大家好，看到TI一篇关于IGBT和SiC器件栅极驱动应用的文档，虽然比较基础，但是概括的比较好，适合电力电子专业的初学者，总体内容如下。
2022-11-25 09:20:30
1195 MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性能的栅极驱动器。在这篇文章中，我们讨论了SiC MOSFET器件的特点以及它们对栅极驱动电路的要求，然后介绍了一种能够解决这些问题和其它系统级考虑因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 
数明半导体近日正式发布国内首款单通道带DESAT保护功能的IGBT/SiC隔离驱动器SLMi33x。
2021-07-19 14:40:583395 
，商品化的基于SiC-MOSFET的变换器已经投入市场了。当然，理论上碳化硅材料和IGBT结构也是可以结合的，其电压、电流也会上升一个等级。原作者：金誉半导体
2023-02-16 15:36:56
拓扑结构，其中 SiC MOSFET 用于高频开关，Si IGBT 用于低频开关。隔离式栅极驱动 器必须能够驱动不同要求的开关，其中较多的是并联且采用硅 IGBT/SiC MOS 混合式多电平配置。客户
2018-10-30 11:48:08
通时产生的Vd振铃、和低边SiC-MOSFET的寄生栅极寄生电容引起的。全SiC功率模块的开关速度与寄生电容下面通过与现有IGBT功率模块进行比较来了解与栅极电压的振铃和升高有关的全SiC功率模块的开关
2018-11-30 11:31:17
和应用意法半导体 sub-1GHz射频收发器单片巴伦 让天线匹配/滤波电路近乎消失意法半导体Bluetooth® Low Energy应用处理器模块通过标准组织认证，加快智能物联网硬件上市
2018-02-28 11:44:56
稳健、高成本效益的高压发射脉冲发生器解决方案。STHV1600为高端超声成像台车系统和超便携式超声诊断设备厂商提供了一个有价值的脉冲发生器解决方案，同时加强了意法半导体现有的医疗和工业超声设备用4通道
2018-08-13 14:18:07
中国，2018年8月27日——意法半导体的STSPIN830 和 STSPIN840单片电机驱动器集成灵活多变的控制逻辑电路和低导通电阻RDS（ON）的功率开关管，有助于简化7V-45V工作电压
2018-08-29 13:16:07
的新STM32探索套件简化移动网至云端连接，并提供免费试用的第三方服务意法半导体Bluetooth® Mesh网状网软件开发工具套件加快智能互联照明及自动化产品的问世意法半导体 sub-1GHz射频收发器单片巴伦 让天线匹配/滤波电路近乎消失
2018-03-12 17:17:45
解决方案·低压伺服驱动解决方案·基于SiC的光伏逆变器DC-AC解决方案·8通道IO-Link主站解决方案
▌峰会议程
▌参会福利
1、即日起-9月27日，深圳用户报名预约【意法半导体工业峰会2023
2023-09-11 15:43:36
多款不同的STM32微控制器。意法半导体将在2018年底前推出其它STM32系列适用的软件库。用户还可以选购安森美半导体的FUSB307B评估板ON-FUSB3-STM32，以简化开发工作。该电路板具有
2018-07-13 13:20:19
）。 包含加州大学洛杉矶分校(UCLA)William Kaiser教授为大一计算机工程班的学生开发的教学课程，该在线课程资源为理解基于传感器的物联网(IoT)嵌入式系统的基本原理打下基础。意法半导体
2018-02-09 14:08:48
传感器的电源电压和电流，进而简化连网产品、智能传感器、移动机器人或无人机控制器等注重功耗的项目开发。详情请浏览： www.st.com/profiMEMS-PR相关新闻意法半导体STM32F4基本型产品线
2018-05-22 11:20:41
有源米勒钳位选配，提升高速开关抗干扰能力中国，2018年8月3日——意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压，准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳
2018-08-06 14:37:25
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM） 推出汽车级六轴惯性传感器ASM330LHH ，为先进的车载导航
2018-07-17 16:46:16
中国，2018年10月10日——意法半导体推出了STLINK-V3下一代STM8 和STM32微控制器代码烧写及调试探针，进一步改进代码烧写及调试灵活性，提高效率。STLINK-V3支持大容量存储
2018-10-11 13:53:03
意法半导体的AlgoBuilder 固件开发工具能将写代码工作从固件开发中分离出来，让用户使用可立即编译的STM32 *微控制器（MCU）运行的函数库模块，在图形用户界面上创建传感器控制算法。以简化
2018-07-13 13:10:00
