Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:44
1436 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 本文介绍了两种精简电路，它们均使用单个高电压LT8315转换器，可由30V至400V的宽输入电压范围产生±12V输出。一个电路是隔离型反激式拓扑，另一个则是非隔离型降压拓扑。
2020-02-04 11:42:002833 
日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%，降低压降并减小传导损耗，从而实现更高功率密度。
2020-08-17 11:53:141177 汽车级MOSFET导通电阻比最接近的DPAK封装竞品器件低28 %，比前代解决方案低31 %，占位面积减小50 %，有助于降低导通功耗，节省能源，同时增加功率密度提高输出。
2021-04-07 10:34:073575 Diodes 公司推出通用的 AC 高电压输入非隔离式脱机切换器 IC，可进一步强化其电源产品组合。
2022-03-03 11:07:291393 
。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:432171 
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
，表明MOSFET沟道导通。当Vgs进一步增加，Rdson下降比较来缓，因为沟道完全导通，MOSFET导通电阻由其它的电阻组成部分决定。当器件缩小到更小的尺寸，RS , RCH也减小，因为更多的单个的单元
2016-10-10 10:58:30
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率
2019-07-04 06:22:42
的功率MOSFET的G极、S极加上正向电压后，在G极的下面的P型体区，就会形成一个非常薄的反型层N型，这样D极的N、反型层N、S极的N，就会形成导通的路径。图1：N沟道(左）、P沟道MOSFET结构P
2016-12-07 11:36:11
非隔离DC-DC拓扑介绍 Buck型拓扑变换器 Buck型变换器的拓扑结构如图所示，Buck型变换器也称降压型电源拓扑。在开关管S导通时，二极管VD负极电压高于正极反偏截止，此时电流
2023-03-22 15:55:15
员所需要的。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor简称FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
及实际应用 · AN-1059 –DirectFET MOSFET 的热模型和特性 此外设计人员还可以访问IR的DirectFET网上搜索中心，进一步了解如何利用DirectFET器件的独特优点及其如何增强电气和热性能的信息。 :
2018-11-26 16:09:23
十分敏感，抑制能力差。雷击浪涌，这种电压是瞬间高压，高达几千伏，时间很短，能量极强，这个电压进入电源，对于非隔离BUCK电路，会瞬间传达到输出，击坏恒流检测环，或是进一步击坏芯片，造成300v直通，而
2015-11-19 20:47:05
采用谐振电感与变压器磁集成设计，配合GaN高频特性，进一步压缩体积。例如，戴尔130W GaN电源通过类似技术实现体积仅120cm³，功率密度突破5W/cm³（约82W/in³），而Leadway
2025-10-22 09:09:58
的设计而言，它大幅降低了MOSFET导通电阻，并保持了出色的开关性能。 英飞凌推出的OptiMOS 3系列进一步改进了设计，使更高电压等级的器件能够受益于这种技术。在150 V 至250 V的电压
2018-12-07 10:21:41
型号：SLN30N03T电压：30V 电流：30A封装：DFN3*3-8种类：绝缘栅(MOSFET)SLN30N03T 原装，SLN30N03T库存现货热销售后服务：公司免费提供样品，并提供产品运用的技术支持。阿里店铺
2021-04-07 14:57:10
先进器件的利器。宽VDD范围(4.5-30V)、高抗噪性（-5V耐压, 1V迟滞）、独立使能控制及车规级AEC-Q100认证，确保了其在汽车、工业和能源等严苛应用中的卓越表现。SOT23-6封装进一步
2025-08-09 09:18:36
一、概述： SiLM8260ABCS-DG是一款双通道隔离栅极驱动器，专为高功率应用设计，具备10A/10A的峰值输出电流和高达30V的输出驱动电源电压。该芯片采用先进的隔离技术，提供
2025-11-28 08:14:38
什么是功率密度？功率密度的发展史如何实现高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
转换器拓扑结构，无论是隔离还是非隔离。 ADP1621通过测量n沟道MOSFET导通电阻上的压降，无需使用电流检测功率电阻
2019-05-30 09:08:12
，它们的优值系数（FOM）大为改善，可以实现高频开关。CoolGaN™ IPS技术在紧凑型封装中集成了栅极驱动器并可支持高工作频率，特别适用于有源钳位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC转换器，因而有助于进一步提高充电器和适配器设计的功率密度。
2022-04-12 11:07:51
，它们的优值系数（FOM）大为改善，可以实现高频开关。CoolGaN™ IPS技术在紧凑型封装中集成了栅极驱动器并可支持高工作频率，特别适用于有源钳位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC转换器，因而有助于进一步提高充电器和适配器设计的功率密度。
2022-06-14 10:14:18
的FDMF8811是业界首款100 V桥式功率级模块，优化用于全桥和半桥拓扑。FDMF8811以高能效和高可靠性水平提供更高的功率密度。与分立方案相比，FDMF8811可减少一个典型的全桥方案约三分之一的PCB
2018-10-24 08:59:37
如何用PQFN封装技术提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
简介：这款电源非常简单，很适合刚刚学习开关电源的人员参考，电源采用常用的反激拓扑，开关电源一般最重要的设计变压器（后面简介分享下变压器参数设计）。背景： 前段时间因需要所以自制的一款输出为30V隔离
2021-12-30 06:12:37
电路，即可实现 6.5~30V 输入电压、多种输出电压、输出功率高达 15W 的隔离电源。VPS8703 内部集成两个 N 沟道功率 MOSFET 和两个 P 沟道功率 MOSFET，并组成桥式连接方式。芯片
2022-11-11 14:44:13
从“砖头”手机到笨重的电视机，电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间，而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸
2019-08-06 07:20:51
实际应用中的开关频率。这些问题都阻碍了高功率密度、小体积电源适配器的进一步发展。 有源钳位反激（ACF）是一种新型谐振拓扑，克服了上述问题。不像QR，ACF能够吸收利用漏感能量实现软开关，临界模式
2023-03-03 16:24:56
检测环，或是进一步击坏芯片，造成300v直通，而烧掉整条灯管。事实上就是指非隔离电源，在批量出货时，返修率高于隔离LED驱动电源，大都是因为炸坏。而隔离电源炸坏的机率要小不少，非隔离的一般在2%至3
2015-11-10 00:23:46
