意法半导体(STMicroelectronics，简称ST) 推出首款完全符合卫星和运载火箭电子子系统质量要求的功率系列产品。全新抗辐射功率MOSFET系列产品的额定输出电流为6A至80A，由5款N沟道和P沟道产
2011-06-15 08:49:08
1736 ST扩大采用第六代STripFET™技术的高效功率晶体管的产品系列，为设计人员在提高各种应用的节能省电性能带来更多选择。
2011-06-20 09:02:431160 飞兆半导体公司新推出了40V 的N沟道PowerTrench MOSFET FDB9403，该产品可帮助设计人员在汽车动力转向系统的设计工程师需要能够提供更高效率和更佳功率控制的解决方案。
2012-12-04 14:56:041314 MOSFET是一种金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的缩写，是一种用于电子电路中的半导体器件
2023-02-25 16:24:384206 、胸腔晶体管、双极交接晶体管、金属-氧化半导体外效晶体管和隔热双极晶体管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在电子应用中,二极管发挥简单的开关功能,只允许电流向一个方向流动,电极二极管拥有更大的动力、电压和当前处理能力,在电
2023-08-15 17:17:321650 
2023 年 5 月 24 日，中国 —— 意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM
2023-05-26 14:11:201210 
家电应用场景，包括电磁炉、微波炉、电饭煲等电器。 该器件具备175℃最高结温特性和优异的热阻系数，可确保30A额定电流下的高效散热表现，在严苛工作环境中保持长期稳定运行。 作为STPOWER产品组合，这是意法半导体第二代IH系列首款1600V电压等级IGBT，采用先进的沟槽栅场截止
2025-07-17 10:43:176620 意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范，具体而言，低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。
2019-08-09 07:28:08
，可控制电子电路中电子元件的器件。MOSFET是一种以极其低的特性电阻通过控制门电压，来调节传输通道在正反两端的电压，从而传输电子电路的基本晶体管，是由于采用了金属-氧化物-半导体工艺而开发出来的晶体管
2023-03-08 14:13:33
鼓励其他大学的教授改编补充这套课程。 这套由8个自定进度的教程组成的入门课程围绕意法半导体的SensorTile设计。SensorTile是一个独一无二的具有物联网功能的实时嵌入式系统，集成在一个只有
2018-02-09 14:08:48
提升功能集成度和设计灵活性，新增STM32F413/423两个产品线意法半导体(ST)先进图像防抖陀螺仪让下一代智能手机拍照不抖动意法半导体传感器通过阿里IoT验证，助力设备厂商更快推出新产品
2018-05-22 11:20:41
有源米勒钳位选配，提升高速开关抗干扰能力中国，2018年8月3日——意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压，准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳
2018-08-06 14:37:25
(STEVAL-LDO001V1)搭载1个STLQ020和3个其它型号低压差（LDO）稳压器，售价9.68美元。相关新闻意法半导体(ST)发布世界领先的防水压力传感器，首张订单来自三星高性能穿戴式产品奇手(Qeexo
2018-04-10 15:13:05
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM） 推出汽车级六轴惯性传感器ASM330LHH ，为先进的车载导航
2018-07-17 16:46:16
中国，2018年9月12日——意法半导体新推出的两款STM8* Nucleo开发板，让8位开发社区也能体验到STM32 * Nucleo系列开发板久经验证的易用性和可扩展功能。STM8 Nucleo
2018-09-12 16:06:37
中国，2018年10月10日——意法半导体推出了STLINK-V3下一代STM8 和STM32微控制器代码烧写及调试探针，进一步改进代码烧写及调试灵活性，提高效率。STLINK-V3支持大容量存储
2018-10-11 13:53:03
`中国，2018年6月22日——意法半导体的VIPer11离线转换器内置800V耐雪崩MOSFET，可帮助设备制造商设计更耐用的辅助电源和电源适配器，其26Vdc漏极启动电压允许超宽的线路输入电压
2018-06-25 11:01:49
13日 – 针对重要的医疗和工业应用领域，意法半导体采用其经过验证的支持单片集成模拟电路（双极晶体管）、数字电路（CMOS）和电源（DMOS）电路的BCD8s-SOI制造工艺，推出一款新的尺寸紧凑、性能
2018-08-13 14:18:07
解决方案·低压伺服驱动解决方案·基于SiC的光伏逆变器DC-AC解决方案·8通道IO-Link主站解决方案
▌峰会议程
▌参会福利
1、即日起-9月27日，深圳用户报名预约【意法半导体工业峰会2023