半导体(ST)完整全桥系统封装内置MOSFET、栅驱动器和保护技术以节省空间，简化设计，精简组装意法半导体(ST)推出内置32位MCU的电机驱动器，简化电池供电机器人和电器设备的电机控制系统意法半导体高集成度数字电源控制器简化设计，助力应用达到最新能效安全标准`
2018-06-25 11:01:49
生态系统。今天，已有多条STM32产品线支持TouchGFX。意法半导体微控制器市场总监DanielColonna表示：“Draupner的TouchGFX软件是一款非常先进和优化的微控制器图形用户界面
2018-07-13 15:52:39
驱动器，简化电池供电机器人和电器设备的电机控制系统意法半导体（ST）的STM32电机控制Nucleo开发套件只需数秒钟即可直接开启运转无刷直流电机
2018-03-22 14:30:41
半导体最初计划在云中为每个STM10器件提供32块电路板，后续还会有更多电路板（来源：意法半导体）优化代码STM32Cube工具箱中的工具.AI包括图形优化器，它可以转换微控制器的TensorFlow
2023-02-14 11:55:49
2 月 15日，意法半导体发布了单通道、双通道和四通道车规栅极驱动器，采用标准的PowerSSO-16 封装，引脚分配图可简化电路设计升级，增加更多驱动通道。新栅极驱动器适用于所有的汽车系统设备
2023-02-16 09:52:39
，用户可以使用Mega兼容Shield扩展板在主板上插入所选电机驱动器、挤出机控制器和所需的任何其它功能。作为即插即用的扩展板，意法半导体的EVALSP820-XS可以驱动RAMPS打印机以前
2018-06-11 15:16:38
新闻创新的自适应脉宽调制器为固定通/断时间可控的稳压器提供恒定开关频率意法半导体(ST)先进电机控制芯片让自动化系统尺寸更小，运行更顺畅、更安静意法半导体高集成度数字电源控制器简化设计，助力应用达到最新能效安全标准`
2018-06-04 10:37:44
，而提供恒流的驱动电路是由一个控制器芯片和若干个元器所组成。意法半导体新款控制器STLED25单片集成能够驱动多达10支LED的控制电路，因此STLED25不仅能够简化手机设计，还可为其它功能释放更多
2011-11-24 14:57:16
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
开关电路的结果，主要由大型工业电机的磁场造成。EMI可以辐射或传导，并且可能耦合到附近的其他电路中。因此，EMI或RF抗扰度是衡量栅极驱动器抑制电磁干扰并保持稳健运行而无差错的能力的指标。若具有高抗扰度
2021-07-09 07:00:00
同时施加一个信号，则两个通道输出的时间延迟是延迟匹配数值。延迟匹配数值越小，栅极驱动器可以实现的性能越好。延迟匹配有两个主要好处：· 确保同时驱动的并联MOSFET具有最小的导通延迟差。· 简化了栅极
2019-04-15 06:20:07
短路保护并影响开关速度的功能。然而，在选择栅极驱动器时，某些特性也是至关重要的。图1：隔离式栅极驱动器ADuM4135的简化原理图电流驱动能力在开关期间，晶体管会处于同时施加了高电压和高电流的状态。根据
2021-11-11 07:00:00
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
DVRFD630-475，开发板是一种通用电路板，旨在简化IXRFD630栅极驱动器的评估，并为电源电路开发提供构建模块。 IXRFD630栅极驱动器出厂时已安装在评估板上，并经过全面测试。电路板设计允许将驱动器和MOSFET连接到散热器，这样做可以将电路板组件用作接地参考的低侧电源开关
2019-08-06 09:41:29
IPM需要在同一混合IC封装中实现栅极驱动器、检测逻辑和功率半导体。与单片IC明显不同，混合IC将晶体管、单片IC、电阻器、电感器和电容器等单个元件封装在一个封装中。这些元件粘合到封装内的基板或印刷电路
2023-02-24 15:29:54
概述：IRS26302DJBPF美国国家半导体公司生产的一款高速功率MOSFET和IGBT驱动器，它把功率MOSFET/IGBT栅极驱动器与三个高侧及三个低侧参考输出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
到数十亿美元。”相关新闻Argus网络安全科技公司与意法半导体（ST）携手合作，加强网联汽车技术的数据安全和隐私保护意法半导体 sub-1GHz射频收发器单片巴伦 让天线匹配/滤波电路近乎消失意法半导体Bluetooth® Low Energy应用处理器模块通过标准组织认证，加快智能物联网硬件上市
2018-02-12 15:11:38
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MP18851 是一款隔离式独立双通道栅极驱动器解决方案，它具有高达 4A 的拉灌峰值电流能力，专用于驱动具有短传播延迟和脉宽失真的功率开关器件。通过利用MPS 专有的电容隔离技术，该驱动器能够以
2022-09-30 13:47:21
