ST扩大采用第六代STripFET™技术的高效功率晶体管的产品系列，为设计人员在提高各种应用的节能省电性能带来更多选择。
2011-06-20 09:02:43
900 飞兆半导体公司新推出了40V 的N沟道PowerTrench MOSFET FDB9403，该产品可帮助设计人员在汽车动力转向系统的设计工程师需要能够提供更高效率和更佳功率控制的解决方案。
2012-12-04 14:56:04970 ) 比上一代同类产品提高40%。 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先进技术，引入氧化物填充沟槽工艺，集极低的导通损耗和低栅极电荷于一身，实现高效的开关性能。因此
2023-05-26 14:11:20701 
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范，具体而言，低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。
2019-08-09 07:28:08
，可控制电子电路中电子元件的器件。MOSFET是一种以极其低的特性电阻通过控制门电压，来调节传输通道在正反两端的电压，从而传输电子电路的基本晶体管，是由于采用了金属-氧化物-半导体工艺而开发出来的晶体管
2023-03-08 14:13:33
1.MOSFET的速度比晶体管或IGBT快。2.MOSFET的过电流适中；晶体管是一个流控流型的，要使集电极上的电流增大，基极上的电流就要增大，但是基极上的电流是无用的。IGBT一般使用在大电流的场景。...
2021-10-29 08:28:40
半导体二极管的伏安特性是什么？
2021-06-15 06:17:58
半导体基础知识与晶体管工艺原理
2012-08-20 08:37:00
上次我们学习了无源元件，今天我们接着来复习一下半导体以及使用了半导体的有源元件-二极管、晶体管、FET。
2021-03-03 08:36:01
`意法半导体 STM32Nuleo 核心板感谢 意法半导体 提供大赛用开发板数据下载STM32 Nucleo 核心板是ST为用户全新设计的开放式开发平台，为用户提供了经济、灵活的途径，用于快速验证
2015-05-04 16:04:16
请问图片是意法的什么元件，上面的丝印具体信息是什么，有能替代的吗，查了资料没找到这个型号，谢谢
2022-05-16 23:20:58
提供内设端口控制器的双芯片方案，已获得完全认证为帮助工程师在新开发产品或在原有产品设计中引入最新的USBPower Delivery充电功能和多用途的USB Type-C™连接器，意法半导体新推出
2018-07-13 13:20:19
• 以Arm®TrustZone®硬件为基础，为资源有限的物联网设备构筑更强的安全防线• 意法半导体独有超低功耗技术，打造同级领先的面向节能应用的MCU• 支持安全启动、硬件完全隔离、硬件加密加速
2018-10-17 10:37:12
鼓励其他大学的教授改编补充这套课程。 这套由8个自定进度的教程组成的入门课程围绕意法半导体的SensorTile设计。SensorTile是一个独一无二的具有物联网功能的实时嵌入式系统，集成在一个只有
2018-02-09 14:08:48
提升功能集成度和设计灵活性，新增STM32F413/423两个产品线意法半导体(ST)先进图像防抖陀螺仪让下一代智能手机拍照不抖动意法半导体传感器通过阿里IoT验证，助力设备厂商更快推出新产品
2018-05-22 11:20:41
有源米勒钳位选配，提升高速开关抗干扰能力中国，2018年8月3日——意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压，准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳
2018-08-06 14:37:25
(STEVAL-LDO001V1)搭载1个STLQ020和3个其它型号低压差（LDO）稳压器，售价9.68美元。相关新闻意法半导体(ST)发布世界领先的防水压力传感器，首张订单来自三星高性能穿戴式产品奇手(Qeexo
2018-04-10 15:13:05
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM） 推出汽车级六轴惯性传感器ASM330LHH ，为先进的车载导航
2018-07-17 16:46:16
： BSI-DSZ-CC-1037-2018 中国，2018年6月1日—— 横跨多重电子应用领域的全球领先半导体供货商意法半导体（ STMicroelectronics ，简称 ST ；纽约证券交易所代码： STM ）推出
2018-06-04 11:18:59
中国，2018年9月12日——意法半导体新推出的两款STM8* Nucleo开发板，让8位开发社区也能体验到STM32 * Nucleo系列开发板久经验证的易用性和可扩展功能。STM8 Nucleo
2018-09-12 16:06:37
中国，2018年10月10日——意法半导体推出了STLINK-V3下一代STM8 和STM32微控制器代码烧写及调试探针，进一步改进代码烧写及调试灵活性，提高效率。STLINK-V3支持大容量存储
2018-10-11 13:53:03
板的NUCLEO-F401RE和NUCLEO-L476RG开发板，以及意法半导体的SensorTile IoT模块。SensorTile集成了STM32L476JG超低功耗微控制器、运动MEMS传感器