2023-09-11 15:43:36
新闻意法半导体推出直观的固件开发工具，加快物联网传感器设计进程意法半导体推出新图形用户界面配置器，让STM8微控制器设计变得更快捷意法半导体（ST）推出新款STM32微控制器，让日用品具有像智能手机一样的图形用户界面`
2018-07-13 15:52:39
和RAM）。例如，对于内存来说太大的单个层可以分为两个步骤。之前的MLPerf Tiny结果显示，与标准CMSIS-NN分数相比，意法半导体的推理引擎（Arm的CMSIS-NN的优化版本）具有性能优势。STM32CubeAI开发云还将支持意法半导体即将推出的微控制器，包括内部开发的NPU，即STM32N6。
2023-02-14 11:55:49
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;)发布一款创新的显示屏背光LED控制器芯片。新产品可简化手机与其它便携电子产品的电路设计，为
2011-11-24 14:57:16
不同的是，用于放大或导通/关断的偏置电流会流经晶体管（基极）。 另外，MOSFET中有称为“导通电阻”的参数，尤其是处理大功率时是重要的特性。但双极晶体管中没有“导通电阻”这个参数。世界上最早的晶体管
2020-06-09 07:34:33
，MOSFET中有称为“导通电阻”的参数，尤其是处理大功率时是重要的特性。但双极晶体管中没有“导通电阻”这个参数。世界上最早的晶体管是双极晶体管，所以可能有人说表达顺序反了，不过近年来，特别是电源电路中
2018-11-28 14:29:28
）用业收集电子。晶体管的发射极电流IE与基极电流IB、集电极电流IC之间的关系如下：IE=IB+IC3．晶体管的工作条件晶体管属于电流控制型半导体器件，其放大特性主要是指电流放大能力。所谓放大，是指当
2013-08-17 14:24:32
半导体元器件晶体管领域。功率半导体元器件的特点除了IGBT外，功率半导体元器件（晶体管领域）的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等，它们主要被用作半导体开关。根据其分别可支持的开关速度
2019-05-06 05:00:17
半导体元器件晶体管领域。功率半导体元器件的特点除了IGBT外，功率半导体元器件（晶体管领域）的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等，它们主要被用作半导体开关。根据其分别可支持的开关速度
2019-03-27 06:20:04
SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展，性能有望进一步提升。从下一篇开始，将单独介绍与SiC-MOSFET的比较。关键要点:・功率晶体管的特征因材料和结构而异。・在特性方面各有优缺点，但SiC-MOSFET在整体上具有优异的特性。＜ 相关产品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
和Velankani的Prysm®智能电表特别展览，请于3月6-8日印度2018年智能电网周参观印度新德里Manekshaw Centre会展中心的L22 & L23号意法半导体展台。编者注
2018-03-08 10:17:35
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能
2010-08-13 11:36:51
产品和解决方案，共同构建生态系统，帮助他们更好地应对各种挑战和新机遇，满足世界对可持续发展的更高需求。意法半导体的技术让人们的出行更智能，电力和能源管理更高效，物联网和互联技术应用更广泛。意法半导体承诺将于2027年实现碳中和。
2022-12-12 10:02:34
本帖最后由 o_dream 于 2020-9-4 08:45 编辑
今天给大家带来的是意法半导体STM32系列以及STM8系列MCU的一些介绍和相关的资料手册，希望大家在这里能找到自己想要
2020-09-03 22:34:17
沟道和 N 沟道类型。
场效应管
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是所有类型晶体管中最常用的。顾名思义，它包括金属栅极的端子。该晶体管包括四个端子，如源极、漏极、栅极和衬底或主体
2023-08-02 12:26:53
用于高频电路。砷化镓组件在高频、高功率、高效率、低噪声指数的电气特性均远超过硅组件，空乏型砷化镓场效晶体管(MESFET)或高电子迁移率晶体管(HEMT/PHEMT)，在3 V 电压操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
晶体管是通常用于放大器或电控开关的半导体器件。晶体管是调节计算机、移动电话和所有其他现代电子电路运行的基本构件。由于其高响应和高精度，晶体管可用于各种数字和模拟功能，包括放大器、开关、稳压器、信号
2023-02-03 09:36:05
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC，常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
`吉时利——半导体分立器件I-V特性测试方案半导体分立器件包含大量的双端口或三端口器件，如二极管，晶体管，场效应管等，是组成集成电路的基础。 直流I-V测试则是表征微电子器件、工艺及材料特性的基石
