKH
2023-02-07 18:57:470 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-NX138AKH
2023-02-07 18:57:590 60 V、双 N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002HS
2023-02-14 19:22:520 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMH600UNE
2023-02-20 20:06:390 30 V，N 沟道 MOSFET-PMPB10ZH
2023-02-21 18:21:260 30 V，N 沟道 MOSFET-PMPB100ENE
2023-02-21 19:32:000 20 V、双 N 沟道沟槽 MOSFET-PMDXB600UNE
2023-02-27 19:04:542 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMZB600UNEL
2023-02-27 19:10:050 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMZ600UNEL
2023-02-27 19:10:580 20 V、双 N 沟道沟槽 MOSFET-PMDXB600UNEL
2023-02-27 19:16:050 30 V、单 P 沟道沟槽 MOSFET-PMPB47XP
2023-03-02 22:21:131 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMZB600UNE
2023-03-02 22:48:200 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMZ600UNE
2023-03-02 22:49:200 NP60N06PDK60 V - 60 A - N 沟道功率 MOS FET 应用：汽车
2023-03-17 19:48:142 NP90N06VLK60 V - 90 A - N 沟道功率 MOS FET 应用：汽车
2023-03-17 19:48:460 NP90N04VLK40 V - 90 A - N 沟道功率 MOS FET应用：汽车
2023-03-17 19:49:390 NP75N04VUK40 V - 75 A - N 沟道功率 MOS FET应用：汽车
2023-03-17 19:50:260 NP75N055YUK55 V - 75 A - N 沟道功率 MOS FET应用：汽车
2023-03-17 19:50:470 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。
2023-06-16 09:03:30802 
NP60N06PDK60 V - 60 A - N 沟道功率 MOS FET 应用：汽车
2023-07-07 18:39:490 NP90N04VLK40 V - 90 A - N 沟道功率 MOS FET应用：汽车
2023-07-07 18:41:240 NP75N04VUK40 V - 75 A - N 沟道功率 MOS FET应用：汽车
2023-07-07 18:42:040 NP75N055YUK55 V - 75 A - N 沟道功率 MOS FET应用：汽车
2023-07-07 18:42:170 电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500 电子发烧友网站提供《60 V，N沟道沟槽MOSFET BXK9Q29-60A英文资料.pdf》资料免费下载
2024-01-04 14:22:260 电子发烧友网站提供《25V N沟道 NexFET™ 功率MOSFET CSD16321Q5数据表 .pdf》资料免费下载
2024-03-21 10:43:010 电子发烧友网站提供《25V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16401Q5数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 10:46:300 Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET产品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK® 8 x 8 LR封装技术，标志着第四代600V E系列功率MOSFET的诞生。这一创新产品为通信、工业及计算领域带来了前所未有的高效高功率密度解决方案。
2024-05-14 15:33:381341 电子发烧友网站提供《1A，700V N沟道功率MOSFET UTC1N70-LC数据手册.pdf》资料免费下载
2024-05-30 16:11:410 英飞凌再次引领行业潮流，最新推出的600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技术创新和卓越性价比，在全球范围内树立了高压超级结MOSFET技术的新标杆。作为英飞凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266 电子发烧友网站提供《ZSKY-2302-20V-2.3A 150-160K N沟道MOSFET技术手册.pdf》资料免费下载
2025-05-13 16:40:560 电子发烧友网站提供《ZSKY-2302-20V-2.3A 155K N沟道MOSFET技术手册.pdf》资料免费下载
2025-05-13 16:38:340 电子发烧友网站提供《ZSKY-2302-20V-3A N沟道MOSFET技术手册.pdf》资料免费下载
2025-05-13 16:34:290 电子发烧友网站提供《ZSKY-2302-20V-3A N沟道MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-05-13 16:31:150 电子发烧友网站提供《ZSKY-ZS7N65A N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-05-14 15:58:360 电子发烧友网站提供《ZSKY-ZS8N65A N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-05-14 15:57:360 仁懋电子（MOT）推出的MOT65R600F是一款基于超级结技术的N沟道功率MOSFET，凭借650V耐压、低导通损耗及高鲁棒性，广泛适用于功率因数校正（PFC）、开关模式电源（SMPS
2025-10-31 17:28:48199 
仁懋电子（MOT）推出的MOT50N02D是一款面向低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借20V耐压、超低导通损耗及50A大电流承载能力，广泛适用于各类开关应用（如DC-DC转换器
2025-10-31 17:36:09229 选型手册：MOT5122TN沟道功率MOSFET晶体管仁懋电子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大电流低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借120V耐压、2.0mΩ超低导通损耗
2025-11-05 15:53:52211 仁懋电子（MOT）推出的MOT70N03D是一款面向30V低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通损耗、70A大电流承载能力及RoHS合规性，适用于各类开关应用（如DC-DC
2025-11-05 16:01:03243 仁懋电子（MOT）推出的MOT100N03MC是一款面向30V低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通损耗、100A大电流承载能力及优异的开关特性，适用于各类开关应用（如
2025-11-06 15:44:22308 仁懋电子（MOT）推出的MOT50N03D是一款面向30V低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通损耗、50A大电流承载能力及快速开关特性，适用于各类开关应用（如DC-DC
2025-11-11 09:18:36255 仁懋电子（MOT）推出的MOT20N50A是一款面向500V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借高开关速度、优异的dv/dt能力及500V耐压，适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED
2025-11-24 14:45:26185 在电子工程师的日常设计工作中，MOSFET 作为关键的功率器件，其性能和特性直接影响着整个电路的运行效率和稳定性。今天，我们就来详细剖析 onsemi 推出的 NVMFWS004N10MC 这款 100V、3.9mΩ、138A 的单 N 沟道功率 MOSFET。
2025-12-01 15:35:07232 
在电子工程领域，功率MOSFET一直是电源设计中的关键元件。今天要给大家详细介绍的是安森美（onsemi）的NTH4L060N065SC1，一款650V、44mΩ、47A的N沟道SiC功率MOSFET，采用TO247 - 4L封装。
2025-12-08 15:02:32326 
（Ta=25°C）：70W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V 4A。应用场景：适用于高效率开关电源、电机驱动器和照明应用等，可用于电源因数校正（PFC）电路中
2023-08-21 10:49:56
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