2018-07-13 13:10:00
`中国，2018年6月22日——意法半导体的VIPer11离线转换器内置800V耐雪崩MOSFET，可帮助设备制造商设计更耐用的辅助电源和电源适配器，其26Vdc漏极启动电压允许超宽的线路输入电压
2018-06-25 11:01:49
意法半导体的STM32 F0系列 MCU集实时性能、低功耗运算和STM32平台的先进架构及外设于一身。STM32F0x0超值系列微控制器在传统8位和16位市场极具竞争力，并可使用户免于不同架构平台
2020-09-03 14:59:55
功能模块因让佐臻的的模块能够提供创新无线通信技术和强调节能的物联网应用。 佐臻推出的Sigfox模块内设意法半导体超低功耗Arm® Cortex®-M0 MCU 平台，可独立支持系统运行。低功耗蓝牙（BLE
2018-05-09 15:45:36
中国，2018年2月26日 – 横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）今天宣布与远创达科技公司签署一份
2018-02-28 11:44:56
13日 – 针对重要的医疗和工业应用领域，意法半导体采用其经过验证的支持单片集成模拟电路（双极晶体管）、数字电路（CMOS）和电源（DMOS）电路的BCD8s-SOI制造工艺，推出一款新的尺寸紧凑、性能
2018-08-13 14:18:07
• 意法半导体嵌入式软件包集成Sigfox网络软件，适用于各种产品，按照物联网应用开发人员的需求专门设计 • 使用STM32微控制器、超低功耗射频收发器、安全单元、传感器和功率管理器件，加快
2018-03-12 17:17:45
解决方案·低压伺服驱动解决方案·基于SiC的光伏逆变器DC-AC解决方案·8通道IO-Link主站解决方案
▌峰会议程
▌参会福利
1、即日起-9月27日，深圳用户报名预约【意法半导体工业峰会2023
2023-09-11 15:43:36
新闻意法半导体推出直观的固件开发工具，加快物联网传感器设计进程意法半导体推出新图形用户界面配置器，让STM8微控制器设计变得更快捷意法半导体（ST）推出新款STM32微控制器，让日用品具有像智能手机一样的图形用户界面`
2018-07-13 15:52:39
和RAM）。例如，对于内存来说太大的单个层可以分为两个步骤。之前的MLPerf Tiny结果显示，与标准CMSIS-NN分数相比，意法半导体的推理引擎（Arm的CMSIS-NN的优化版本）具有性能优势。STM32CubeAI开发云还将支持意法半导体即将推出的微控制器，包括内部开发的NPU，即STM32N6。
2023-02-14 11:55:49
及财务业绩表现最好的年度之一。 围绕智能驾驶和物联网两大应用领域，通过推出针对广大终端市场的独特的产品组合，我们实现了让意法半导体进入可持续且盈利的成长轨道这一目标。 同时，我们也完善了可持续发展
2018-05-29 10:32:58
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;)发布一款创新的显示屏背光LED控制器芯片。新产品可简化手机与其它便携电子产品的电路设计，为
2011-11-24 14:57:16
晶体管分类 按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构
2010-08-12 13:59:33
晶体管图示仪器是用来测量晶体管输入、输出特性曲线的仪器。在实验、教学和工程中通过使用图示仪，可以获得晶体管的实际特性，能更好的发挥晶体管的作用。
2021-05-07 07:43:17
？
再者在场效应管这种单极性导电半导体中，为什么只是有一种离子导电，而非两种离子，不像晶体管那种两种离子导电，请问这是为什么？同样对于场效应管也有上面的问题？
2024-02-21 21:39:24
➤ 01晶体管测量模块在 淘宝购买到的晶体管测试显示模块 （¥：67.0）刚刚到货。▲ 刚刚到货的集体管测试线是模块1.基本特性采用2015 V1.12版软件。采用12864点阵液晶屏，显示内容更加
2021-07-13 08:30:42
不同的是，用于放大或导通/关断的偏置电流会流经晶体管（基极）。 另外，MOSFET中有称为“导通电阻”的参数，尤其是处理大功率时是重要的特性。但双极晶体管中没有“导通电阻”这个参数。世界上最早的晶体管
2020-06-09 07:34:33
，MOSFET中有称为“导通电阻”的参数，尤其是处理大功率时是重要的特性。但双极晶体管中没有“导通电阻”这个参数。世界上最早的晶体管是双极晶体管，所以可能有人说表达顺序反了，不过近年来，特别是电源电路中
2018-11-28 14:29:28
）用业收集电子。晶体管的发射极电流IE与基极电流IB、集电极电流IC之间的关系如下：IE=IB+IC3．晶体管的工作条件晶体管属于电流控制型半导体器件，其放大特性主要是指电流放大能力。所谓放大，是指当
2013-08-17 14:24:32
1. 晶体管的结构及类型 晶体管有双极型和单极型两种，通常把双极型晶体管简称为晶体管，而单极型晶体管简称为场效应管。 晶体管是半导体器件，它由掺杂类型和浓度不同的三个区（发射区、基区和集电区
2021-05-13 06:43:22
集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件.晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。 晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明