用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD，采用意法半导体新型6kV电流隔离技术，以及SO-36W宽体封装。瞬态抗扰度为±100V/ns，可防止电噪音工作条件
2023-09-05 06:59:59
证明了技术如何真地改变并实现让印度更快发展的环境。"意法半导体大中华、南亚、印度和韩国（亚太区）PDSA系统工程和战略计划业务开发应用总监Allan Lagasca补充道：“通过开发创新的微电子技术
2018-03-08 10:17:35
开发者在电脑上直接使用STM32和STM8设计资源意法半导体(ST)完整全桥系统封装内置MOSFET、栅驱动器和保护技术以节省空间，简化设计，精简组装意法半导体推出封装小、性能强的低压差稳压器创新产品`
2018-05-28 10:35:07
ST意法半导体意法半导体拥有48,000名半导体技术的创造者和创新者，掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为一家半导体垂直整合制造商(IDM)，意法半导体与二十多万家客户、成千上万名合作伙伴一起研发
2022-12-12 10:02:34
变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，为IGBT提供合适栅极信号的栅极驱动器，还执行提供短路保护并影响开关速度的功能。然而，在选择栅极驱动器时，某些特性至关重要。
2020-10-29 08:23:33
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
使用隔离式IGBT和SiC栅极驱动器的HEV/EV牵引逆变器设计指南
2022-11-02 12:07:56
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V为驱动器的电源。电路中增加了CGS和米勒钳位MOSFET，使包括栅极电阻在内均可调整。将该栅极驱动器与全SiC功率模块的栅极和源极连接，来确认栅极电压的升高情况
2018-11-27 16:41:26
日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部位于日本京都市)开发出内置绝缘元件的栅极驱动器"BM6103FV-C"，最适合作为电动汽车(EV)和混合动力车(HEV)逆变回路中IGBT
2019-04-29 21:09:14
ADuM3220设计用作隔离系统中的4A栅极驱动器，以实现同步DC-DC转换。传统解决方案使用2个隔离器和1个双通道栅极驱动器。如图1所示，一个双通道栅极驱动器IC可以与两个脉冲变压器或两个光耦合器
2018-10-15 09:46:28
程中导致开关电流升高。 尽管超结MOSFET开关管优化过的体硅二极管大幅降低了能耗，但IGBT还是能够利用共同封装的超快速二极管降低导通能耗。 在低功率压缩机驱动电路内，意法半导体最新超结MOSFET
2018-11-20 10:52:44
，栅极电阻用于限制功率半导体的开关速度，换向时的dv/dt与负载电流密切相关。另一方面，使用电流源驱动器可以在整个负载范围内实现恒定的dv/dt。ROHM 的新型隔离式栅极驱动器 BM60059FV-C
2023-02-21 16:36:47
TPS61163是什么？TPS61163有哪些功能？有哪些特性？如何去实现一种双通道WLED驱动器TPS61163电路的设计？
2021-07-14 06:48:26
，我们想要先介绍安森美半导体的电机驱动器LV8548MC，它可以作为双通道H桥直流电机驱动器或单通道步进驱动器，占用空间小，外部组件数量最少。它支持4V至16V的单电源供电，并兼容3.3V和5V控制输入。LV8548MC采用高达1A直流驱动电流，支持正向/反向、制动、续流，并且具有RDSON
2019-06-27 10:48:50
作为应用全SiC模块的应用要点，本文将在上一篇文章中提到的缓冲电容器基础上，介绍使用专用栅极驱动器对开关特性的改善情况。全SiC模块的驱动模式与基本结构这里会针对下述条件与电路结构，使用缓冲电容器
2018-11-27 16:36:43
将减小元件尺寸，从而减小成本、系统尺寸和重量；这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化，其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
频率将减小元件尺寸，从而减小成本、系统尺寸和重量；这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化，其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
减小元件尺寸，从而减小成本、系统尺寸和重量；这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化，其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