概述VPS8701B 是一款适用于全桥拓扑结构的 DCDC 隔离型开关电源集成控制器，桥式驱动方式的变压器绕组少，成本低。满足6V~30V 的应用，兼容性强。电流过大时钳位限制功率管电流，既保证了
2023-03-21 15:24:12
开发人员来说，功率密度是一个始终存在的挑战，对各种电压下更高电流的需求（通常远低于系统总线）带来了对更小的降压稳压器的需求，这样的稳压器可通过一个单极里的多个放大器，将电压从高达48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
30V N沟道增强型MOSFET管
30V N沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:41:00
20 30V P 沟道增强型MOSFET管
30V P 沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:42:0929 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技术
日前，Vishay Intertechnology推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。这些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09883 
Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强Pow
2009-11-23 17:10:23930 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:521102 带集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET(ON)
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件
2010-04-10 10:32:52729 安森美推出带集成肖特基二极管的30V 扩充N沟道功率MOSFET
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30V产品。
NTMFS4897
2010-04-12 10:23:161310 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆，从而进一步
2011-09-13 08:33:16897 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率
2011-10-21 08:53:051058 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923 飞兆半导体公司和英飞凌科技宣布进一步扩展封装兼容合作伙伴关系，扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。
2012-02-09 09:18:221087 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:131025 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:191026 Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541791 e络盟日前宣布新增来自全球半导体和系统解决方案领先提供商英飞凌的CoolMOS™与OptiMOS™系列产品，进一步扩充其功率MOSFET产品组合。
2015-03-02 17:37:381775 宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 4 月25 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新的30V N沟道
2017-04-25 15:58:551806
意法半导体新款的MDmesh™ MOSFET内置快速恢复二极管
提升高能效转换器的功率密度
2017-09-21 16:31:256599 东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET，新器件进一步提高电源效率。在这个连小学生做作业都讲求高效率的年代，还有什么是高效率不能解决的呢？
2018-09-13 15:54:155921 我最近收集了一份开关电源隔离式与非隔离式（即反激式）的资料，许多应用中都需要输入/输出隔离。隔离可切断无用信号的传播路径，优势如下：保护人员、设备免遭感应在隔离另一端的危险瞬态电压损害 ；去除隔离
2020-10-27 08:00:0082 基于系统效率和功率密度发展趋势示意图，我们可以清晰的看出，在最近的十年间系统的效率和功率密度有了巨大的提升，尤其以服务器和通信电源为显著。这一巨大的提升是如何实现的呢？它主要是通过尝试新的拓扑结构
2021-03-12 09:46:343467 
Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET® Gen IV功率MOSFET技术。
2021-04-21 17:50:211914 
新型 30 V n 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。 Vishay Siliconix SiSS52DN 采用热增强型 3.3 mm x
2021-05-28 17:25:573908 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款n沟道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。
2022-02-07 15:37:081783 
随着科技的不断革新发展，MOSFET产品也经过技术的迭代升级有了更加优越的表现。但如何提升器件性能的同时进一步降低器件的自身损耗依旧是亟待解决的问题。为此东芝半导体拓展了MOSFET产品线，推出
2022-08-26 11:01:071847 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PXN5R4-30QL
2023-02-16 20:49:260 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PXN4R7-30QL
2023-02-16 20:49:460 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PXN018-30QL
2023-02-17 18:48:160 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PXN9R0-30QL
2023-02-17 18:48:350 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PXN8R3-30QL
2023-02-17 19:14:141 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PXN6R7-30QL
2023-02-17 19:14:460 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PXN017-30QL
2023-02-17 19:15:190 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PXN010-30QL