2010-08-12 13:57:39
创新设备，例如，智能托盘。与区域无关特性还让消费电子产品或商用物联网设备等智能物联网产品厂商统一出口多个市场的产品标准，从而简化制造过程和物流管理。意法半导体模拟器件、MEMS和传感器部总裁
2018-10-23 16:55:31
半导体元器件晶体管领域。功率半导体元器件的特点除了IGBT外，功率半导体元器件（晶体管领域）的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等，它们主要被用作半导体开关。根据其分别可支持的开关速度
2019-05-06 05:00:17
半导体元器件晶体管领域。功率半导体元器件的特点除了IGBT外，功率半导体元器件（晶体管领域）的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等，它们主要被用作半导体开关。根据其分别可支持的开关速度
2019-03-27 06:20:04
无法打开所有高端晶体管。 我使用的晶体管是IRFB4310ZPBF（hexfet功率mosfet，Vdss-100V，Ids -120 A，Rds-5mOhm，Qg-170nC） 与Eval 6480
2018-11-19 10:15:18
电子、汽车和无线基站项目意法半导体获准使用MACOM的技术制造并提供硅上氮化镓射频率产品预计硅上氮化镓具有突破性的成本结构和功率密度将会实现4G/LTE和大规模MIMO 5G天线中国，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
两个N型半导体和一个P型半导体组成。通常，NPN晶体管将一块P型硅（基极）夹在两块N型（集电极和发射极）之间。排列如图1所示。NPN晶体管如何工作？以下是说明NPN晶体管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
一、引言PNP 晶体管是双极结型晶体管（BJT）。PNP晶体管具有与NPN晶体管完全不同的结构。在PNP晶体管结构中，两个PN结二极管相对于NPN晶体管反转，使得两个P型掺杂半导体材料被一层薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
SC4810B是中广芯源自主开发高压40V工艺的的600mA降压型同步整流芯片，是国内首家采用SOT23-6小型封装大电流同步降压芯片，。内部集成极低RDS内阻200豪欧金属氧化物半导体场效应晶体管
2015-09-18 12:02:41
SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展，性能有望进一步提升。从下一篇开始，将单独介绍与SiC-MOSFET的比较。关键要点:・功率晶体管的特征因材料和结构而异。・在特性方面各有优缺点，但SiC-MOSFET在整体上具有优异的特性。＜ 相关产品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）与世界领先的独立定位技术专家TomTom (TOM2)公司，宣布在意法半导体STM32* 开放式开发
2018-09-07 11:12:27
和Velankani的Prysm®智能电表特别展览，请于3月6-8日印度2018年智能电网周参观印度新德里Manekshaw Centre会展中心的L22 & L23号意法半导体展台。编者注
2018-03-08 10:17:35
开发者在电脑上直接使用STM32和STM8设计资源意法半导体(ST)完整全桥系统封装内置MOSFET、栅驱动器和保护技术以节省空间，简化设计，精简组装意法半导体推出封装小、性能强的低压差稳压器创新产品`
2018-05-28 10:35:07
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能
2010-08-13 11:36:51
产品和解决方案，共同构建生态系统，帮助他们更好地应对各种挑战和新机遇，满足世界对可持续发展的更高需求。意法半导体的技术让人们的出行更智能，电力和能源管理更高效，物联网和互联技术应用更广泛。意法半导体承诺将于2027年实现碳中和。
2022-12-12 10:02:34
晶闸管）、IGCT（集成门极换流晶闸管）、IEGT（电子注入增强栅晶体管）、IPEM（集成电力电子模块）、PEBB（电力电子积木）等。图表2 功率半导体器件分类方式及代表类型（来源：电力电子技术
2019-02-26 17:04:37
本帖最后由 o_dream 于 2020-9-4 08:45 编辑
今天给大家带来的是意法半导体STM32系列以及STM8系列MCU的一些介绍和相关的资料手册，希望大家在这里能找到自己想要
2020-09-03 22:34:17
所谓晶体管是指用硅和锗材料做成的半导体元器件，研制人员在为这种器件命名时，想到它的电阻变换特性，于是取名为trans-resister(转换电阻)，后来缩写为transistor，中文译名就是
2019-12-16 13:33:31
沟道和 N 沟道类型。
场效应管
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是所有类型晶体管中最常用的。顾名思义，它包括金属栅极的端子。该晶体管包括四个端子，如源极、漏极、栅极和衬底或主体
2023-08-02 12:26:53