同时运行特定组合。您可以选择最适合电机特性的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，并调整DRV8714-Q1的寄存器以优化性能。图1：由DRV8714-Q1汽车栅极驱动器驱动的三电机座椅驱动
2022-11-03 07:05:16
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
• 上市周期短（距第3代不到2年）意法半导体沟槽技术：长期方法• 意法半导体保持并巩固了领先地位• 相比现有结构的重大工艺改良• 优化和完善的关键步骤
2023-09-08 06:33:00
电子书“IGBT 和 SiC 栅极驱动器基础知识”
2022-10-25 17:20:12
和低压功率MOSFET与 IGBT • 定制的电源模块• 二极管和晶闸管 • 保护器件和滤波器• AC-DC转换器和控制器 • DC/DC转换器 • 线性电压稳压器 • 模拟集成电路 • 电池管理IC • 数字控制器• STM32微控制器 • MOSFET和IGBT栅极驱动器 非常好的资料
2023-09-07 07:36:32
个优势。 设备属性及其栅极驱动 现在我们已经详细阐述了SiC材料的特性，并了解到它在高能量应用中的参数优于Si，现在是时候仔细研究器件和应用了。如上所述，意法半导体是SiC市场的佼佼者之一，让我们
2023-02-24 15:03:59
驱动程序的参考实例和一个简化应用集成的类似于BSD（Berkeley套接字）的标准C API，以及 一个用于简化蜂窝扩展板无缝控制的简单API。此外，意法半导体还与领先的物联网解决方案提供商安排让用户在
2018-07-09 10:17:50
意法半导体官方的库怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 栅极驱动器参考设计为驱动 UPS、交流逆变器和电动汽车充电桩（电动汽车充电站）应用的功率级提供了蓝图。此设计基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT/功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2018-10-25 10:22:56
开关电路的结果，主要由大型工业电机的磁场造成。EMI可以辐射或传导，并且可能耦合到附近的其他电路中。因此，EMI或RF抗扰度是衡量栅极驱动器抑制电磁干扰并保持稳健运行而无差错的能力的指标。若具有高抗扰度
2018-11-01 11:35:35
新型ACPL-302J是一款智能栅极驱动光电耦合器，可改善隔离电源并简化栅极驱动设计。ACPL-302J具有用于DC-DC转换器的集成反激式控制器和全套故障安全IGBT诊断，保护和故障报告功能
2018-08-18 12:05:14
单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制，采用节省空间的窄体SO-8封装，通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC技术广泛应用于提高功率转换效率，STGAP2SiCSN简化了设计、节省了空间，并增强了节能型动力系统、驱动器和控制的稳健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
飞兆半导体推业界领先的高压栅极驱动器IC
2016-06-22 18:22:01
单路双通道电源控制开关电路图
2009-05-19 10:06:51
9
双通道开关电路图
2009-04-13 09:04:482217 
双通道音频开关电路图
2009-07-03 14:30:05915 
单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117
IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 UCC2752x 系列产品是双通道、高速、低侧栅极驱动器，此器件能够高效地驱动MOSFET 和绝缘栅极型功率管(IGBT) 电源开关。
2016-07-22 15:38:230 意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压，准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳位功能，可用于各种开关拓扑控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶体管。
2018-08-04 09:20:00826 STGAP2DM栅极驱动器是意法半导体的 STGAP2系列电隔离驱动器的第二款产品，集成了低压控制和接口电路以及两个电隔离输出通道，可以驱动单极或双极型晶体管的栅极。
2018-11-16 15:46:313905 ADuM322x是针对同步DC/DC转换器而设计的双通道栅极驱动器。该系列器件在一个SM中同时集成iCoupler®数字隔离技术和4A峰值电流栅极驱动器。