2019-10-08 15:41:37
的MOSFET。下图是在空调的PFC电路中评估Hybrid MOS、SJ MOSFET、IGBT效率的例子。效率曲线表示前面介绍的各晶体管的特征。Hybrid MOS在低负载时实现了远超IGBT的效率，而且
2018-11-28 14:25:36
法半导体的SLLIMM-nano产品家族新增两种不同的功率开关技术： · IGBT: IGBT: 3/5/8 A、600 V内置超高速二极管的PowerMESH? 和沟槽场截止IGBT
2018-11-20 10:52:44
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 编辑
场效应晶体管是一种改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件，属于电压控制性半导体器件，具有输入电阻高，噪声小，功耗低，没有
2012-08-03 21:44:34
抗饱和晶体管的作用 罗姆应用笔记 前些天我出差到杭州临安节能灯市场，在销售员的带领下走了几家节能灯制造厂，我发现市场上对深爱半导体公司生产的节能灯用晶体管比较欢迎。虽然客户跟我说了原因，但我认为
2009-12-17 10:27:07
绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。一．绝缘栅双极晶体管IGBT的工作原理： 半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料，供感兴趣
2009-05-12 20:44:23
，hFE20-200电压 vGS 3-10VVoltage, vGE 4-8V输入阻抗低高高输出阻抗低中等低切换速度慢快速中等成本低中等高我们已经看到，绝缘栅极双极性晶体管是一种半导体开关器件，具有双极性
2022-04-29 10:55:25
40V的MOSFET的通态电阻降低了40%，而阻断电压为60V的MOSFET的通态电阻降幅甚至达到48%以上。 迄今为止，英飞凌是全球首家推出采用SuperSO8封装、最大通态电阻不足1毫欧的40V
2018-12-06 09:46:29
意法半导体官方的库怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
STM8S003F3U6TR是意法半导体推出的一款8位微控制器(MCU)产品,属于STM8S系列的主流超值系列。它具有以下特点:8KB Flash程序存储器1KB RAM数据存储器20引
2024-04-14 23:03:01
半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量
一、实验目的
1、了解半导体特性图示仪的基本原理
2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的
2010-10-29 17:09:12
35 意法半导体ST推出250A功率MOSFET，封装和制程同步升级，提高电机驱动能效
中国，2008年7月16日 —— 以降低电动汽车等电动设备的运营成本和环境影
2008-07-29 14:13:02918 半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量一、实验目的1、了解半导体特性图示仪的基本原理2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和参
2009-03-09 09:12:0915283 
意法半导体推出具备高可靠性闪存的低功耗处理器芯片
意法半导体(ST)发布一款低功耗处理器芯片ST32-M，整合高可靠性的闪存和先进的ARM Cortex-M3处理器，并可与ST的ST32 S
2009-12-22 08:39:46726 Power SO-8LFPAK封装60V和100V晶体管
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)推出全新60 V和100 V晶体管，扩充Trench 6 MOSFET产品线。新产品采用Power SO-8LFPAK封装，支持60 V和100 V两种工作
2010-02-09 09:27:392762 意法半导体：娱乐功能新创意、绿色方案更节能
意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）日前以“娱乐功能新创意、绿色方
2010-03-25 13:41:31504 意法半导体发布超低功耗整流二极管
功率半导体供应商意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）推出新的高能效功率整流二极管
2010-04-06 13:29:521162 意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)推出新系列射频(RF)功率晶体管。
2011-10-12 11:35:112156 意法半导体推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管，MDmesh V系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管，拥有最低的单位面积通态电阻
2011-12-27 17:29:102989 
