德州仪器 （TI） 宣布推出业界首款面向绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 与碳化硅 （SiC） FET 的 35 V 单通道输出级电源管理栅极驱动器。TI 支持拆分输出的最新 UCC27531
2013-03-04 10:59:31
1559 隔离式单通道栅极驱动器SLMi350的峰值驱动电流能力达2.5A，且具有 3.75kVrms的隔离电压和高达10kV的隔离浪涌电压，共模瞬态抗扰度（CMTI）超过150kV/us。
2021-07-19 14:46:014365 
2022年7月19日－纳芯微单通道隔离式栅极驱动器两款新品NSi66x1A和NSi6601M双双发布，均适用于驱动SiC，IGBT和MOSFET等功率管，兼具车规（满足AEC-Q100标准）和工规
2022-07-20 15:23:312261 
2022年7月19日－纳芯微单通道隔离式栅极驱动器两款新品NSi66x1A和NSi6601M双双发布，均适用于驱动SiC，IGBT和MOSFET等功率管，兼具车规（满足AEC-Q100标准）和工规
2022-07-26 13:38:002279 
的技术、项目经验积累，着笔SiC相关设计的系列文章，希望能给到大家一定的参考，并期待与您进一步的交流。 作为系列文章的第四篇，本文主要针对SiC MOSFET 短路Desat 保护设计做一些探讨。 1. 什么是Desat Desat保护是功率MOSFET和IGBT保护中很重要的概念, 下面我
2022-08-01 14:39:003733 
33V，适合驱动 Si 或 SiC MOSFET 和 IGBT 功率开关。集成的 UVLO 保护确保在异常情况下输出保持在低电平。输入侧供电电压 VCC1 在2.5V 到 5.5V 之间工作，支持大多数数字控制器
2025-04-03 14:23:02
一般描述：SLMi137是一款光兼容单通道，数字隔离器，具有5kVRMS强化隔离等级。输入级是模拟二极管具有可靠性和优良的老化与传统LED相比的特性。输出级采用开路集电极具有启用功能，从而允许有线或
2021-05-16 09:22:23
一款针对更高功率需求设计的国产高性能隔离驱动器SLMi333CG-DG，是一款单通道、带全面保护功能的隔离栅极驱动器，核心亮点在于高达2.5A的峰值输出电流以及自动故障复位功能，完美兼容并可替代
2025-08-13 08:31:37
还在用传统光耦做隔离驱动？老化、延迟大、抗干扰弱这些老毛病，调起板子来是不是贼闹心？特别是驱动MOSFET/IGBT，总感觉差点意思。SLMi350DB-DG管脚兼容光耦隔离驱动，但性能直接
2025-07-23 09:05:49
今天深入解析SLMi350DB-DG——一款兼具强劲驱动能力与无缝升级优势的单通道隔离栅极驱动器。它专为高效、可靠地驱动MOSFET和IGBT（无论是低边还是高边应用）而设计，在保持与传统光耦隔离
2025-07-11 09:51:26
本帖最后由 sanlik9988 于 2021-4-6 15:13 编辑
2.5A光兼容单通道隔离门驱动器完美替代TLP350，速度快，价格优惠1概述SLMi350是一款光兼容单通道，隔离栅
2021-03-30 18:09:09
可靠性苛求的场景。
#SLMi823x #隔离驱动器 #SLMi8233BDCG #SiC驱动 #门极驱动
2025-06-28 08:45:31
一款双通道、死区时间可编程的隔离驱动器，它集成了多项实用功能，能有效简化设计工作，并提升系统鲁棒性。
一、概述： SLMi8233BDCG-DG是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，同时也
2025-11-29 10:25:39
产品概述
SLMi8233DDCG-DG是SLMi823x系列中针对半桥拓扑优化的 双通道隔离驱动器 ，采用双输入+高低侧独立输出架构，支持4.0A峰值电流驱动能力。其核心创新在于集成 可编程死区
2025-06-21 09:44:16
驱动器里吗?谢谢! 3种故障保护功能都集成到Avago的高集成栅极驱动器ACPL-33xJ里 - UVLO(以避免VCC2电平不足够时开启IGBT)，DESAT(以保护IGBT过电流或短路)，和米勒
2018-11-05 15:38:56
DESAT 检测和米勒钳位保护的增强型隔离式 IGBT 栅极驱动器，支持将单极电源电压用于栅极驱动器。此参考设计将基于开环推挽式拓扑的电源用于每个栅极驱动器，从而使 PCB 布线具有灵活性。在
2018-10-19 15:30:07
SLM341CK-DG是一款单通道、兼容光耦管脚的隔离式栅极驱动器，专为驱动IGBT和MOSFET设计。其具备3.0A峰值输出电流和12.5V的欠压锁定（UVLO）功能，在共模瞬态抗扰度（CMTI
2025-09-19 09:24:19
系统可靠性大打折扣？SLM346CK-DG作为一款兼容光耦的单通道隔离式栅极驱动器，或许正是你需要的。它集成了3.0A峰值输出电流、150kV/us CMTI和120ns低传输延迟等特性，直接引脚兼容
2025-12-01 08:25:19
SLM346光兼容单通道隔离栅驱动器代替TLP5772 具有低延时，模瞬态抗扰能力强，寿命长 一般描述：SLM346是一款光兼容单通道，隔离栅驱动器，用于IGBT、MOSFET和2.5A源和2.5A