用于高频电路。砷化镓组件在高频、高功率、高效率、低噪声指数的电气特性均远超过硅组件，空乏型砷化镓场效晶体管(MESFET)或高电子迁移率晶体管(HEMT/PHEMT)，在3 V 电压操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
晶体管是通常用于放大器或电控开关的半导体器件。晶体管是调节计算机、移动电话和所有其他现代电子电路运行的基本构件。由于其高响应和高精度，晶体管可用于各种数字和模拟功能，包括放大器、开关、稳压器、信号
2023-02-03 09:36:05
物联网（ IoT ）市场的成长需求。 光宝的新模块集成了来自横跨多重电子应用领域、全球领先半导体供货商意法半导体（STMicroelectronics，简称 ST ；纽约证券交易所代码
2018-07-13 11:59:12
的电流。2.晶体管的主要功能是什么？晶体管是一种半导体器件，用于放大或切换电子信号和电力。晶体管是现代电子产品的基本组成部分之一。它由半导体材料组成，通常具有至少三个用于连接到外部电路的端子。3.晶体管
2023-02-03 09:32:55
的规则，则可以互换使用NPN和PNP晶体管。双极晶体管实际上是两个背靠背连接的二极管，基极用作公共连接。PNP 结点如何工作？PNP晶体管是由夹在两个P型半导体之间的N型半导体组成的双极结型晶体管
2023-02-03 09:45:56
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC，常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
常用的半导体元件还有利用一个PN结构成的具有负阻特性的器件一单结晶体管，请问这个单结晶体管是什么？能够实现负阻特性？
2024-01-21 13:25:27
`吉时利——半导体分立器件I-V特性测试方案半导体分立器件包含大量的双端口或三端口器件，如二极管，晶体管，场效应管等，是组成集成电路的基础。 直流I-V测试则是表征微电子器件、工艺及材料特性的基石
2019-10-08 15:41:37
的MOSFET。下图是在空调的PFC电路中评估Hybrid MOS、SJ MOSFET、IGBT效率的例子。效率曲线表示前面介绍的各晶体管的特征。Hybrid MOS在低负载时实现了远超IGBT的效率，而且
2018-11-28 14:25:36
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)，金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。是一种可以广泛使用在模拟
2017-10-18 16:43:32
法半导体的SLLIMM-nano产品家族新增两种不同的功率开关技术： · IGBT: IGBT: 3/5/8 A、600 V内置超高速二极管的PowerMESH? 和沟槽场截止IGBT
2018-11-20 10:52:44
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 编辑
场效应晶体管是一种改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件，属于电压控制性半导体器件，具有输入电阻高，噪声小，功耗低，没有
2012-08-03 21:44:34
晶体管开关对电子产品至关重要。了解晶体管开关，从其工作区域到更高级的特性和配置。 晶体管开关对于低直流开/关开关的电子设备至关重要，其中晶体管在其截止或饱和状态下工作。一些电子设备（如 LED
2023-02-20 16:35:09
，掌握它们的特性和参数。本章从讨论半导体的导电特性和PN 结的单向导电性开始，分别介绍二极管、双极型晶体管、绝缘栅场效应晶体管和半导体光电器件等常用的半导体元器件。喜欢的顶一顶，介绍的非常详细哦。。。。[此贴子已经被作者于2008-5-24 11:05:21编辑过]
2008-05-24 10:29:38
“晶体管”一词是“传输”和“压敏电阻”的组合。该术语描述了这些设备在早期的工作方式。晶体管是电子产品的主要组成部分，就像DNA是人类基因组的组成部分一样。它们被归类为半导体，有两种一般类型：双极
2023-02-17 18:07:22
的IO-Link，能更好地帮助设备互联互通。 传感与数据处理：作为MEMS和传感器技术创新、生产及应用方面的领导者，意法半导体能够提供多种产品和定制化解决方案，以满足客户的不同需求。本次展会意法半导体将
2018-06-28 10:59:23
抗饱和晶体管的作用 罗姆应用笔记 前些天我出差到杭州临安节能灯市场，在销售员的带领下走了几家节能灯制造厂，我发现市场上对深爱半导体公司生产的节能灯用晶体管比较欢迎。虽然客户跟我说了原因，但我认为
2009-12-17 10:27:07
芯片烧录行业领导者-昂科技术近日发布最新的烧录软件更新及新增支持的芯片型号列表，其中ST意法半导体的32位微控制器STM32F091CCT6的烧录已经被昂科的通用烧录平台AP8000所支持
2023-02-28 16:51:49
大家好，首次发帖。本人为意法半导体工程师，因为下面一个molding工程师要辞职，继续补充新鲜血液。要求：一.熟悉molding制程，需特别熟悉molding compound的性能为佳。二.2年
2012-02-15 11:42:53
和频率电子应用中实现更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高电压转换器我们首先要宣布的是来自意法半导体的消息。最近，它推出了 VIPERGAN50，一种基于 GaN 晶体管的功率转换器，为