汽车动力操控（Power Steering）系统设计工程师需要可提供更高效率和更好功率控制的解决方案。快捷半导体公司（Fairchild Semiconductor） 的40V N 通道 PowerTrench MOSFET 产品可协助设计者应对这
2012-12-05 09:12:221338 意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）扩大采用第六代STripFET技术的高效功率晶体管的产品系列，为设计人员在提高各种应用的节能省电性能带来更多选择。 最新的STripFET
2017-12-01 11:47:03433 意法半导体VIPer26K发布高压功率转换器，集成一个1050V耐雪崩N沟道功率MOSFET，使离线电源兼备宽压输入与设计简单的优点。
2020-03-18 15:24:513098 高温半导体解决方案的领导者CISSOID推出的高温40V N沟道功率MOSFET晶体管，保证在-55°C至+ 225°C的温度范围内工作。这些名为CHT-NMOS4005，CHT-NMOS4010和CHT-NMOS4020的新器件的额定最大漏极电流分别为5A，10A和20A。
2020-11-12 11:29:541439 基于MasterGaN®平台的创新优势，意法半导体推出了MasterGaN2，作为新系列双非对称氮化镓（GaN）晶体管的首款产品，是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。 2021
2021-01-20 11:20:443769 意法半导体的MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管，以及优化的栅极驱动器和电路保护功能，可以简化高达200W的高能效电源变换
2021-04-16 14:41:043668 ，还是适用于电源适配器和平板显示器的电源。 意法半导体800V STPOWER MDmesh K6系列，为这种超级结晶体管技术树立了高性能和易用性兼备的标杆。MDmesh K6 的RDS（on） x
2021-10-28 10:41:252244 意法半导体最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了产品性能和可靠性，保持惯有领先地位，更加适合电动汽车和高能效工业应用
2022-01-17 14:13:294628 意法半导体的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 （SMPS）。
2022-05-19 14:41:472191 意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极管特性，降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。
2022-06-24 16:40:431804 **氮化镓**晶体管和**碳化硅** MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。
他们也有各自
2023-02-03 14:34:204023 
**氮化镓**晶体管和**碳化硅** MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。
他们也有各自
2023-02-03 14:35:402638 
40 V、200 mA NPN 开关晶体管-PMBT3904
2023-02-17 19:13:050 40 V、200 mA NPN 开关晶体管-PMBT3904MB
2023-02-21 18:31:530 40 V、600 mA NPN 开关晶体管-PMBT2222AQA
2023-02-21 18:40:240 40 V、600 mA NPN 开关晶体管-PMBT2222AMB
2023-02-21 18:40:450 40 V、200 mA NPN 开关晶体管-PMBT3904QA
2023-02-21 18:53:340 具有 N 沟道沟槽 MOSFET 的 40 V、2 A PNP 低 VCEsat (BISS) 晶体管-PBSM5240PF
2023-02-23 19:31:531 40 V、600 mA PNP 开关晶体管-PZT4403
2023-02-27 18:15:590 40 V、600 mA、PNP 开关晶体管-PMBT4403
2023-02-27 18:16:440 40V、600mA、PNP 开关晶体管-PMBT2907
2023-02-27 18:17:040 40 V、600 mA PNP 开关晶体管-PMST4403
2023-03-01 18:40:170 40 V、600 mA NPN/PNP 通用晶体管-NMB2227A
2023-03-01 18:47:590 具有 N 沟道沟槽 MOSFET 的 40 V、2 A PNP 低 VCEsat (BISS) 晶体管-PBSM5240PFH
2023-03-02 23:00:330 40V、600mA双PNP开关晶体管-PMBT4403YS
2023-03-02 23:12:530 显然特斯拉用的是意法半导体2018年的第二代SiC MOSFET产品，第四代产品目前还没有推出。沟槽型是发展方向，但意法半导体要到2025年才开始推出。