2023-02-14 10:35:49
有没有在电机驱动和电源设计中被隔离驱动问题而困扰许久的，直到看到了SiLM5350SABCA-DG这款单通道隔离栅极驱动器能同时驾驭MOSFET、IGBT和SiC/GaN器件。
一、特性：
驱动
2025-11-15 10:00:15
单通道隔离IGBT/功率MOSFET驱动器——SiLM5932SHOCG-DG，适合需要强驱动能力和完善保护功能的中高功率应用，替代UCC21750DWR。核心性能：
强劲驱动： 提供高达12A
2025-08-12 08:33:41
Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺技术的引进，现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔离式栅极驱动器。这些驱动器的电隔离装置体积小巧，可集成到驱动器芯片
2021-01-22 06:45:02
IGBT 栅极驱动器 – ISO5852s，工作电压隔离为 1.5kVrms，最小 CMTI 为 50 kV/μs整合了针对过流和误开启的保护功能，采用：DESAT 检测软关断有源米勒钳位满足
2018-12-27 11:41:40
SiLM5343ATCR-DG 是一款定位精准、性能卓越的单通道隔离栅极驱动器。其核心价值在于：在完全兼容传统光耦隔离驱动器引脚布局的前提下，提供显著超越光耦的性能与可靠性，是驱动IGBT
2025-08-15 08:56:44
使用隔离式IGBT和SiC栅极驱动器的HEV/EV牵引逆变器设计指南
2022-11-02 12:07:56
驱动半桥配置中的并联 IGBT。并联 IGBT 在栅极驱动器级（驱动强度不足）以及系统级均会带来挑战：难以在两个 IGBT 中保持相等电流分布的同时确保更快的导通和关断。此参考设计使用增强型隔离式
2018-12-07 14:05:13
hcpl-316j等驱动器还具备欠压锁定保护功能，这大大简化了设计者的工作。2.3 全功能型 全功能型的大功率igbt驱动保护电路除了具有各类完善的保护功能之外，还都无一例外地配置了dc/dc隔离
2012-07-09 15:36:02
在开启时提供此功能。实验验证表明，在高负载范围和低开关速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的电流源驱动与传统方法相比，导通损耗降低了26%。在电机驱动器等应用中，dv/dt 通常限制为 5V/ns，电流源驱动器可提高效率并提供有前途的解决方案。
2023-02-21 16:36:47
，具有相同的封装，能让单个设计用于具有不同额定功率的多驱动器平台。数字隔离器用于实现瞬态浪涌额定值为 8kV 且共模瞬变抗扰度 (CMTI) 为 50kV 的增强型隔离。该设计包含了使用快速瞬态响应
2018-09-04 09:20:51
在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺技术的引进，现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。
2019-08-09 07:03:09
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
工程师提供了一个比传统光耦驱动器性能更强、可靠性更高且直接兼容的解决方案。无论是新建项目设计，还是对现有光耦驱动方案的性能升级，SLM34x都是驱动IGBT和MOSFET的强力候选。#SLM345 #SLM345CK-DG #隔离驱动器 #门极驱动
2025-07-21 08:56:31
FOD8316是仙童推出的一款智能式IGBT栅极驱动光电耦合器。FOD8316基本特性在传统的IGBT驱动器上增加了保护电路。可编程故障传感去饱和检测IGBT软断开欠压锁定输出电压轨到轨摆动:低功耗
2013-06-07 16:34:06
NCV57001FDWR2G是一款具有简化的软的−转动−关闭时间适合驱动大型IGBT或电源模块。是一个高性能的传感器−电流型单通道IGBT驱动器内部电流隔离，设计用于高系统效率和高功率应用的可靠性
2022-01-06 09:53:36
电子书“IGBT 和 SiC 栅极驱动器基础知识”
2022-10-25 17:20:12
一款专为高效、可靠驱动中小功率 IGBT 和 MOSFET 设计的隔离方案——SLM345CK-DG。它完美兼容传统光耦驱动器TLP5771的，提供显著的性能提升和可靠性飞跃，是光耦升级的理想选择
2025-08-14 08:37:14
适配：
输入侧：3V~5.5V（兼容3.3V/5V MCU）
输出侧：13V~30V（适配主流门极驱动电压）
二、主动保护三剑客
DESAT退饱和保护
实时监测IGBT过流状态
触发后自动启动软关断
2025-07-15 09:25:36
描述TIDA-00174参考设计是一款四路输出隔离式 Fly-Buck 电源，适合于 IGBT 栅极驱动器偏置。它产生两组（+16V、-9V）电压输出，输出电流容量为 100mA。正/负偏置电压用于
2022-09-26 07:54:11
栅极驱动器，小体积封装（SOP16W）和高可靠性设计特别适合高噪声环境下的功率驱动需求。通过可编程死区时间和完善的保护功能，该芯片为工业电源、新能源逆变及电动汽车充电等应用提供了紧凑且安全的解决方案。