2023-02-17 19:15:340 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV25ENEA
2023-02-17 19:16:270 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-山毛榉4D60-30
2023-02-17 19:56:410 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D72-30E
2023-02-20 19:57:140 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D38-30E
2023-02-20 20:01:040 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D22-30E
2023-02-20 20:02:250 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMPB20ZH
2023-02-21 19:17:400 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMN30UN
2023-02-27 19:13:540 30V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV50ENEA
2023-03-03 19:33:590 。 ASDM30N40AE 采用先进的沟道技术，以出色的RDS(ON)性能脱颖而出。其低RDS(ON)值为您的应用带来更低的功耗和更高的能效，实现电能转化的最佳效率。不论是在负载开关、PWM应用还是功率管理方面，ASDM30N40AE都能稳定、高效地满足您的需求。 此外，ASDM30N40AE 还具有低门电荷特
2023-06-05 11:45:281652 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。
2023-06-16 09:03:30802 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装，具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻（RthJC最大值为3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:121705 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N沟道共漏MOSFET，适用于带USB的设备和电池组保护。产品发货即日起开始。
2023-11-08 16:22:221294 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。
2023-11-09 17:39:101320 电子发烧友网站提供《30V N沟道沟槽MOSFET PMF250XNE数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-05 09:48:470 电子发烧友网站提供《30V，双N沟道沟槽MOSFET PMGD175XNE数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-05 09:47:310 Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:081686 
近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:021362 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:141480 电子发烧友网站提供《30V N 沟道NexFET™ 功率MOSFET CSD17556Q5B数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 14:11:230 电子发烧友网站提供《30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET CSD17483F4数据表.pdf》资料免费下载
2024-04-02 11:25:410 电子发烧友网站提供《PSMN2RO-30YLE n沟道30V 2 mQ逻辑电平MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-01-23 16:33:410 电子发烧友网站提供《PSMN1RO-30YLC N沟道30V 1.15 mΩ逻辑电平MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-13 14:16:450 电子发烧友网站提供《PMH550UNEA 30V N沟道沟槽MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-20 16:29:230 这款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换损耗 应用。 *附件：CSD17581Q3A 30V N 沟道
2025-04-16 11:25:34775 
圣邦微电子推出 SGMNQ36430，一款 30V 单 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件可应用于 CPU 电源传输、DC/DC 转换器、功率负载开关以及笔记本电池管理等领域。
2025-05-09 16:57:26971 
圣邦微电子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封装、单 N 沟道功率 MOSFET。该器件可应用于 PWM 应用、电源负载开关、电池管理和无线充电器。
2025-07-10 17:21:522291 
新洁能研发团队沟槽型工艺平台推出耐压30V 1mΩ级别增强型N沟道MOSFET 系列产品。
2025-08-22 18:02:351530 
仁懋电子（MOT）推出的MOT100N03MC是一款面向30V低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通损耗、100A大电流承载能力及优异的开关特性，适用于各类开关应用（如
2025-11-06 15:44:22308 
仁懋电子（MOT）推出的MOT50N03D是一款面向30V低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通损耗、50A大电流承载能力及快速开关特性，适用于各类开关应用（如DC-DC
2025-11-11 09:18:36255 选型手册：MOT3520JN沟道功率MOSFET晶体管仁懋电子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通电阻、高稳定性及无铅封装特性，适用于
2025-11-18 16:08:14326 仁懋电子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向30V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低导通电阻、低栅极电荷及快速开关特性，适用于各类开关应用场景。一、产品基本信息器件类型：N
2025-11-20 16:22:54305
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