2023-03-14 11:22:393149 中国—— 意法半导体的STL120N10F8N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。
2023-05-25 10:08:231110 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。
2023-08-24 11:19:101596 
ST-ONEMP与意法半导体的MasterGaN功率技术配套使用。 MasterGaN技术包含意法半导体的集成栅极驱动器的氮化镓(GaN)宽带隙功率晶体管。意法半导体GaN技术的开关频率比传统硅 MOSFET更高，使适配器能够提供更高的功率密度和符合最新生态设计规范的高能效。
2023-03-16 10:29:162011 
安建半导体40V SGT MOSFET产品已经通过AEC-Q101车规认证的全部测试。
2023-09-06 17:48:451376 2023 年 9 月 6 日，中国 ——意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低了物料清单成本，能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。
2023-09-07 10:12:132054 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-12 10:38:001184 2023 年 9 月 11 日，中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-12 10:39:111438 2023 年 9 月 11 日，中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01691 【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:412183 
该陪审员同意了普度的意见，即电动汽车用充电器及其他产品使用的碳化物金属氧化物半导体电场效果晶体管（mosfet）侵害了高电压电源应用（high power power application）使用的晶体管的专利。
2023-12-06 13:55:231405 意法半导体近日推出了两款全新的线性稳压器——LDH40和LDQ40，这两款产品不仅具备出色的能效，还在设计上展现了极高的灵活性。
2024-05-11 10:31:42970 意法半导体近期推出了标准阈值电压(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶体管系列。该系列晶体管融合了强化版沟槽栅技术的优势，并具备出色的抗噪能力，专为非逻辑电平控制的应用场
2024-12-11 14:27:00971 参考设计，旨在加速紧凑、高效工业电源的实现。 MasterGaN-SiP是意法半导体的创新之作，它将GaN功率晶体管与经过优化的栅极驱动器完美整合于一个封装内。这一设计不仅显著提升了电源的性能和可靠性，还通过高度集成的方式，极大地加快了设计速度，并有效节省了PCB电路板空间。 与传统
2024-12-25 14:19:481143 意法半导体推出了标准阈值电压(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶体管，新系列产品兼备强化版沟槽栅技术的优势和出色的抗噪能力，适用于非逻辑电平控制的应用场景。
2025-01-16 13:28:271022 STripFET F8与上一代产品相比，品质因数 (FoM) 提高了40%，有助于工程师设计出更紧凑、功率密度更高的功率级，适用于计算机和外设应用、数据中心、电信、太阳能、电源、电池充电器、家用和专业电器、游戏、无人机等领域。
2025-10-10 09:34:20468 STMicroelectronics STL120N10F8100V N沟道增强模式STripFET MOSFET采用ST的STripFET F8技术，具有增强型沟槽栅极结构。它确保极低的导通电
2025-10-25 09:55:21933 
意法半导体STL325N4LF8AG N沟道功率MOSFET采用STripFET F8技术，具有增强型沟槽栅极结构。 STL325N4LF8AG可确保非常低的导通电阻。该器件还降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关。
2025-10-29 15:34:56476 
意法半导体 STL320N4LF8 N沟道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8沟槽式MOSFET技术制造而成。 该器件完全符合工业级标准。STL320N4LF8可降低
2025-10-29 15:48:51509 
电子发烧友App
新型 40V N 沟道增强型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充沟槽技术实现卓越的品质因数。在栅源电压 (VGS)为 10V 时，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大导通电阻 (Rds(on))分别为 0.8毫欧和和0.75毫欧。新MOSFET的裸片单位面积(Rds(on))电阻非常低，因此可以采用节省空间且热效率高的 PowerFLAT 5x6 封装。
工商网监
评论