#隔离驱动器 #栅极驱动 #SiC驱动 #SLMi8232
2025-09-18 08:20:40
NSi6801是单通道兼容光耦输入的隔离式栅极驱动器，可应用于驱动IGBT、SiC 和 MOSFET。它可以提供5A的峰值拉/灌电流。支持150kV/μs的最小共模瞬态免疫（CMTI），确保了系统
2022-10-26 12:23:40
本参考设计采用一个22kW 功率级以及TI 全新的增强型隔离式(IGBT) 栅极驱动器ISO5852S，适用于交流驱动器等各类三相逆变器。此参考设计可用于评估3 相逆变器中ISO5852S 的性能
2016-11-05 15:45:14
0 通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2019-04-16 17:07:396332 
日开始的德国纽伦堡欧洲PCIM 2019展会推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器。
2019-05-14 11:44:535134 进行了比较，结合对工程实践中IGBT故障的分析，讨论了选用IGBT驱动器时的参考原则，理论分析和应用实践表明，内部集成完善保护功能的光耦隔离驱动有较好的性价比，高频变压器隔离驱动有较高的可靠性。
2019-12-26 14:33:0557 ，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺技术的引进，现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。因此，需要高度集成、...
2021-01-20 15:00:2413 ADuM4146：单/双电源高压隔离SiC栅极驱动器，带密勒钳位数据表
2021-03-22 17:24:196 UG-1194：评估ADuM4138i耦合器、带隔离式反激控制器的高压隔离式IGBT栅极驱动器
2021-04-21 10:33:557 ADI隔离栅极驱动器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 单通道隔离式栅极驱动器SLMi350英文手册免费下载。
2021-06-19 16:31:1519 数明半导体宣布，兼容光耦单通道隔离式栅极驱动器SLM34x系列产品已通过UL1577认证，相关证书已下发。
2021-07-23 16:25:003653 
意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。
2022-02-15 14:23:261774 
CA-IS3211是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器，可用于驱动MOSFET、IGBT和SiC器件。隔离等级达到5.7kVRMS，芯片可提供5A拉、6A灌输出峰值电流能力。
2022-12-05 10:00:451704 SLMi334兼容TLP5214一款兼容光耦带保护功能单通道隔离IGBT栅极驱动器 。内置快速去饱和（DESAT） 故障检测功
能、米勒钳位功能、漏极开路故障反馈、软关断功能以及可选择的自恢复模式
2023-02-23 16:15:071 纳芯微单通道智能隔离式栅极驱动器NSi68515，专为驱动高达2121V直流母线电压下的SiC MOSFET，IGBT而设计
2023-02-23 16:22:232277 带DESAT保护功能的 IGBT /SiC隔离驱动器SLMi334 。内置快速去饱和（DESAT） 故障检测功能、米勒钳位功能、漏极开路故障反馈、软关断功能以及可选择的自恢复模式，兼容 光耦 隔离
2023-02-24 15:10:462 随着对信号的抗干扰能力的要求越来越高，而且现在的工业应用电路也不满足于简单的光耦隔离这一效果。为了顺应市场的需求，一些高端的光耦也集成了采样，检测等功能，成为了光耦领域的多面手。当然容耦也不甘示弱
2023-02-24 15:00:180 新品1ED332x--8.5A2300V单通道隔离型驱动器1ED332x系列隔离型栅极驱动器，8.5A2300V，包括短路保护(DESAT)，软关断和有源米勒钳位等保护功能，其短路保护功能适用于
2022-02-20 14:52:411957 
纳芯微NSi66x1A带保护功能的智能隔离单管驱动器：高性能驱动解决方案摘要纳芯微（NSi）超近发布了一款全新的高性能驱动解决方案：NSi66x1A带保护功能的智能隔离单管驱动器。这款创新产品为工业
2023-07-11 14:24:071656 
2023 年 9 月 6 日，中国 ——意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低了物料清单成本，能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。
2023-09-07 10:12:132054 应用于强弱电隔离的电气系统中，能利用简单的设计轻松保护操作人员的人身安全，并提高设备可靠性及使用寿命，应对强电对信号的干扰时也能有效防止对信号链的干扰，维护系统稳定运行。 MD18011X作为光耦兼容的单通道隔离型栅极驱动器，具有4A拉电流和
2023-10-26 16:02:082006 