2019-07-19 06:09:003737 本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、导通和关断、功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路
2021-06-14 03:51:003144 
ADUM3221：隔离的4 A双通道栅极驱动器
2021-03-21 06:22:182 意法半导体的 STGAP2SiCSN 是为控制碳化硅 MOSFET而优化的单通道栅极驱动器，采用节省空间的窄体 SO-8 封装，具有稳健的性能和精确的 PWM 控制。 SiC 功率技术被广泛用于提高
2021-10-22 10:06:392484 MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。
2022-02-17 10:06:141783 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 单通道栅极驱动器旨在调节碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄体 SO-8 封装，可节省空间并具有精确的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011355 
随着新型功率晶体管（例如 SiC Mosfets）越来越多地用于电力电子系统，因此有必要使用特殊的驱动器。隔离式栅极驱动器通过提供对 IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，旨在满足 SiC（碳化硅
2022-08-09 09:03:001509 
栅极驱动参考 1.PWM直接驱动2.双极Totem-Pole驱动器3.MOSFET Totem-Pole驱动器4.速度增强电路5.dv/dt保护 1.PWM直接驱动 在电源应用中，驱动主开关
2023-02-23 15:59:0017 半导体器件是现代电力电子系统的核心。这些系统利用许多门控半导体器件，如普通晶体管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作为开关模式电源（SMPS）、通用电源（UPS）和电机驱动器中的开关元件。电力电子的现代技术发展通常跟随功率半导体器件的发展。
2023-04-04 10:23:45547 不好常常导致器件损坏。本文重点提到基本半导体单通道隔离栅极驱动器BTD5350应用于工业空调，共模抑制比CMTI可达150KV/μS，BTD5350应用框图如下：相较于东芝TLP350，基本半导体BTD535
2022-09-14 11:04:19909 
新品6.5A，2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半桥电路，用两个栅极驱动IC1ED3142MU12F来驱动IGBT
2023-07-31 17:55:56430 
列文章的第二部分 SiC栅极驱动电路的关键要求 和 NCP51705 SiC 栅极驱动器的基本功能 。 分立式 SiC 栅极驱 动 为了补
2023-11-02 19:10:01361 
在电力电子领域，为了最大限度地降低开关损耗，通常希望开关时间短。然而快速开关同时隐藏了高压瞬变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，必须设计更高性能的开关驱动系统 。 目前，宽带隙半导体
2023-11-17 18:45:01326 
报告内容包含：
效率和功率密度推动变革
基本的 MOSFET 栅极驱动器功能
驱动器演进以支持 IGBT（绝缘栅双极晶体管）
驱动器进化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
金属-氧化物-半导体（MOS）结构作为开关的电路。当栅极（G）接高电平时，源极（S）和漏极（D）之间的导电通道被打开，电流可以通过；当栅极接低电平时，导电通道被关闭，电流无法通过。因此，通过控制栅极的电平，可以实现MOS开关的开关功能。
2023-12-19 11:27:34571 意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
荣湃半导体近日宣布推出其最新研发的Pai8265xx系列栅极驱动器，该系列驱动器基于电容隔离技术，集成了多种保护功能，专为驱动SiC、IGBT和MOSFET等功率管而设计。这款产品的推出，标志着荣湃半导体在功率半导体领域的技术创新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52248 电子发烧友网站提供《适用于SiC/IGBT器件和汽车应用的单通道隔离式栅极驱动器UCC5350-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 10:17:510
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