Vishay SiEH4800EW 80V TrenchFET® 第四代N沟道功率MOSFET技术解析

Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^®^ 第四代N沟道MOSFET设计用于高效电源开关应用。SiEH4800EW采用紧凑型PowerPAK^®^ 8mmx8mm接合无线（BWL）封装，在VGS 为10V时具有0.00115Ω超低导通电阻，可最大限度地降低导通损耗并提高散热性能。Vishay/Siliconix MOSFET具有260A的最大连续漏极电流和117nC的低栅极电荷，优化用于快速开关和大电流处理，因此非常适合用于同步整流、电机驱动器和高性能直流-直流转换器。坚固的设计和先进的沟槽技术确保在严苛环境中可靠运行。

数据手册：*附件：Vishay ， Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET®第四代N沟道MOSFET数据手册.pdf

特性

• TrenchFET第四代功率MOSFET
• 采用节省空间的PowerPAK 8mm x 8mm BWL封装，具有1mm超薄高度，可最大限度地降低寄生电感，同时最大程度地提高电流能力
• 可湿性侧翼封装提高了可焊性，同时更容易目测检查焊点可靠性
• 采用熔断引线，增加源焊盘可焊接面积，实现更稳健的设计
• 低最大RthJC ：0.36°C/W，提高了散热性能
• 导通电阻低至0.88mΩ（10V时典型值），可最大限度地降低导通时的功率损耗，从而提高效率
• 超低RDS x Qg品质因数(FOM)
• 工作温度高达+175°C
• 占位面积比D2PAK (TO-263)小50%
• 经100% Rg和UIS测试
• 完全无铅、无卤，符合RoHS指令

‌Vishay SiEH4800EW 80V TrenchFET® 第四代N沟道功率MOSFET技术解析‌

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‌一、核心产品定位‌

Vishay Siliconix推出的SiEH4800EW是一款采用‌TrenchFET® Gen IV技术‌的N沟道功率MOSFET，具有‌80V耐压‌和‌175°C最高结温‌能力。其采用‌PowerPAK® 8×8 BWL‌封装，专为高效率、高功率密度场景设计，适用于同步整流、电机驱动、电池管理等工业与汽车电子领域。

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‌二、关键技术特性深度解析‌

‌1. 电气性能突破‌

• ‌导通电阻‌：
  • ‌ VGS=10V时典型值0.00088Ω（最大值0.00115Ω） ‌
  • ‌ VGS=7.5V时典型值0.00091Ω（最大值0.00135Ω） ‌
• ‌栅极电荷‌：‌典型值140nC‌，实现‌低开关损耗‌
• ‌连续漏极电流‌：
  • ‌TC=25°C时达381A‌
  • ‌TA=25°C时达34A‌
• ‌栅极阈值电压‌：‌ 2V~4V（ID=250μA） ‌

‌2. 封装与散热创新‌

• ‌PowerPAK® 8×8 BWL封装‌较传统D2PAK面积缩小50%
• ‌热阻参数‌：
  • ‌结到环境（RthJA）最大44°C/W‌
  • ‌结到外壳（RthJC）最大0.36°C/W‌
• ‌可湿性侧翼设计‌提升焊接可靠性，支持自动光学检测（AOI）

‌3. 动态特性优化‌

• ‌开关速度‌（VDD=40V, ID=10A）：
  • ‌开启延迟td(on)≤45ns，上升时间tr≤140ns‌
  • ‌关断延迟td(off)≤130ns，下降时间tf≤40ns‌
• ‌体二极管特性‌：
  • ‌反向恢复时间trr≤165ns‌
  • ‌ 正向压降VSD≤1.1V（IS=10A） ‌

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‌三、典型应用场景分析‌

‌ 1. 同步整流（开关电源） ‌

凭借‌ 超低RDS(on)×Qg优值（FOM） ‌，可在高频LLC谐振转换器中替代肖特基二极管，提升效率3%~5%。

‌2. 电机驱动控制‌

• ‌ 高连续电流（381A） ‌ 支持大功率BLDC/PMSM驱动
• ‌快速开关特性‌减少死区时间损耗，适用于工业伺服与电动汽车电控

‌ 3. 电池管理系统（BMS） ‌

• ‌80V耐压‌覆盖16S~18S锂电池组保护
• ‌175°C结温‌保障高温环境下的可靠性

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‌四、设计关键考量‌

‌1. 驱动要求‌

• ‌推荐栅极电压≥7.5V‌以充分发挥低导通电阻优势
• ‌栅极电阻需≤1Ω‌以避免开关振荡

‌2. 热管理建议‌

• ‌ 结到外壳热阻仅0.27°C/W（典型） ‌，需通过PCB铜箔或外部散热器及时导熱
• ‌功率降额曲线‌显示TC≥100°C时需线性降低电流负载

‌3. 布局优化‌

• ‌推荐焊盘图案‌包含8个1.10mm×1.05mm的接触区
• ‌底部散热焊盘尺寸6.00mm×6.00mm‌，要求与PCB大面积覆铜连接

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‌五、性能曲线核心解读‌

1. ‌输出特性‌：VGS=10V至4V范围内呈现‌优异线性度‌
2. ‌转移特性‌：跨导gfs达150S（典型），提供高增益
3. ‌导通电阻温漂‌：150°C时RDS(on)增至25°C时的1.6倍

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‌六、技术趋势关联‌

• ‌第四代TrenchFET技术‌通过单元密度优化，实现‌RDS(on)与Qg的平衡‌
• ‌无铅环保设计‌符合欧盟RoHS指令，适配绿色能源发展需求