经济型光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器纳芯微全新推出第二代产品NSi6801x系列，包含NSi68010B和NSi68011C两款产品。NSi6801x系列产品基于第一代产品NSi6801优秀性能而
2022-10-31 13:54:554 用光耦搭建的隔离型IGBT驱动电路
2023-11-02 15:20:0516 川土微电子CA-IS3215/6-Q1适用于SiC/IGBT 的具有主动保护功能、高 CMTI、15A 拉/灌电流的单通道增强隔离栅极驱动器新品发布！
2023-11-15 09:49:432385 
电子发烧友网站提供《现代IGBT/MOSFET栅极驱动器 提供隔离功能的最大功率限制.pdf》资料免费下载
2023-11-22 16:48:150 电子发烧友网站提供《PMP22835.1-适用于牵引逆变器应用的隔离式IGBT 和 SiC 驱动器辅助电源 PCB layout 设计.pdf》资料免费下载
2024-05-20 11:26:360 的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保护功能，可确保安全可靠的工作。SCALE™-2 2SP0230T2x0双通道门极驱动器可在不到2微秒的时间内部署短路保护功能，保护
2023-12-14 11:37:101162 报告内容包含：
效率和功率密度推动变革
基本的 MOSFET 栅极驱动器功能
驱动器演进以支持 IGBT（绝缘栅双极晶体管）
驱动器进化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57995 
电子发烧友网站提供《具有UVLO的5A、5A光耦兼容单通道功能隔离式栅极驱动器UCC23113数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 09:59:350 Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:301651 近日，Littelfuse公司发布了IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器，这款新型驱动器在业界引起了广泛关注。
2024-05-23 11:34:211464 电子发烧友网站提供《在电机驱动器的UCC23513光兼容隔离式栅极驱动器中实现分立式 DESAT.pdf》资料免费下载
2024-08-30 10:12:481 电子发烧友网站提供《使用隔离式 IGBT 和 SiC 栅极驱动器的 HEV/EV 牵引逆变器设计指南.pdf》资料免费下载
2024-09-11 14:21:390 意法半导体的STGAP3S系列碳化硅（SiC）和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。
2025-01-09 14:48:331279 川土微电子CMOS输入、带有源米勒钳位(可选)单通道隔离式栅极驱动器新品发布，该系列产品为驱动SiC、IGBT和GaN功率管而优化设计。
2025-01-10 18:08:421604 
UCC57102Z 是一款单通道、高性能低侧 IGBT/SiC 栅极驱动器，适用于高功率汽车应用，如 PTC 加热器、牵引逆变器有源放电电路和其他辅助子系统。它提供保护功能，包括欠压锁定 （UVLO
2025-05-15 11:18:331390 
UCC5881-Q1 器件是一款隔离式、高度可配置的可调驱动强度栅极驱动器，旨在驱动 EV/HEV 应用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件包括功率晶体管保护，例如基于分流电阻器
2025-05-15 11:32:02821 
UCC5710x 是一款单通道、高性能低侧 IGBT/SiC 栅极驱动器，适用于 PTC 加热器、牵引逆变器有源放电电路和其他辅助子系统等高功率汽车应用。它提供保护功能，包括欠压锁定 （UVLO
2025-05-15 13:55:402114 
UCC5710x 是一款单通道、高性能低侧 IGBT/SiC 栅极驱动器，适用于 PTC 加热器、牵引逆变器有源放电电路和其他辅助子系统等高功率汽车应用。它提供保护功能，包括欠压锁定 （UVLO
2025-05-15 15:15:511473 
UCC5880-Q1 器件是一款隔离式、高度可配置的可调驱动强度栅极驱动器，旨在驱动 EV/HEV 应用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件包括功率晶体管保护，例如基于分流电阻器
2025-05-15 16:48:57870 
UCC21738-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器，专为工作电压高达 2121V 直流的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计，具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。该器件具有高达
2025-05-16 10:12:06617 
UCC23113 适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、单通道、隔离式栅极驱动器，具有 5A 拉电流和 5A 灌电流峰值输出电流以及 1.5kV 直流功能隔离。30 V