2022-06-15 11:43:25
意法半导体拥有最先进的平面工艺，并且会随着G4不断改进：• 导通电阻约比G3低15%• 工作频率接近1 MHz• 成熟且稳健的工艺• 吞吐量、设计简单性、可靠性、经验…• 适用于汽车的高生产率
2023-09-08 06:33:00
，硅的电阻率就大大减小，利用这种特性制成了各种不同的半导体器件，如二极管、双极型晶体管、场效晶体管及晶闸管等。4、本征半导体就是完全纯净的、晶格完整的半导体。5、在本征半导体的晶体结构中，原子之间以
2016-10-07 22:07:14
绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。一．绝缘栅双极晶体管IGBT的工作原理： 半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料，供感兴趣
2009-05-12 20:44:23
，hFE20-200电压 vGS 3-10VVoltage, vGE 4-8V输入阻抗低高高输出阻抗低中等低切换速度慢快速中等成本低中等高我们已经看到，绝缘栅极双极性晶体管是一种半导体开关器件，具有双极性
2022-04-29 10:55:25
通过采用艾迈斯半导体主动降噪（ANC） 器件 AS3460，Bang & Olufsen的最新旗舰耳机H95可实现一流的听觉享受 中国，2020年9月10日——全球领先的高性能传感器
2020-11-23 15:52:05
，典型能效为55%,P1dB输出功率为700瓦，增益为16dB,并具备低热阻特性。 新晶体管的推出使得英飞凌如今可为1200 MHz~1400 MHz系统应用提供一系列射频功率晶体管，额定输出功率分别为
2018-11-29 11:38:26
40V的MOSFET的通态电阻降低了40%，而阻断电压为60V的MOSFET的通态电阻降幅甚至达到48%以上。 迄今为止，英飞凌是全球首家推出采用SuperSO8封装、最大通态电阻不足1毫欧的40V
2018-12-06 09:46:29
意法半导体官方的库怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
双极性晶体管与MOSFET对比分析哪个好？
2021-04-20 06:36:55
STM32F103C8T6,中密度性能,2个ADC、9个通信接口,ST意法半导体处理器
2023-02-17 11:55:11
半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量
一、实验目的
1、了解半导体特性图示仪的基本原理
2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的
2010-10-29 17:09:12
33 半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量一、实验目的1、了解半导体特性图示仪的基本原理2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和参
2009-03-09 09:12:099640 
意法半导体推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管，MDmesh V系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管，拥有最低的单位面积通态电阻
2011-12-27 17:29:101277 
汽车动力操控（Power Steering）系统设计工程师需要可提供更高效率和更好功率控制的解决方案。快捷半导体公司（Fairchild Semiconductor） 的40V N 通道 PowerTrench MOSFET 产品可协助设计者应对这
2012-12-05 09:12:22929 意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极管特性，降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。
2022-06-24 16:40:431044 中国—— 意法半导体的STL120N10F8N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。
2023-05-25 10:08:23330 安建半导体40V SGT MOSFET产品已经通过AEC-Q101车规认证的全部测试。
2023-09-06 17:48:45474
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新型 40V N 沟道增强型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充沟槽技术实现卓越的品质因数。在栅源电压 (VGS)为 10V 时，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大导通电阻 (Rds(on))分别为 0.8毫欧和和0.75毫欧。新MOSFET的裸片单位面积(Rds(on))电阻非常低，因此可以采用节省空间且热效率高的 PowerFLAT 5x6 封装。
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