2025-05-16 10:49:24628 
UCC5871-Q1 器件是一款隔离式、高度可配置的单通道栅极驱动器，旨在驱动 EV/HEV 应用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶体管保护，例如基于分流电阻器的过流
2025-05-16 14:02:45594 
UCC23513-Q1 驱动器是适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、单通道、隔离式栅极驱动器，具有 4.5A 的拉电流和 5.3A 的灌电流峰值输出电流和 5.7kV
2025-05-16 14:53:21719 
UCC21710 是一款电隔离式单通道栅极驱动器，旨在驱动高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先进的集成保护、一流的动态性能和稳健性。UCC21710具有高达 ±10A
2025-05-16 17:26:07845 
UCC5870-Q1 器件是一款隔离式、高度可配置的单通道栅极驱动器，旨在驱动 EV/HEV 应用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶体管保护，例如基于分流电阻器的过流
2025-05-16 17:32:51728 
UCC21732 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器，专为高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计，具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。UCC21732具有
2025-05-16 18:00:09807 
UCC23511 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有 1.5A 拉电流和 2A 灌电流峰值输出电流以及 5.7kV~RMS~增强
2025-05-17 11:44:581039 
适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、单通道、隔离式栅极驱动器，具有 4.5A 的拉电流和 5.3A 的灌电流峰值输出电流和 5.7kV~RMS~隔离等级。33V 的高
2025-05-24 14:43:00793 
隔离型门极驱动器，以卓越的电气性能、多元的功能配置及广泛的行业适用性，成为驱动 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 等功率器件的理想选择。本文将深入解析其技术特性与应用价值。 一、产品概述：高集成度与高可靠性的完美融合 BTD5350x 系列是专为高压隔离场景设计的
2025-06-10 09:00:57628 
Texas Instruments UCC23113隔离式栅极驱动器是一款兼容光耦的单通道隔离式栅极驱动器，用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。该器件具有5A峰值输出拉电流、5A峰值
2025-08-03 17:04:13704 
Texas Instruments UCC5880-Q1汽车类隔离式20A栅极驱动器是一款高度可配置的隔离式栅极驱动器，具有可调压摆率，用于在电动汽车和混合动力汽车（EV/HEV）应用中驱动高功率
2025-08-04 14:10:121812 
Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET栅极驱动器是一款隔离式、高度可配置的单通道栅极驱动器，设计用于驱动EV/HEV应用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22741 
Texas Instruments UCC21737-Q1单通道栅极驱动器是一款电流隔离式栅极驱动器，设计用于工作电压高达2121V DC的SiC MOSFET和IGBT，具有先进的保护特性、同类最佳的动态性能和稳健性。该器件具有高达 ±10A的峰值拉电流和灌电流。
2025-09-09 15:37:02774 
UCC23511-Q1 是一款光兼容、单通道、隔离式栅极驱动器，适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET，具有 1.5A 源电流和 2A 灌电流峰值输出电流以及 5.7kV~有效值
2025-10-14 14:44:27493 
该UCC23313是一款光兼容、单通道、隔离式栅极驱动器，适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET，具有4.5A源极和5.3A灌电流峰值输出电流以及3.75kV~有效值~基本隔离等级。33
2025-10-15 15:22:57495 
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2022-10-27 10:35:38
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